[發(fā)明專利]半導體薄膜形成方法和半導體薄膜檢查裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910161384.4
• 申請日: 2009-08-12
• 公開（公告）號: CN101651093A
• 公開（公告）日: 2010-02-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 尼子博久;梅津暢彥
• 申請（專利權(quán)）人: 索尼株式會社
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20;H01L21/268;H01L21/66;G01N21/84
• 代理公司: 北京信慧永光知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司
• 代理人: 陳桂香;武玉琴

1.一種半導體薄膜形成方法，所述半導體薄膜形成方法包括：

在透明基板上形成非晶半導體薄膜的步驟；

通過用激光照射所述非晶半導體薄膜來進行熱處理，使所述非晶半 導體薄膜結(jié)晶化從而形成結(jié)晶半導體薄膜的步驟；以及

用于檢查所述結(jié)晶半導體薄膜的檢查步驟，

其中，所述檢查步驟是檢查所述結(jié)晶半導體薄膜的結(jié)晶度的步驟， 所述檢查步驟包括：通過從所述透明基板的背側(cè)用光照射所述結(jié)晶半導 體薄膜并進行攝像來獲得所述結(jié)晶半導體薄膜的透射圖像的步驟，以及 基于所獲得的透射圖像對所述結(jié)晶半導體薄膜進行篩選的篩選步驟，

所述半導體薄膜形成方法還包括基于所獲得的透射圖像產(chǎn)生輝度分 布的步驟，并且在所述篩選步驟中，利用所產(chǎn)生的輝度分布對所述結(jié)晶 半導體薄膜進行篩選。

2.如權(quán)利要求1所述的半導體薄膜形成方法，其中，在所述篩選步 驟中，基于所述輝度分布計算輝度的標準偏差，并根據(jù)所述標準偏差對 所述結(jié)晶半導體薄膜進行篩選。

3.如權(quán)利要求2所述的半導體薄膜形成方法，其中，

在所述篩選步驟中，在所述標準偏差低于給定閾值的情況下，作出 所述結(jié)晶半導體薄膜是合格品的判定，而

在所述標準偏差等于或者大于所述給定閾值的情況下，作出所述結(jié) 晶半導體薄膜是不合格品的判定。

4.如權(quán)利要求1所述的半導體薄膜形成方法，其中，在所述篩選步 驟中，基于所述輝度分布計算輝度峰的峰寬，并根據(jù)所述峰寬對所述結(jié) 晶半導體薄膜進行篩選。

5.如權(quán)利要求4所述的半導體薄膜形成方法，其中，

在所述篩選步驟中，在所述峰寬大于給定閾值的情況下，作出所述 結(jié)晶半導體薄膜是合格品的判定，而

在所述峰寬等于或者小于所述給定閾值的情況下，作出所述結(jié)晶半 導體薄膜是不合格品的判定。

6.如權(quán)利要求1所述的半導體薄膜形成方法，其中，在所述篩選步 驟中，基于所述輝度分布計算輝度的最小值，并根據(jù)所述最小值對所述 結(jié)晶半導體薄膜進行篩選。

7.如權(quán)利要求6所述的半導體薄膜形成方法，其中，

在所述篩選步驟中，在所述最小值大于給定閾值的情況下，作出所 述結(jié)晶半導體薄膜是合格品的判定，而

在所述最小值等于或者小于所述給定閾值的情況下，作出所述結(jié)晶 半導體薄膜是不合格品的判定。

8.如權(quán)利要求1所述的半導體薄膜形成方法，其中，在所述篩選步 驟中，基于所獲得的透射圖像來獲得結(jié)晶化區(qū)域的寬度，并根據(jù)所述結(jié) 晶化區(qū)域的寬度來檢查所述結(jié)晶半導體薄膜的結(jié)晶化狀態(tài)。

9.如權(quán)利要求1所述的半導體薄膜形成方法，其中，在所述篩選步 驟中，基于所獲得的透射圖像分別獲得結(jié)晶化區(qū)域與先前設(shè)定的給定參 考圖形之間的距離及方向，并基于所述距離和所述方向來檢查所述結(jié)晶 半導體薄膜的結(jié)晶化狀態(tài)。

10.如權(quán)利要求1所述的半導體薄膜形成方法，其中，在所述篩選 步驟中，基于所獲得的透射圖像來獲得空間上的輝度分布，并基于所述 空間上的輝度分布來檢查所述結(jié)晶半導體薄膜中的物理損壞部分。

11.如權(quán)利要求1所述的半導體薄膜形成方法，其中，在獲得所述 透射圖像的步驟中，使用綠色波長范圍內(nèi)的光作為用于所述結(jié)晶半導體 薄膜的照射光。

12.如權(quán)利要求1所述的半導體薄膜形成方法，其中，在形成所述 結(jié)晶半導體薄膜的步驟中，使用多個激光光源進行激光照射，由此進行 熱處理。

13.如權(quán)利要求1所述的半導體薄膜形成方法，其中，在形成所述 結(jié)晶半導體薄膜的步驟中，使用半導體激光光源進行激光照射。

14.如權(quán)利要求1所述的半導體薄膜形成方法，其中，所述結(jié)晶半 導體薄膜被用來形成薄膜晶體管。

15.如權(quán)利要求1所述的半導體薄膜形成方法，其中，所述結(jié)晶半 導體薄膜是Si薄膜。