[發明專利]半導體裝置及半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 200910161498.9
• 申請日: 2009-08-06
• 公開（公告）號: CN101645462A
• 公開（公告）日: 2010-02-10
• 發明（設計）人: 山崎舜平;宮入秀和;宮永昭治;秋元健吾;白石康次郎
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/06;H01L29/36;H01L27/02;H01L21/34;G02F1/1368
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 劉 倜

1.一種半導體裝置，包括：

薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括：

源電極層和漏電極層；

所述源電極層和所述漏電極層上的具有n型導電型的第一 緩沖層；

在所述第一緩沖層上的具有n型導電型的第二緩沖層；

所述第二緩沖層上的半導體層；

所述半導體層上的柵極絕緣層；以及

所述柵極絕緣層上的柵電極層，

其中，所述半導體層和所述第一緩沖層是氧化物半導體層，

每一所述氧化物半導體層包括銦、鎵和鋅，

所述第一緩沖層的載流子濃度高于所述第二緩沖層的載流子濃 度，

所述第二緩沖層的載流子濃度高于所述半導體層的載流子濃度， 并且

所述源電極層和所述漏電極層隔著夾在所述源電極層或所述漏 電極層與所述半導體層之間的所述第一緩沖層和所述第二緩沖層分 別電連接到所述半導體層。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述第一緩沖層覆蓋 所述源電極層的端部和所述漏電極層的端部。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述第一緩沖層含有 賦予n型導電型的雜質元素。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述半導體層的載流 子濃度低于1×10¹⁷atoms/cm³，并且所述第二緩沖層的載流子濃度為 1×10¹⁸atoms/cm³以上。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述源電極層和所述 漏電極層含有鈦。

6.一種半導體裝置，包括：

薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括：

源電極層和漏電極層；

所述源電極層和所述漏電極層上的具有n型導電型的第一 緩沖層；

在所述第一緩沖層上的具有n型導電型的第二緩沖層；

所述第二緩沖層上的半導體層；

所述半導體層上的柵極絕緣層；以及

所述柵極絕緣層上的柵電極層，

其中，所述半導體層和所述第一緩沖層是氧化物半導體層，

所述柵電極層不與所述源電極層和所述漏電極層重疊，

所述第一緩沖層的載流子濃度高于所述第二緩沖層的載流子濃 度，

所述第二緩沖層的載流子濃度高于所述半導體層的載流子濃度，

并且，所述源電極層和所述漏電極層隔著夾在所述源電極層或所 述漏電極層與所述半導體層之間的所述第一緩沖層和所述第二緩沖 層分別電連接到所述半導體層。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其中所述第一緩沖層覆蓋 所述源電極層的端部和所述漏電極層的端部。

8.根據權利要求6所述的半導體裝置，其中所述第一緩沖層含有 賦予n型導電型的雜質元素。

9.根據權利要求6所述的半導體裝置，其中所述半導體層的載流 子濃度低于1×10¹⁷atoms/cm³，并且所述第二緩沖層的載流予濃度為 1×10¹⁸atoms/cm³以上。

10.根據權利要求6所述的半導體裝置，其中所述源電極層和所 述漏電極層含有鈦。

11.根據權利要求6所述的半導體裝置，其中所述氧化物半導體 層含有銦、鎵以及鋅。