[發明專利]液晶顯示器無效
| 申請號: | 200910161647.1 | 申請日: | 2009-07-24 |
| 公開(公告)號: | CN101963728A | 公開(公告)日: | 2011-02-02 |
| 發明(設計)人: | 施博盛;林俊雄 | 申請(專利權)人: | 瀚宇彩晶股份有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 蹇煒 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 液晶顯示器 | ||
技術領域
本發明涉及液晶顯示器,且特別涉及一種具高分辨率的薄膜晶體管液晶顯示器。
背景技術
現行高分辨率彩色顯示器,由于功耗很低,適用于使用各種電子設備。而為了得到廣視角(wide?viewing?angle),由富士通所發展的多象限垂直配向(Multi-domain?Vertical?Alignment,MVA)可獲178度的視角。對比方面也比其它廣視角技術高。
而為人所熟知的,多象限垂直配向為液晶顯示器光學補償的一種技術,主要是將像素分割成四份,并變化各個領域分子的傾斜方位的多象限(Multi-Domain)方法,使得視角依賴性產生均勻化且可解決因角度所產生的色相變化問題。但不幸的是,采用Multi-Domain方法會在斜視時對膚色(skin?color)及藍色(sky?color)會產生色偏(color?washout)。
承上所述,圖1繪示使用MVA技術的液晶分子的灰階電壓與透射率的關系圖,其中橫軸表示液晶分子的灰階電壓,單位為伏特(V),以及縱軸表示透射率(transmittance)。當人眼正視此液晶顯示器時,其透射率與電壓的關系曲線是以虛線101表示,當所施加的灰階電壓增加時,其透射率隨之改變。而當人眼以一傾斜角度斜視此液晶顯示器,其透射率與電壓的關系曲線是以虛線102表示,雖然施加電壓增加,其透射率亦隨之改變,但在區域100中,其透射率的變化并未如正視時隨著施加電壓的增加而等量增加,也就是會產生不等量色相變化,此為造成色偏的主因。
因此,一種解決前述色偏的缺陋已被提出,主要將像素分割八份(亦為八個象限(Domain),(4azimuthal×2polar?angle)這些象限系根據部分呈水平狀的公共電極(common?electrode)及呈垂直狀的次像素電極(pixel?electrode)而被調整。較詳細地敘述為,如圖2A所示,此公共電極201包含第一垂直部201a、第二垂直部201b及第一水平部201c,此次像素電極202包含第一水平部202a及垂直部202b。而電壓未施加在公共電極201及次像素電極202時,液晶模塊400呈初始狀態。
如圖2B所示,而當外加電壓施加在公共電極201及次像素電極202時,則第一電場300a及第二電場300b會被產生,因而液晶模塊400沿著第一電場300a及第二電場300b會有轉向的情況發生。隨著電壓的增加,此液晶模塊400會朝著已產生的該電場的軸向呈一致的方向。然而,當第一電場300a產生與該次像素電極202的第一水平部202a呈135角度且第二電場300b產生與該次像素電極202的第一垂直部202b呈45度角度時,相應地,此液晶模塊400也隨之重新排列,此結果,不因較高的電壓施加下,而造成透射率減少。
而現有夏普(sharp)美國專利申請號為20050122441采用8-Domain技術,如圖3所示,此圖繪示液晶顯示器的像素50(pixel)的等效電路。像素50(R像素或G像素或B像素)可劃分為兩次像素(sub?pixel),此第一次像素51及第二次像素52包含各自的薄膜晶體管511及薄膜晶體管512、其與各該薄膜晶體管511及512相應連的次像素電極(pixel?electrode)513及514、與各該次像素電極513及514相連的存儲電容(storage?capacitor)515及516、通過各該次像素電極513及514與各該存儲電容515及516并聯的液晶電容517及518,以及與各該液晶電容517及518相連的對向電極(counterelectrode)519及520,亦稱公共電極Vcom。由圖中可知,該薄膜晶體管511及512的各柵極端與一條公共掃描線(common?scan?line)亦稱之為柵極總線530(gate?busline)相連接,而依據公共掃描信號而決定打開或關閉狀態,及其各源極端與數據線(data?line)531連接。各該存儲電容515及516的一端通過相應的次像素電極513及514與該薄膜晶體管511及512相連,及另一端則通過該存儲電容的存儲電容對向電極與存儲電容線(capacitor?line)532及533連接,且該存儲電容對向電極通過該存儲電容線532及533接收不同的存儲電容對向電壓。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于瀚宇彩晶股份有限公司,未經瀚宇彩晶股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910161647.1/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





