[發明專利]金屬微結構形成方法

無效

• 申請號: 200910163069.5
• 申請日: 2009-08-21
• 公開（公告）號: CN101995766A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發明（設計）人: 王宏杰;黃雅如
• 申請（專利權）人: 技鼎股份有限公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;C25D5/02
• 代理公司: 北京華夏博通專利事務所 11264
• 代理人: 劉俊;孫東風

1.一種金屬微結構形成方法，應用于微結構組件制造過程，其特征在于，該金屬微結構形成方法包含如下步驟：

準備一基板；

于該基板的表面上相繼形成二層以上的金屬微結構；

以液體來去除該二層以上的金屬微結構以外的其它材料，該液體不會蝕刻該二層以上的金屬微結構；以及

于該基板上得到金屬微結構。

2.如權利要求1所述的金屬微結構形成方法，其特征在于，該準備一基板的步驟包含以下步驟：

選取一基板；以及

于該基板上沉積種子層，該種子層具導電性、并具與該基板間的附著性，可選取自Cr?under?Au、Ti?under?Au、Ti?under?Cu、Ti-W?underAu。

3.如權利要求1所述的金屬微結構形成方法，其特征在于，該于該基板的表面上相繼形成二層以上的金屬微結構的步驟包含以下步驟：

批覆光阻及/或硬質蠟及/或高分子聚合物；

對所批覆的該光阻進行烘烤，該光阻經烘烤后，將其中溶劑蒸發使該光阻變硬，之后進行曝光、顯影，以成形所需的微結構圖案；

在該微結構圖案凹洞內電鍍所需的金屬結構；

進行研磨加工，研磨加工將使得該光阻與電鍍金屬厚度一致；

以及

選取、并利用以上步驟，于該基板的表面上形成二層以上的金屬微結構。

4.如權利要求3所述的金屬微結構形成方法，其特征在于，于該在該微結構圖案凹洞內電鍍所需的金屬結構之前，在該微結構圖案凹洞內先沉積一種子層，該種子層具導電性、并具與該光阻及電鍍所需的該金屬結構間的附著性，可選取自Cr?under?Au、Ti?under?Au、Ti?under?Cu、Ti-W?under?Au等。

5.如權利要求1所述的金屬微結構形成方法，其特征在于，該液體為溶劑，用以去除光阻及/或硬質蠟及/或高分子聚合物，該溶劑不會蝕刻該二層以上的金屬微結構。

6.如權利要求2所述的金屬微結構形成方法，其特征在于，該液體包含溶劑、以及蝕刻液，該溶劑用以去除光阻及/或硬質蠟及/或高分子聚合物，該溶劑不會蝕刻該二層以上的金屬微結構，且，以該蝕刻液移除該種子層。

7.如權利要求1或2所述的金屬微結構形成方法，其特征在于，，該基板是選取自硅基板、玻璃基板、或陶瓷基板。

8.如權利要求2所述的金屬微結構形成方法，其特征在于，該沉積的技術選取自蒸鍍、濺鍍、或無電鍍技術。

9.如權利要求3所述的金屬微結構形成方法，其特征在于，該批覆光阻的技術選取自spin?coating、spray?coating、lamination、或casting。

10.如權利要求3所述的金屬微結構形成方法，其特征在于，該批覆光阻為正型。

11.如權利要求3所述的金屬微結構形成方法，其特征在于，該批覆光阻為負型。

12.如權利要求3所述的金屬微結構形成方法，其特征在于，該烘烤的方式選取自加熱板直接加熱、烘箱、或紅外線加熱，該曝光的方式選取自X-ray?lithography、UV?lithography、或direct?write?e-beam。

13.如權利要求3所述的金屬微結構形成方法，其特征在于，該研磨加工的方式選取自機化學加工、機械研磨、或拋光。

14.如權利要求1或2或3所述的金屬微結構形成方法，其特征在于，該二層以上的金屬微結構選取自Au、Cu、Ni、Ni-Mn?alloy、Ni-Fe?alloy、Ni-Co?alloy、或Sn-Pb。

15.一種金屬微結構形成方法，為應用于微結構組件制造過程，其特征在于，該金屬微結構形成方法包含以下步驟：

準備一基板；

于該基板的表面上相繼形成二層以上的金屬微結構；

以反應性離子蝕刻去除該二層以上的金屬微結構以外的其它材料，且不會蝕刻該二層以上的金屬微結構；以及

于該基板上得到金屬微結構。