[發明專利]納米結構的制備方法無效
| 申請號: | 200910161447.6 | 申請日: | 2009-07-21 |
| 公開(公告)號: | CN101734618A | 公開(公告)日: | 2010-06-16 |
| 發明(設計)人: | 王佳平;溫佳佳;程群峰;姜開利;李群慶;范守善 | 申請(專利權)人: | 清華大學;鴻富錦精密工業(深圳)有限公司 |
| 主分類號: | B82B3/00 | 分類號: | B82B3/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 100084 北京市海淀區清華園1*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 納米 結構 制備 方法 | ||
1.一種納米結構的制備方法,其包括以下步驟:
提供一至少部分懸空設置的碳納米管結構;
向該碳納米管結構引入反應原料;以及
引發反應原料進行反應,在該碳納米管結構表面形成納米結構。
2.如權利要求1所述的納米結構的制備方法,其特征在于,所述碳納米管結構包括多個碳納米管均勻分布組成層狀結構。
3.如權利要求1所述的納米結構的制備方法,其特征在于,所述碳納米管結構包括至少一碳納米管膜、至少一碳納米管線狀結構或其任意組合。
4.如權利要求3所述的納米結構的制備方法,其特征在于,所述碳納米管膜包括多個碳納米管基本相互平行且平行于碳納米管膜表面。
5.如權利要求4所述的納米結構的制備方法,其特征在于,所述碳納米管膜包括多個碳納米管通過范德華力首尾相連且基本沿同一方向擇優取向排列。
6.如權利要求3所述的納米結構的制備方法,其特征在于,所述碳納米管膜包括多個碳納米管相互纏繞。
7.如權利要求3所述的納米結構的制備方法,其特征在于,所述碳納米管線狀結構包括至少一碳納米管線,所述碳納米管線包括多個碳納米管沿該碳納米管線長度方向平行排列或呈螺旋狀排列。
8.如權利要求7所述的納米結構的制備方法,其特征在于,所述碳納米管線狀結構包括多個碳納米管線基本相互并排組成束狀結構或多個碳納米管線相互纏繞組成絞線結構。
9.如權利要求3所述的納米結構的制備方法,其特征在于,所述碳納米管結構包括多個碳納米管線狀結構相互平行設置、相互交叉設置或相互編織設置。
10.如權利要求1所述的納米結構的制備方法,其特征在于,所述至少部分懸空設置的碳納米管結構的制備方法包括以下步驟:提供一支撐體;將該碳納米管結構設置于該支撐體表面,并通過該支撐體至少部分懸空設置。
11.如權利要求1所述的納米結構的制備方法,其特征在于,所述向該碳納米管結構引入反應原料的方法包括以下步驟:在該碳納米管結構表面形成一第一反應原料層;在該第一反應原料層上形成一第二反應原料層,所述第一反應原料層與第二反應原料層的總厚度為50納米~200納米。
12.如權利要求11所述的納米結構的制備方法,其特征在于,所述第一反應原料層為金屬層,第二反應原料層為硅層或金屬層。
13.如權利要求1所述的納米結構的制備方法,其特征在于,所述向該碳納米管結構引入反應原料的方法包括以下步驟:在該碳納米管結構表面形成一層厚度為50納米~200納米的第一反應原料層;向該碳納米管結構引入氣態或液態的第二反應原料。
14.如權利要求13所述的納米結構的制備方法,其特征在于,所述第一反應原料層為金屬層或硅層,所述氣態的第二反應原料為氧氣、氮氣、硅源氣體及碳源氣體中的一種或多種。
15.如權利要求13所述的納米結構的制備方法,其特征在于,所述液態的第二反應原料為甲醇、乙醇、丙酮及液態樹脂等中的一種或多種。
16.如權利要求1所述的納米結構的制備方法,其特征在于,所述向該碳納米管結構引入反應原料的方法為向該碳納米管結構引入兩種氣態反應原料、兩種液態反應原料或一種氣態反應原料與一種液態反應原料。
17.如權利要求1所述的納米結構的制備方法,其特征在于,所述引發反應原料進行反應形成納米結構的方法包括加熱、電火花以及激光掃描中的一種或多種。
18.如權利要求17所述的納米結構的制備方法,其特征在于,所述采用激光掃描引發反應原料進行反應形成納米結構的方法包括:采用激光掃描碳納米管結構的整個表面,使碳納米管結構表面的反應原料進行反應,或采用激光掃描碳納米管結構的部分表面,使碳納米管結構表面的反應原料進行自擴散反應。
19.如權利要求1所述的納米結構的制備方法,其特征在于,所述碳納米管結構包括多個碳納米管,所述納米結構形成于所述碳納米管結構中的碳納米管表面。
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