[發明專利]半導體器件、含該半導體器件的半導體封裝及其制造方法

無效

• 申請號: 200910162143.1
• 申請日: 2009-08-05
• 公開（公告）號: CN101645443A
• 公開（公告）日: 2010-02-10
• 發明（設計）人: 金維植
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L21/60;H01L33/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 張 波

1.一種半導體器件，包括：

第一發光芯片，該第一發光芯片具有第一半導體層、第二半導體層以及設置在第一半導體層和第二半導體層之間的第一有源層；

設置在所述第一發光芯片上的第二發光芯片，該第二發光芯片具有第三半導體層、第四半導體層以及設置在第三半導體層和第四半導體層之間的第二有源層；和

導電層，設置在所述第一半導體層和所述第四半導體層之間，所述第一半導體層和所述第四半導體層具有不同的導電類型。

2.如權利要求1所述的半導體器件，還包括設置在所述導電層上的第一電極、設置在所述第三半導體層上的第二電極和設置在所述第二半導體層上的第三電極。

3.如權利要求2所述的半導體器件，其中所述第二電極和所述第三電極電連接。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述第二半導體層設置在基板上。

5.如權利要求4所述的半導體器件，其中所述基板包括半導體材料和導電材料的至少一種。

6.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述導電層是透明的。

7.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述導電層是反射的。

8.如權利要求2所述的半導體器件，其中所述第三電極是反射的。

9.如權利要求8所述的半導體器件，其中所述第三電極包括反射側壁。

10.如權利要求8所述的半導體器件，其中所述第三電極是平的。

11.如權利要求1所述的半導體器件，還包括設置在所述第四半導體層和所述導電層之間的通路。

12.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述第二發光芯片是豎直型發光芯片。

13.如權利要求1所述的半導體器件，還包括第三發光芯片，該第三發光芯片包括第五半導體層，所述第五半導體層設置在所述第三半導體層上，所述第五半導體層和所述第三半導體層具有不同的導電類型。

14.如權利要求1所述的半導體器件，還包括第三發光芯片，該第三發光芯片包括第五半導體層，所述第五半導體層設置在所述第三半導體層上，所述第五半導體層和所述第三半導體層具有相同的導電類型。

15.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一發光芯片和所述第二發光芯片被配置為交替地在交流電波形的各個交替的半周激勵，從而發光。

16.如權利要求1所述的半導體器件，其中與所述第二發光芯片交疊的所述第一發光芯片的輪廓與所述第二發光芯片的輪廓基本相同。

17.一種半導體封裝，包括：

設置在第一基板的第一表面上的第一導電墊和第二導電墊；

設置在所述第一基板的所述第一表面上的第一發光芯片，所述第一發光芯片具有第一半導體層、電連接到所述第二導電墊的第二半導體層以及設置在所述第一半導體層和第二半導體層之間的第一有源層；

設置在所述第一發光芯片上的第二發光芯片，所述第二發光芯片具有第三半導體層、第四半導體層以及設置在所述第三半導體層和所述第四半導體層之間的第二有源層；

設置在所述第一半導體層和所述第四半導體層之間的導電層，所述第一半導體層和所述第四半導體層具有不同的導電類型；

第一導線，連接所述第一導電墊與設置在所述導電層上的第一電極；和

第二導線，連接所述第二導電墊與設置在所述第三半導體層上的第二電極。

18.如權利要求17所述的半導體封裝，還包括設置在所述第二半導體層上的第三電極。

19.如權利要求17所述的半導體封裝，其中所述第二半導體層設置在包括半導體材料的第二基板上。

20.如權利要求17所述的半導體封裝，其中所述導電層是透明的。

21.如權利要求17所述的半導體封裝，其中所述導電層是反射的。

22.如權利要求17所述的半導體封裝，其中所述第二發光芯片是豎直型發光芯片。