[發明專利]一種發光二極管芯片及其制備方法

無效

• 申請號: 200910160996.1
• 申請日: 2009-07-29
• 公開（公告）號: CN101615611A
• 公開（公告）日: 2009-12-30
• 發明（設計）人: 樊邦揚;翁新川
• 申請（專利權）人: 鶴山麗得電子實業有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L33/00;H01L21/48;H01L21/50
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• 代理人: 暫無信息

1、一種發光二極管芯片，包括熱沉基板(1)、設置在該熱沉基板(1)上的金屬接合層(3)及裝置在所述熱沉基板(1)上方的裸芯(4)，其中，所述裸芯(4)包括：n型半導體層(44)及依次疊加于該n型半導體層(44)上的發光層(43)、p型半導體層(42)、反射層(41)以及形成于所述n型半導體層(44)上的電極層(45)，其特征在于：所述金屬接合層(3)包括彼此分隔地設置于所述熱沉基板(1)上表面的并可與外接電源線連接的第一接合層(31)和第二接合層(32)，且所述第一接合層(31)與所述反射層(41)接合，所述第二接合層(32)與所述電極層(45)接合，所述熱沉基板(1)至少將其上表面與金屬接合層(3)的接觸部分設為絕緣部分，所述裸芯(4)通過所述第一接合層(31)和第二接合層(32)與外接電源線的連接而形成熱電分離的電流通路。

2、根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于上述熱沉基板(1)為由絕緣材料制成的絕緣板。

3、根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于上述熱沉基板(1)為由導電材料制成的底板(12)及位于所述底板(12)上的用于將該底板(12)與上述金屬接合層(3)隔離的絕緣層(11)形成。

4、根據權利要求3所述的發光二極管芯片，其特征在于上述第一接合層(31)包括位于上述熱沉基板(1)上表面的圓形中央部分(301)及從該圓形中央部分(301)的一側向上述裸芯(4)外延伸的用于與外接電源線連接的引出部分(302)和焊線部分(303)，上述第二接合層(32)呈不完全包圍狀圍繞在第一接合層(31)的周圍，上述反射層(41)、p型半導體層(42)、發光層(43)為圓形且相應疊裝于上述n型半導體層(44)的中央部分并與上述第一接合區(31)的圓形中央部分接合，上述電極層(45)形成于上述n型半導體層(44)的周圍并與上述反射層(41)、p型半導體層(42)、發光層(43)彼此分隔，且所述電極層(45)對應上述第一接合層(31)引出部分(302)的位置開有防止電路短路的槽口(47)。

5、根據權利要求4所述的發光二極管芯片，其特征在于上述第一接合層(31)的圓形中央部分(301)為凸設于上述熱沉基板(1)上表面的圓形凸臺。

6、根據權利要求4或5所述的發光二極管芯片，其特征在于上述電極層(45)與疊裝在一起的反射層(41)、p型半導體層(42)、發光層(43)之間的距離相等。

7、根據權利要求3所述的發光二極管芯片，其特征在于上述第一接合層(31)和第二接合層(32)呈左、右排列地分布于上述熱沉基板(1)上，上述反射層(41)、p型半導體層(42)、發光層(43)疊裝于上述n型半導體層(44)上對應第一接合層(31)的位置，上述電極層(45)形成于上述n型半導體層(44)上對應第二接合層(32)的位置并與上述反射層(41)、p型半導體層(42)、發光層(43)彼此分隔。

8、根據權利要求3所述的發光二極管芯片，其特征在于上述熱沉基板(1)的上方裝有多顆裸芯(4)，上述第一接合層(31)和第二接合層(32)在上述熱沉基板(1)的上表面呈相間穿插設置而構成多個與裸芯(4)對應的導電區域。

9、根據權利要求8所述的發光二極管芯片，其特征在于上述各裸芯(4)的反射層(41)、p型半導體層(42)和發光層(43)、電極層(45)成型于同一n型半導體層(44)上而形成大功率裸芯結構。

10、根據權利要求9所述的發光二極管芯片，其特征在于上述第一接合層(31)包括多條小接合層(311)及將各條小接合層(311)端部連接并向上述裸芯(4)一側外延的用于與外接電源線連接的引出部分(314)和焊線部分(313)，上述第二接合層(32)包括多條設置在上述小接合層(311)外圍的且一端部相連的多條小接合層(321)。