[發明專利]輔助振動阻尼型晶體振蕩器電路無效
| 申請號: | 200910161714.X | 申請日: | 2009-07-31 |
| 公開(公告)號: | CN101645691A | 公開(公告)日: | 2010-02-10 |
| 發明(設計)人: | 新井淳一 | 申請(專利權)人: | 日本電波工業株式會社 |
| 主分類號: | H03B5/36 | 分類號: | H03B5/36 |
| 代理公司: | 北京泛誠知識產權代理有限公司 | 代理人: | 文 琦;陳 波 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 輔助 振動 阻尼 晶體振蕩器 電路 | ||
1.一種輔助振動阻尼型晶體振蕩器電路,包括:
包括起電感器元件作用的晶體單元、以及第一和第二電容器的振蕩諧振電路;以及
通過所述振蕩諧振電路使振蕩頻率反饋放大的振蕩晶體管,
其中所述輔助振動阻尼型晶體振蕩器電路形成為柯匹茲型振蕩器電路,其中所述晶體單元連接在所述振蕩晶體管的基極端子和集電極端子之間,所述第一電容器連接在所述振蕩晶體管的發射極端子和和集電極端子之間,而所述第二電容器連接在所述振蕩晶體管的發射極端子和基極端子之間,
其中所述輔助振動阻尼型晶體振蕩器電路構造成將在該晶體單元的主振動模式中的振動頻率設置為振蕩頻率,并且衰減在接近該主振動模式的輔助振動模式中的振動頻率上的振蕩,
其中所述振蕩晶體管的所述發射極端子和所述集電極端子之間的區域,或所述發射極端子和所述基極端子之間的區域包括電抗并聯電路,其中包括電感器和電容器的LC串聯電路以并聯方式連接于所述第一或第二電容器,
其中所述電抗并聯電路具有在所述主振動模式中的振蕩頻率上使所述電抗并聯電路變成電容性的諧振特性,并且所述LC串聯電路的諧振頻率對應于所述輔助振動模式中的所述振動頻率。
2.根據權利要求1所述的輔助振動阻尼型晶體振蕩器電路,
其中所述LC串聯電路的所述諧振頻率高于所述電抗并聯電路的諧振頻率。
3.根據權利要求1所述的輔助振動阻尼型晶體振蕩器電路,
其中所述晶體單元形成為SC切割晶體元件,
其中所述主振動模式是C模式,而所述輔助振動模式是B模式,并且
其中所述B模式接近所述C模式的較高頻側,以產生振蕩。
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