[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910161884.8
• 申請日: 2009-08-05
• 公開（公告）號: CN101887745A
• 公開（公告）日: 2010-11-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 徐雨玹;盧光明
• 申請（專利權(quán)）人: 海力士半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: G11C11/15
• 分類號: G11C11/15;G11C11/16;G11C7/06;G11C7/08
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 楊林森;康建峰

1.一種半導(dǎo)體存儲設(shè)備，包括：

多個存儲單元，配置為存儲具有依賴于在第一和第二電壓驅(qū)動線路之間流動的電流方向的邏輯狀態(tài)的數(shù)據(jù)；

電流產(chǎn)生器，配置為產(chǎn)生預(yù)定的讀取電流、向所述多個存儲單元施加所述預(yù)定的讀取電流并且產(chǎn)生依賴于所述數(shù)據(jù)的、與讀取電流的變化相對應(yīng)的數(shù)據(jù)電流；和

電流控制器，連接到讀取電流的電流路徑并且配置為控制讀取電流的電流量。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲設(shè)備，進一步包括配置為利用對應(yīng)于所述數(shù)據(jù)的功率來驅(qū)動第一和第二電壓驅(qū)動線路的寫入驅(qū)動器。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲設(shè)備，其中所述電流控制器包括：

控制信號產(chǎn)生器，配置為產(chǎn)生對應(yīng)于溫度信息的電流控制信號；和

電流調(diào)節(jié)器，配置為響應(yīng)于所述電流控制信號來調(diào)節(jié)讀取電流的電流量。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲設(shè)備，其中所述電流控制信號具有對應(yīng)于所述溫度信息的電壓電平。

5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲設(shè)備，其中所述控制信號產(chǎn)生器包括：

選擇信號產(chǎn)生器，配置為產(chǎn)生對應(yīng)于所述溫度信息的選擇信號；

電壓產(chǎn)生器，配置為產(chǎn)生多個偏壓；和

多路復(fù)用器，配置為對應(yīng)于所述選擇信號而輸出所述多個偏壓中的一個作為所述電流控制信號。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲設(shè)備，其中所述多個存儲單元中的每個包括：

開關(guān)，配置為響應(yīng)于地址來執(zhí)行切換操作；和

磁性隧道結(jié)器件，連接到所述開關(guān)。

7.一種半導(dǎo)體存儲設(shè)備，包括：

多個存儲單元，配置為存儲具有依賴于在源線和位線之間流動的電流方向的邏輯狀態(tài)的數(shù)據(jù)；

單元電流產(chǎn)生器，配置為產(chǎn)生預(yù)定的讀取電流、向所述多個存儲單元施加所述預(yù)定的讀取電流并且產(chǎn)生依賴于所述數(shù)據(jù)的、與讀取電流的變化相對應(yīng)的數(shù)據(jù)電流；

電流控制器，連接到讀取電流的電流路徑并且配置為依賴于溫度信息來控制讀取電流的電流量；

多個基準(zhǔn)存儲單元組，配置為存儲具有依賴于在基準(zhǔn)源線和基準(zhǔn)位線之間流動的電流方向的邏輯狀態(tài)的基準(zhǔn)數(shù)據(jù)；

基準(zhǔn)電流產(chǎn)生器，配置為產(chǎn)生預(yù)定的電流、向所述多個基準(zhǔn)存儲單元施加所述預(yù)定的電流并且產(chǎn)生對應(yīng)于所述基準(zhǔn)數(shù)據(jù)的基準(zhǔn)電流；

基準(zhǔn)電流控制器，配置為依照所述溫度信息來控制在所述基準(zhǔn)電流產(chǎn)生器中被施加到所述多個基準(zhǔn)存儲單元的電流；和

感測放大器，配置為感測并放大所述數(shù)據(jù)電流和所述基準(zhǔn)電流。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體存儲設(shè)備，進一步包括：

第一寫入驅(qū)動器，配置為利用對應(yīng)于所述數(shù)據(jù)的功率來驅(qū)動源線和位線；和

第二寫入驅(qū)動器，配置為根據(jù)對應(yīng)于所述基準(zhǔn)數(shù)據(jù)的功率來驅(qū)動基準(zhǔn)源線和基準(zhǔn)位線。

9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體存儲設(shè)備，其中所述電流控制器和所述基準(zhǔn)電流控制器中的每個包括電流調(diào)節(jié)器，所述電流調(diào)節(jié)器被配置為依賴于所述溫度信息來調(diào)節(jié)相應(yīng)電流的電流量。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體存儲設(shè)備，進一步包括配置為產(chǎn)生對應(yīng)于所述溫度信息的電流控制信號并控制所述電流調(diào)節(jié)器的控制信號產(chǎn)生器。

11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體存儲設(shè)備，其中所述電流控制信號具有對應(yīng)于所述溫度信息的電壓電平。

12.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體存儲設(shè)備，其中所述控制信號產(chǎn)生器包括：

選擇信號產(chǎn)生器，配置為產(chǎn)生對應(yīng)于所述溫度信息的選擇信號；

電壓產(chǎn)生器，配置為產(chǎn)生多個偏壓；和

多路復(fù)用器，配置為對應(yīng)于所述選擇信號來輸出所述多個偏壓中的一個。

13.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體存儲設(shè)備，其中所述多個存儲單元中的每個包括：

開關(guān)，配置為響應(yīng)于地址來執(zhí)行切換操作；和

磁性隧道結(jié)器件，連接到所述開關(guān)。

14.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體存儲設(shè)備，其中所述多個基準(zhǔn)存儲單元組中的每個包括：

第一和第二開關(guān)，配置為響應(yīng)于地址來執(zhí)行切換操作；和

第一和第二磁性隧道結(jié)器件，分別連接到第一和第二開關(guān)。

15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體存儲設(shè)備，其中所述第一和第二磁性隧道結(jié)器件存儲具有不同邏輯狀態(tài)的數(shù)據(jù)。