[發明專利]影像顯示系統有效
| 申請號: | 200910162728.3 | 申請日: | 2009-08-12 |
| 公開(公告)號: | CN101673757A | 公開(公告)日: | 2010-03-17 |
| 發明(設計)人: | 蘇伯昆;顏瑞祥;西川龍司 | 申請(專利權)人: | 統寶光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人: | 邱 軍 |
| 地址: | 中國臺灣新*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 影像 顯示 系統 | ||
技術領域
本發明涉及一種包含有機電激發光裝置的影像顯示系統。
背景技術
近年來,有機電激發光裝置(organic?light?emission?display,簡稱OLED) 已經被大量應用在各式各樣產品的顯示元件上,其具有自發光、高亮度、廣 視角、高應答速度及工藝容易等特性。然而,有機電激發光裝置的發光效率 仍有改善的空間,且有機電激發光裝置容易因水氣滲入而造成損壞,因此可 靠度仍不甚理想。
圖1繪示美國專利公開號US?20080129191A1的有機電激發光裝置元件 的剖面圖,其為一種下發光式有機電激發光裝置100,其結構除了一般有機 電激發光裝置的基板102、透明電極106、空穴注入層108、空穴傳輸層110、 藍色發光層112、綠色發光層114、紅色發光層116、電子傳輸層118、電子 注入層120和反射電極122以外,在基板102和透明電極106間設置光路徑 控制層104。然而,此技術的有機電激發光裝置的光路徑控制層104只有揭 示兩種特定厚度(660nm和750nm),且光路徑控制層104直接形成于基板 102之上,且有機電激材料膜層(包含空穴注入層108、空穴傳輸層110、藍 色發光層112、綠色發光層114、紅色發光層116、電子傳輸層118、及電子 注入層120)形成于光路徑控制層104之外。因此,光路徑控制層104并沒有 保護有機電激發光裝置的能力,遑論具有防止水氣滲入的功能。再者,該美 國專利并無進一步討論到如何解決該光路徑控制層104所造成的應力殘留的 問題。
因此,業界急需一種新穎的有機電激發光裝置,解決已知技術的問題。
發明內容
根據本發明提供一種影像顯示系統,包括:有機電激發光裝置,其包括: 第一電極;有機電激發光單元,設置于第一電極之上;第二電極,設置于有 機電激發光單元之上;以及,第一顏色調整單元,設置于第二電極之上,其 中第一顏色調整單元的厚度T1符合以下范圍:或
附圖說明
圖1為繪示已知的有機電激發光裝置的剖面圖。
圖2為繪示根據本發明實施例的有機電激發光裝置的剖面圖。
圖3為繪示根據本發明另一實施例的有機電激發光裝置的剖面圖。
圖4為繪示根據本發明實施例的有機電激發光裝置其顏色調整單元的厚 度和尖峰強度(peak?intensity)的關系圖。
圖5為繪示根據本發明又一實施例的有機電激發光裝置的剖面圖。
圖6為繪示根據本發明又一實施例的有機電激發光裝置的剖面圖。
圖7為繪示根據本發明又一實施例的有機電激發光裝置的剖面圖。
圖8為繪示根據本發明又一實施例的有機電激發光裝置的剖面圖。
圖9為繪示根據本發明實施例的具有彩色濾光基板的有機電激發光裝置 的剖面圖。
圖10為繪示根據本發明另一實施例的具有彩色濾光基板的有機電激發 光裝置的剖面圖。
圖11為繪示根據本發明又一實施例的具有彩色濾光基板的有機電激發 光裝置的剖面圖。
圖12為繪示根據本發明又一實施例的具有彩色濾光基板的有機電激發 光裝置的剖面圖。
圖13為繪示根據本發明實施例的影像顯示系統方塊示意圖。
附圖標記說明
100、200、400~有機電激發光裝置;
102、202、412~基板;??????????112、222~藍色發光層;
104~光路徑控制層;????????????114、224~綠色發光層;
106~透明電極;????????????????116、218~紅色發光層;
108、214~空穴注入層;?????????118、226~電子傳輸層;
110、216~空穴傳輸層;????????120、228~電子注入層;
122、212~反射電極(層);
204~第一電極;
206~有機電激發光單元;
208~第二電極;
210、236~顏色調整單元;
220~阻擋層;
230、232、234、240、242、610~顏色調整層;
238~應力釋放層;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





