[發(fā)明專利]顯示設(shè)備和電子裝置

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910160346.7
• 申請(qǐng)日: 2009-08-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101650916A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-02-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山本哲郎;山下淳一;甚田誠(chéng)一郎;杉本秀樹(shù);內(nèi)野勝秀
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 索尼株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G09G3/32
• 分類號(hào): G09G3/32;H01L27/32;H04N5/64;H04N5/225;G06F1/16
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 郭定輝

1.一種顯示設(shè)備，包括：

像素陣列部分，被配置為包括：沿行布置的掃描線、沿列布置的信號(hào)線、和布置在所述掃描線和所述信號(hào)線的交叉點(diǎn)處的且以矩陣排列的像素；以及

驅(qū)動(dòng)部分，被配置為驅(qū)動(dòng)像素陣列部分，并包括：控制掃描器和信號(hào)選擇器，所述控制掃描器利用預(yù)定的水平周期向掃描線順序施加控制脈沖，從而在逐行的基礎(chǔ)上線序掃描所述像素，所述信號(hào)選擇器與所述線序掃描匹配地向沿列布置的信號(hào)線提供視頻信號(hào)，其中

所述像素包括：采樣晶體管，其具有與所述掃描線連接的柵極、和其中之一與所述信號(hào)線連接的源極和漏極；驅(qū)動(dòng)晶體管，其具有與采樣晶體管的源極和漏極之中的另一個(gè)連接的柵極、和其中之一與電源連接的源極和漏極；發(fā)光元件，其與驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極之中的另一個(gè)連接；和保持電容器，其連接在驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和柵極之間，

在從控制掃描器提供的控制脈沖的上升到該控制脈沖的下降的時(shí)段期間，所述采樣晶體管被保持在導(dǎo)通狀態(tài)，所述采樣晶體管被保持在導(dǎo)通狀態(tài)的時(shí)寬比一個(gè)水平周期更短，并且所述采樣晶體管對(duì)來(lái)自信號(hào)線的視頻信號(hào)進(jìn)行采樣以將所述視頻信號(hào)寫入至所述保持電容器，

采樣晶體管具有雙柵極結(jié)構(gòu)，其中一對(duì)晶體管元件串聯(lián)連接在信號(hào)線和驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極之間，并且該對(duì)晶體管元件的柵極共接，并且

驅(qū)動(dòng)晶體管使取決于被寫入至保持電容器的視頻信號(hào)的驅(qū)動(dòng)電流流向所述發(fā)光元件以用于發(fā)光。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示設(shè)備，其中

在所述采樣晶體管中，在采樣晶體管的柵極和將該對(duì)晶體管元件互連的中間節(jié)點(diǎn)之間形成電容器。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示設(shè)備，其中

形成所述電容器的絕緣膜的膜厚度比在該對(duì)晶體管元件的柵極和該對(duì)晶體管元件的溝道之間的絕緣膜的膜厚度更大。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示設(shè)備，其中

該對(duì)晶體管元件的溝道區(qū)被金屬覆蓋，所述金屬形成在該對(duì)晶體管元件的柵極的相對(duì)側(cè)，并且該對(duì)晶體管元件的溝道夾在所述金屬和所述柵極中間，并且所述金屬處于與該對(duì)晶體管元件的柵極的電勢(shì)相同的電勢(shì)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示設(shè)備，其中

該對(duì)晶體管元件在溝道長(zhǎng)度上彼此不同。

6.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示設(shè)備，其中

在該對(duì)晶體管元件中，與信號(hào)線更近的晶體管元件具有比與驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極更近的晶體管元件的溝道長(zhǎng)度更大的溝道長(zhǎng)度。

7.根據(jù)權(quán)利要求6的顯示設(shè)備，其中

該對(duì)晶體管元件具有相同的溝道寬度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示設(shè)備，其中

在采樣晶體管被保持在導(dǎo)通狀態(tài)以對(duì)來(lái)自信號(hào)線的視頻信號(hào)進(jìn)行采樣并將所述視頻信號(hào)寫入至保持電容器的時(shí)段中，執(zhí)行流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管的驅(qū)動(dòng)電流到保持電容器的負(fù)反饋，從而對(duì)被寫入至保持電容器的視頻信號(hào)提供驅(qū)動(dòng)晶體管遷移率的校正。