[發明專利]集成電路的制造方法

有效

• 申請號: 200910161288.X
• 申請日: 2009-07-28
• 公開（公告）號: CN101877326A
• 公開（公告）日: 2010-11-03
• 發明（設計）人: 傅學弘;謝宗甫;張志維;陳世昌
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/00
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 姜燕;陳晨

1.一種集成電路的制造方法，包括：

形成一硅化物區域于一半導體基底上；

實施一電子束掃描于該半導體基底，其中該電子束掃描包括一第一掃描和一第二掃描，其中該第一掃描比該第二掃描具有較低的著陸能量；以及

在實施該電子束掃描后，形成一導電栓耦接該硅化物區域。

2.如權利要求1所述的集成電路的制造方法，其中該第一掃描包括監控該硅化物區域的一物理性質，其包括形成于該半導體基底上的一開口中的硅化物量。

3.如權利要求1所述的集成電路的制造方法，其中該第二掃描是于著陸能量大抵介于500至700ev的范圍中實施，以及其中該第一掃描是于著陸能量大抵于300eV實施。

4.如權利要求1所述的集成電路的制造方法，其中該第一掃描提供一明硅化物圖像以及一暗硅化物圖像，以及其中該第二掃描提供一暗硅化物圖像。

5.如權利要求4所述的集成電路的制造方法，還包括：

分析由該第一掃描所提供的明硅化物圖像，其中該分析明硅化物圖像的步驟包括：

決定一明硅化物圖像計量；

實施一明硅化物圖像灰度分析；以及

實施一背景灰度監控。

6.一種集成電路的制造方法，包括：

形成一硅化物區域于一半導體基底上；

實施一第一電子束掃描于該半導體基底，其中該第一電子束掃描提供一明硅化物圖像以及一暗硅化物圖像；以及

實施一第二電子束掃描于該半導體基底，其中該第二電子束掃描提供一暗硅化物圖像。

7.如權利要求6所述的集成電路的制造方法，還包括：

在實施該第一和第二電子束掃描后，形成一導電栓耦接該硅化物區域，其中該形成導電栓步驟包括實施一化學機械研磨工藝。

8.如權利要求6所述的集成電路的制造方法，還包括：

于化學機械研磨工藝后接著實施一第三電子束掃描，其中該第三電子束掃描提供一明電壓對比圖像和一暗電壓對比圖像。

9.如權利要求6所述的集成電路的制造方法，還包括：

指認出于該半導體基底上的一缺陷，其中該缺陷為該半導體基底中的一差排，以及其中該缺陷是使用該明硅化物圖像所決定。

10.一種集成電路的制造方法，包括：

實施一第一電子束掃描于一半導體基底，其中該第一電子束掃描是處于一第一著陸能量；以及

實施一第二電子束掃描于該半導體基底，其中該第二電子束掃描是處于一第二著陸能量，以及其中該第二著陸能量高于該第一著陸能量，以及其中該第一和第二電子束掃描的至少其中之一包括掃描該半導體基底以監控一背景灰度值。

11.如權利要求10所述的集成電路的制造方法，其中該第二著陸能量包括掃描該半導體基底以監控該背景灰度值。

12.如權利要求10所述的集成電路的制造方法，其中該第一電子束掃描提供一明硅化物圖像，以及其中該第二電子束掃描提供一暗硅化物圖像。