[發(fā)明專利]薄膜晶體管基板及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910162048.1
• 申請日: 2009-08-10
• 公開（公告）號: CN101645423A
• 公開（公告）日: 2010-02-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔升夏;金湘甲;崔新逸;李基曄;楊東周;秦洪基;丁有光
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L21/768;H01L27/12;H01L23/528;G03F7/00;G03F7/36
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 張 波

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及薄膜晶體管(TFT)基板及其制造方法，更具體地，涉及一種制造簡單且成本降低的TFT基板，及該TFT基板的布線的制造方法。

背景技術(shù)

液晶顯示器(LCD)是最廣泛使用的平板顯示器之一。LCD可包括其上形成有電極的兩個(gè)基板以及設(shè)置在這兩個(gè)基板之間的液晶層。LCD施加電壓到電極以重置液晶層的液晶分子，從而控制穿過液晶層的光的量。

廣泛使用的LCD可包括其上形成電場產(chǎn)生電極的兩個(gè)基板。特別地，多個(gè)像素電極可以以矩陣形式布置在一個(gè)基板上(薄膜晶體管(TFT)基板)，公共電極可覆蓋另一基板(公共電極基板)的整個(gè)表面。LCD通過施加單獨(dú)的電壓到每個(gè)像素電極而顯示圖像。TFT，其是用于切換施加到每個(gè)像素電極的電壓的三端子器件，可連接到每個(gè)像素電極。另外，柵極線和數(shù)據(jù)線可形成在TFT基板上。柵極線傳送信號以分別控制TFT，數(shù)據(jù)線將電壓分別傳送到像素電極。

傳統(tǒng)的LCD可具有三層的信號傳輸線諸如柵極線或數(shù)據(jù)線。即，具有屏障特性的第二導(dǎo)電層可形成于具有低電阻率的第一導(dǎo)電層下方，與每個(gè)像素電極具有優(yōu)良接觸特性的第三導(dǎo)電層可形成于第一導(dǎo)電層上。然而，隨著形成每個(gè)信號傳輸線的層的數(shù)量增加，制造每個(gè)信號傳輸線所需的時(shí)間和成本也增加。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種能在降低的成本下被簡單制造的薄膜晶體管(TFT)基板。

本發(fā)明還提供一種制造TFT基板的方法。

以下將在說明書中闡述本發(fā)明的其它特征，部分特征根據(jù)說明書是顯而易見的或可通過實(shí)施本發(fā)明而了解。

本發(fā)明公開了一種制造TFT基板的方法。該方法包括：在絕緣基板上形成半導(dǎo)體層和導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層包括下層和上層；在導(dǎo)電層上形成光敏膜圖案，該光敏膜圖案包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，該第二區(qū)域形成于第一區(qū)域的兩側(cè)且比第一區(qū)域厚；使用光敏膜圖案作為蝕刻掩模來蝕刻導(dǎo)電層和半導(dǎo)體層；去除光敏膜圖案的第一區(qū)域；蝕刻上層的相應(yīng)于被去除的第一區(qū)域所處位置的部分；去除光敏膜圖案的第二區(qū)域；以及利用上層作為蝕刻掩模蝕刻下層的相應(yīng)于被去除的第一區(qū)域所處位置的部分。

本發(fā)明還公開了一種TFT基板，其包括：絕緣基板；在絕緣基板上沿第一方向延伸的柵極布線；在柵極布線上沿第二方向延伸且包括下層和上層的數(shù)據(jù)布線；以及設(shè)置在數(shù)據(jù)布線下方且除了溝道區(qū)之外與數(shù)據(jù)布線具有基本相同形狀的半導(dǎo)體圖案，其中數(shù)據(jù)布線頂表面的均方根粗糙度是3nm或更低。

將理解上述的一般性描述以及以下的詳細(xì)描述都是示例性的且易于提供對權(quán)利要求書所要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步解釋。

附圖說明

附圖，其被包括以提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解并被結(jié)合入說明書中且構(gòu)成說明書的一部分，示出了本發(fā)明的實(shí)施方式，并與描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。

圖1是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的薄膜晶體管(TFT)基板的平面圖；

圖2是沿圖1的線B-B’獲得的TFT基板的橫截面視圖；

圖3、圖4、圖5、圖6、圖7、圖8、圖9、圖10和圖11是沿圖1的線C-C’獲得的TFT基板的橫截面視圖，用于順序地解釋包括于根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的TFT基板的制造方法中的工藝；

圖12A示出了在表1的實(shí)驗(yàn)實(shí)例1、實(shí)驗(yàn)實(shí)例2和實(shí)驗(yàn)實(shí)例3實(shí)施的位置處數(shù)據(jù)布線頂表面的原子力顯微(AFM)圖像；

圖12B示出了在表1的實(shí)驗(yàn)實(shí)例4、實(shí)驗(yàn)實(shí)例5和實(shí)驗(yàn)實(shí)例6實(shí)施的位置處數(shù)據(jù)布線頂表面的AFM圖像；

圖13A示出了在表1的比較實(shí)驗(yàn)實(shí)例1、比較實(shí)驗(yàn)實(shí)例2和比較實(shí)驗(yàn)實(shí)例3實(shí)施的位置處數(shù)據(jù)布線頂表面的AFM圖像；

圖13B示出了在表1的比較實(shí)驗(yàn)實(shí)例4、比較實(shí)驗(yàn)實(shí)例5和比較實(shí)驗(yàn)實(shí)例6實(shí)施的位置處數(shù)據(jù)布線頂表面的AFM圖像。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)將參考其中示出本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的附圖在其后更加全面地描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式實(shí)現(xiàn)且不應(yīng)解釋為限于這里闡述的示例性實(shí)施方式。而是，提供這些示例性實(shí)施方式使得本公開充分和完整，且向那些本領(lǐng)域的技術(shù)人員全面地傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在附圖中，為了清晰夸大了層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。附圖中相似的附圖標(biāo)記指示相似的元件。

可以理解當(dāng)元件或?qū)颖环Q為在另一元件或?qū)印吧稀被蛘摺斑B接到”另一元件或?qū)訒r(shí)，它可以直接在其他元件或?qū)由希蛑苯舆B接到另一元件或?qū)樱蛘呖梢源嬖谥虚g的元件或?qū)印Ｏ喾矗?dāng)元件被稱為“直接”在其它元件“上”或“直接連接到”其它元件或?qū)訒r(shí)，則沒有中間元件或?qū)哟嬖凇?/p>