[發明專利]陣列基板

有效

• 申請號: 200910161274.8
• 申請日: 2009-07-28
• 公開（公告）號: CN101639597A
• 公開（公告）日: 2010-02-03
• 發明（設計）人: 劉惠蘭;嚴允成;金壽楨;柳在鎮;樸乘范
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/133
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 張 波

技術領域

本發明涉及陣列基板、制造陣列基板的方法以及具有該陣列基板的液晶 顯示(LCD)裝置。更具體地，本發明的示范性實施例涉及具有改善的顯示 質量的陣列基板、制造該陣列基板的方法以及具有該陣列基板的LCD裝置。

背景技術

移動構圖垂直配向(mPVA)模式的LCD裝置(下文中被稱為mPVA?LCD 裝置)可以具有其中施加圓偏振且透射率相對優于其它模式的光模式(optical mode)。

與施加線偏振的PVA模式相比，具有圓偏振光模式的mPVA?LCD裝置 會具有涉及視覺特性或者對比度的缺點。然而，線偏振PVA模式的透射率 會低于圓偏振PVA模式的透射率。

因此，當線偏振光模式可應用于mPVA模式時，像素的開口率可以很大， 且液晶指向矢可以相對于偏振器的偏振軸形成約45度的角度，從而改善透 射率。

然而，在濾色器基板的公共電極上形成狹長切口部時，線偏振mPVA模 式的液晶由雜散場控制。因此，線偏振mPVA模式是不利的，會降低透射率。

為了解決這些問題，可以采用微狹長切口模式，在該微狹長切口模式中 狹長切口形成在陣列基板的像素電極上，而不是形成在公共電極上。然而， 微狹長切口模式具有不利之處：難以控制形成在像素電極上的微狹長切口邊 緣處或者微狹長切口之間的液晶，因此而會使LCD裝置的顯示質量退化。

發明內容

本發明提供一種改善顯示質量的陣列基板。

本發明還提供制造上述陣列基板的方法。

本發明還提供具有上述陣列基板的液晶顯示(LCD)裝置。

本發明的其它特征將在下面的描述中闡述且在下面的描述中部分顯見， 或者可以通過實踐本發明而知悉。

本發明揭示了一種包括基板、像素電極和屏蔽電極的陣列基板。基板包 括彼此交叉且彼此絕緣的柵極線和數據線，以及連接到布置在其上的柵極線 和數據線的開關元件。像素電極包括輪廓部、多個連接部和多個狹長切口部。 輪廓部沿著數據線和柵極線設置在基板上。連接部在與數據線交叉的方向及 與柵極線交叉的方向上延伸，并且連接到輪廓部。連接部將輪廓部限定的像 素區域分成多個域。狹長切口部從每個域中的連接部的側表面突出，并且狹 長切口部連接到輪廓部。屏蔽電極分別在數據線上沿著輪廓部及在柵極線上 沿著輪廓部設置，以屏蔽數據線和柵極線。屏蔽電極設置在數據線和輪廓部 之間。

本發明揭示了一種制造陣列基板的方法，包括在基板上形成開關元件、 像素電極和屏蔽電極。開關元件連接到柵極線和數據線。像素電極包括沿著 數據線和柵極線形成在基板上的輪廓部、將由輪廓部限定的像素區域分成多 個域的多個連接部。連接部在與數據線交叉的方向和與柵極線交叉的方向上 延伸，并且連接到輪廓部，從每個域中的連接部的側表面突出多個狹長切口 部，其中狹長切口部連接到輪廓部。屏蔽電極分別在數據線上沿著輪廓部及 在柵極線上沿著輪廓部形成，以屏蔽數據線和柵極線，并且屏蔽電極設置在 數據線和輪廓部之間。

本發明揭示了一種LCD裝置，包括第一基板、第二基板和液晶層。第 一基板包括上基板和公共電極。第二基板包括下基板、像素電極和屏蔽電極。 下基板具有連接到設置在其上的柵極線和數據線的開關元件。像素電極包括 輪廓部、連接部和狹長切口部。輪廓部沿著數據線和柵極線設置。連接部分 別在與數據線和柵極線交叉的方向上延伸，以連接到輪廓部。狹長切口部從 連接部的側表面突出以連接到輪廓部。屏蔽電極分別在數據線上沿著輪廓部 及在柵極線上沿著輪廓部設置，以屏蔽數據線和柵極線，并且設置在數據線 和輪廓部之間。液晶層設置在像素電極和公共電極之間。

應當理解的是，前面的總體描述和下面的詳細描述都是示范性和說明性 的，并且旨在對如權利要求所述的本發明提供進一步的說明。

附圖說明

包括附圖以提供對本發明的進一步理解，這些附圖被并入、并構成本說 明書的一部分，其圖解了本發明的實施例，并與描述一起用于說明本發明的 原理。

圖1是示出根據本發明示范性實施例的液晶顯示(LCD)裝置的平面圖；

圖2是示出圖1所示的像素區域的示例的放大平面圖；

圖3是沿圖2中的I-I’線剖取的截面圖；

圖4A、圖4B、圖4C、圖4D、圖4E、圖4F、圖4G、圖4H和圖4I是 示出制造圖1、圖2和圖3所示陣列基板的工藝的截面圖；