[發明專利]具有帶有不同大氣內壓力的空腔的微機械裝置

有效

• 申請號: 200910161124.7
• 申請日: 2009-08-04
• 公開（公告）號: CN101643193A
• 公開（公告）日: 2010-02-10
• 發明（設計）人: J·貢斯卡;R·豪斯納
• 申請（專利權）人: 羅伯特.博世有限公司
• 主分類號: B81B7/02
• 分類號: B81B7/02;B81C1/00
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 曾 立

1.具有一基底晶片(10)的微機械裝置，至少具有一個第一空腔(21) 和一個第二空腔(22)，其中這些空腔密封地彼此分開，其中所述第一空腔 (21)具有不同于所述第二空腔(22)的一大氣內壓力，其特征在于，這 些空腔借助一薄層罩(100)被封裝，其中，所述薄層罩(100)至少具有 一個第一薄層(50)、一個沉積在所述第一薄層(50)上的第二薄層(60) 和一個沉積在所述第二薄層(60)上的第三薄層(70)，其中，所述第一薄 層(50)緊鄰地設置在所述第一和第二空腔(21，22)之上并且具有至所 述第一空腔(21)的第一入口(56)和至所述第二空腔(22)的第二入口 (57)，所述第二薄層(60)封閉所述第二入口(57)，所述第三薄層(70) 封閉所述第一入口(56)。

2.根據權利要求1所述的微機械裝置，其特征在于，這些第一入口(56) 具有比這些第二入口(57)大的直徑。

3.用于制造具有一基底晶片(10)的微機械裝置的方法，該微機械裝 置至少具有一個第一空腔(21)和一個第二空腔(22)，其中這些空腔密封 地彼此分開，其中所述第一空腔(21)具有不同于所述第二空腔(22)的 一大氣內壓力，其特征在于以下制造步驟：

(A)提供一具有第一和第二微機械結構(11和12)的基底晶片(10)， 所述第一和第二微機械結構被第一和第二犧牲層區域(13和14)覆蓋；

(B)在所述基底晶片(10)以及所述第一和第二犧牲層區域(13和 14)上沉積一個第一薄層(50)；

(C)在所述第一薄層(50)中生成延伸直到所述第一犧牲層區域(13) 的第一入口(56)，以及在所述第一薄層(50)中生成延伸直到所述第二犧 牲層區域(14)的第二入口(57)；

(D)通過所述第一和第二入口(56和57)引入一蝕刻介質并且選擇 性地蝕刻所述第一和第二犧牲層區域(13和14)，從而構成第一和第二空 腔(21和22)；

(E)在所述第一薄層(50)上沉積一第二薄層(60)，并且由此利用 該第二薄層(60)來封閉至所述第二空腔(22)的所述第二入口(57)；

(F)在所述第二薄層(60)上沉積一第三薄層(70)，并且由此利用 該第三薄層(70)來封閉至所述第一空腔(21)的所述第一入口(56)。

4.根據權利要求3所述的用于制造微機械裝置的方法，其特征在于， 在所述制造步驟(C)中，以比所述第二入口(57)大的直徑生成所述第一 入口(56)。

5.根據權利要求3或4所述的用于制造微機械裝置的方法，其特征在 于，在所述制造步驟(E)中，通過沉積所述第二薄層(60)使所述第一入 口(56)變窄。