[發(fā)明專利]X射線檢測器及其制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910160773.5 | 申請日： | 2009-07-16 |
| 公開（公告）號： | CN101957452A | 公開（公告）日： | 2011-01-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 鄔柱;張風(fēng)超 | 申請（專利權(quán)）人： | GE醫(yī)療系統(tǒng)環(huán)球技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | G01T1/20 | 分類號： | G01T1/20;H01L27/146;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李湘;徐予紅 |
| 地址： | 美國威*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 射線 檢測器 及其 制造 方法 | ||
1.一種檢測X射線的X射線檢測器，包括：
光電檢測器；以及
由涂覆在光電檢測器的光接收表面上的熒光材料形成的閃爍體層，所述熒光材料將X射線轉(zhuǎn)換為光。
2.如權(quán)利要求1所述的X射線檢測器，其中所述熒光材料是稀土元素的酸式硫化物(acid?sulfide)。
3.如權(quán)利要求2所述的X射線檢測器，其中所述稀土元素的酸式硫化物是釓的酸式硫化物(Gd2O2S:Tb)。
4.如權(quán)利要求1所述的X射線檢測器，其中預(yù)先對所述光電檢測器的所述光接收表面進(jìn)行表面處理。
5.如權(quán)利要求1所述的X射線檢測器，其中預(yù)先將透明的絕緣材料涂覆至所述光電檢測器的所述光接收表面。
6.如權(quán)利要求1所述的X射線檢測器，其中所述光電檢測器在所述光接收表面上具有光電二極管陣列。
7.如權(quán)利要求6所述的X射線檢測器，其中所述光電二極管陣列是二維陣列。
8.如權(quán)利要求7所述的X射線檢測器，其中所述二維陣列由薄膜半導(dǎo)體組成。
9.如權(quán)利要求8所述的X射線檢測器，其中所述薄膜半導(dǎo)體是非晶硅。
10.如權(quán)利要求1所述的X射線檢測器，其中所述熒光材料在其位于與所述光電檢測器相對的一側(cè)的表面上具有X射線透射保護(hù)膜。
11.一種制造用于檢測X射線的X射線檢測器的方法，包括將熒光材料涂覆至光電檢測器的光接收表面以形成閃爍體層的步驟。
12.如權(quán)利要求11所述的制造X射線檢測器的方法，其中所述熒光材料是稀土元素的酸式硫化物。
13.如權(quán)利要求12所述的制造X射線檢測器的方法，其中所述稀土元素的酸式硫化物是釓的酸式硫化物(Gd2O2S:Tb)。
14.如權(quán)利要求11所述的制造X射線檢測器的方法，還包括在形成所述閃爍體層的步驟之前對所述光電檢測器的所述光接收表面進(jìn)行表面處理的步驟。
15.如權(quán)利要求11所述的制造X射線檢測器的方法，其中在形成透明該閃爍體層的步驟之前將透明絕緣材料涂覆至所述光電檢測器的所述光接收表面。
16.如權(quán)利要求11所述的制造X射線檢測器的方法，其中所述光電檢測器在所述光接收表面上具有光電二極管陣列。
17.如權(quán)利要求16所述的制造X射線檢測器的方法，其中所述光電二極管陣列是二維陣列。
18.如權(quán)利要求17所述的制造X射線檢測器的方法，其中所述二維陣列由薄膜半導(dǎo)體組成。
19.如權(quán)利要求18所述的制造X射線檢測器的方法，其中所述薄膜半導(dǎo)體是非晶硅。
20.如權(quán)利要求11所述的制造X射線檢測器的方法，還包括在與所述光電檢測器相對的一側(cè)的所述熒光材料的表面上形成X射線透射保護(hù)膜的步驟。
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