[發明專利]在寶石表面形成圖紋的方法

無效

• 申請號: 200910160869.1
• 申請日: 2009-07-28
• 公開（公告）號: CN101966792A
• 公開（公告）日: 2011-02-09
• 發明（設計）人: 陳致宇;張立;孫繼文
• 申請（專利權）人: 碳雨材料科技股份有限公司
• 主分類號: B44C1/04
• 分類號: B44C1/04;B44C1/22;C30B23/00;C30B29/16
• 代理公司: 北京金信立方知識產權代理有限公司 11225
• 代理人: 黃威;孫麗梅

1.一種在寶石表面形成圖紋的方法，其步驟包括：

將至少一鏤刻有圖紋的遮蔽層覆蓋于欲形成圖紋的寶石表面；

在寶石表面的遮蔽層的圖紋鏤空處沉積生長一輪廓相應于鏤空圖紋的第一晶體層；以及

將遮蔽層自寶石表面上移除。

2.如權利要求1所述的在寶石表面形成圖紋的方法，其中第一晶體層生長于寶石的一平滑表面。

3.如權利要求1所述的在寶石表面形成圖紋的方法，其中第一晶體層生長于寶石的一凹陷表面。

4.如權利要求3所述的在寶石表面形成圖紋的方法，其中寶石的凹陷表面用激光或蝕刻或機械加工形成。

5.如權利要求1所述的在寶石表面形成圖紋的方法，其中寶石及第一晶體層的材質為同質或異質。

6.如權利要求1所述的在寶石表面形成圖紋的方法，其中寶石及第一晶體層的顏色為相同顏色或不同顏色。

7.如權利要求1所述的在寶石表面形成圖紋的方法，其中晶體生長的方法選自化學氣相沉積法、物理氣相沉積法、化學溶液法、脈沖激光沉積法、分子束磊晶法、電鍍法中的至少一種。

8.如權利要求7所述的在寶石表面形成圖紋的方法，利用脈沖激光沉積法生長一晶體，其生長晶體的條件包括：靶材與寶石同質或異質；激光源為Nd:YAG激光或KrF準分子激光的其中一種；激光功率至少1mJ；重復頻率為1Hz以上；生長溫度為室溫至1000℃；氧分壓為0-300mTorr。

9.如權利要求8所述的在寶石表面形成圖紋的方法，生長一不透明的深黑顏色的立方氧化鋯晶體，其生長晶體的條件為：靶材為一黑色立方氧化鋯；激光源為KrF準分子激光；激光功率100mJ；重復頻率為10Hz；生長溫度為室溫；氧分壓為0mTorr。

10.如權利要求8所述的在寶石表面形成圖紋的方法，生長一紫紅色半透明的立方氧化鋯晶體，其生長晶體的條件為：靶材為一紅色立方氧化鋯；激光源為KrF準分子激光；激光功率80mJ；重復頻率為10Hz；生長溫度為室溫；氧分壓為30mTorr。

11.如權利要求8所述的在寶石表面形成圖紋的方法，生長一白色的立方氧化鋯晶體，其生長晶體的條件為：靶材為一紅色立方氧化鋯；激光源為KrF準分子激光；激光功率50mJ；重復頻率為10Hz；生長溫度為室溫；氧分壓為50mTorr。

12.如權利要求8所述的在寶石表面形成圖紋的方法，生長一淡褐色的立方氧化鋯晶體，其生長晶體的條件為：靶材為一紅色立方氧化鋯；激光源為KrF準分子激光；激光功率50mJ；重復頻率為10Hz；生長溫度為300℃；氧分壓為50mTorr。

13.如權利要求8項所述的在寶石表面形成圖紋的方法，生長一藍色的立方氧化鋯晶體，其生長晶體的條件為：靶材為一藍色立方氧化鋯；激光源為KrF準分子激光；激光功率100mJ；重復頻率為10Hz；生長溫度為室溫；氧分壓為15mTorr。

14.如權利要求9至13其中之一所述的在寶石表面形成圖紋的方法，還包括一加熱程序，以大于300℃的溫度施于具有色彩的立方氧化鋯晶體，使其顏色變成透明無色。

15.如權利要求8所述的在寶石表面形成圖紋的方法，生長一透明無色的立方氧化鋯晶體，其生長晶體的條件為：靶材為任一顏色的立方氧化鋯；激光源為KrF準分子激光；激光功率100mJ；重復頻率為10Hz；生長溫度大于300℃；氧分壓為50mTorr。

16.如權利要求1所述的在寶石表面形成圖紋的方法，其步驟還包括：

將另一鏤刻有圖紋的遮蔽層覆蓋于第一晶體層的表面；

于第一晶體層表面的遮蔽層的圖紋鏤空處生長一輪廓相應于鏤空圖紋的第二晶體層；以及

將遮蔽層自第一晶體層表面上移除。

17.如權利要求1所述的在寶石表面形成圖紋的方法，還包括一鍍膜步驟，于第一晶體層表面披覆一耐磨損的透明保護層。

18.如權利要求1所述的在寶石表面形成圖紋的方法，其中遮蔽層的材料為金屬或陶瓷或金屬和陶瓷的復合材料。