[發(fā)明專利]非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910160243.0
• 申請(qǐng)日: 2009-07-31
• 公開（公告）號(hào): CN101640068A
• 公開（公告）日: 2010-02-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 中山雅義;河野和幸;持田禮司;春山星秀
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G11C16/02
• 分類號(hào): G11C16/02;G11C16/14
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 汪惠民

1、一種非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，具備存儲(chǔ)器陣列，

所述存儲(chǔ)器陣列具有：

多個(gè)非易失性存儲(chǔ)器單元，這些非易失性存儲(chǔ)器單元在XY方向上被陣列狀配置，通過局部性地積蓄電荷從而存儲(chǔ)數(shù)據(jù)；

多個(gè)字線，這些字線在所述多個(gè)非易失性存儲(chǔ)器單元的配置區(qū)域中，沿X方向延伸地配置；

多個(gè)位線及多個(gè)主位線，這些位線及主位線在所述多個(gè)非易失性存儲(chǔ)器單元的配置區(qū)域中，沿Y方向延伸地配置，

所述存儲(chǔ)器陣列，由能夠按照從所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的外部輸入的地址信號(hào)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的使用區(qū)域和不能按照從外部輸入的地址信號(hào)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的分離區(qū)域構(gòu)成；

所述分離區(qū)域，與位線方向平行地配置，并分割所述使用區(qū)域；

所述使用區(qū)域配置的多個(gè)位線的每一個(gè)，通過選擇晶體管，與所述主位線連接；

所述多個(gè)主位線中至少一條的第1主位線，通過選擇晶體管在與所述使用區(qū)域的位線連接的同時(shí)，還與所述分離區(qū)域的位線中的第1分離區(qū)域位線連接。

2、如權(quán)利要求1所述的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：所述使用區(qū)域的擦除動(dòng)作，包含：

向該使用區(qū)域涉及的位線施加電壓的擦除電壓施加步驟，和

在所述施加擦除電壓施加步驟之后確認(rèn)是否成為所需的擦除狀態(tài)的擦除檢驗(yàn)步驟；

所述施加擦除電壓施加步驟，一邊切換實(shí)施的位線，一邊多次執(zhí)行一次向2條以上的位線的電壓施加；

所述多次的電壓施加中至少一次的電壓施加，向所述使用區(qū)域的位線和所述第1分離區(qū)域的位線施加電壓。

3、如權(quán)利要求1所述的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：與連接在所述第1分離區(qū)域位線上的存儲(chǔ)器單元連接的第2及第3分離區(qū)域位線，通過選擇晶體管，與第2主位線連接。

4、如權(quán)利要求3所述的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：所述使用區(qū)域的擦除動(dòng)作，包含：

向該使用區(qū)域涉及的位線施加電壓的擦除電壓施加步驟，和

在所述擦除電壓施加步驟之后確認(rèn)是否成為所需的擦除狀態(tài)的擦除檢驗(yàn)步驟；而且

在執(zhí)行所述擦除電壓施加步驟前，對(duì)擦除狀態(tài)的存儲(chǔ)器單元進(jìn)行擦除前寫入動(dòng)作；

所述擦除前寫入動(dòng)作，針對(duì)所述使用區(qū)域的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行，還針對(duì)所述分離區(qū)域中的與所述第1分離區(qū)域位線連接的多個(gè)存儲(chǔ)器單元執(zhí)行。

5、如權(quán)利要求1所述的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：所述多個(gè)非易失性存儲(chǔ)器單元是MONOS型，而且配置為假想接地；

配置在所述使用區(qū)域與所述分離區(qū)域的交界的第1使用區(qū)域存儲(chǔ)器單元和第1分離區(qū)域存儲(chǔ)器單元，與共同的第1使用區(qū)域位線連接；

所述第1使用區(qū)域位線，通過選擇晶體管，與所述第1主位線連接；

所述第1分離區(qū)域位線，是共有所述第1分離區(qū)域存儲(chǔ)器單元和分離區(qū)域位線的第2分離區(qū)域存儲(chǔ)器單元的另一個(gè)位線。

6、如權(quán)利要求5所述的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：所述使用區(qū)域的擦除動(dòng)作，包含：

向該使用區(qū)域涉及的位線施加電壓的擦除電壓施加步驟，和

在所述擦除電壓施加步驟之后確認(rèn)是否成為所需的擦除狀態(tài)的擦除檢驗(yàn)步驟；

所述擦除電壓施加步驟，一邊切換實(shí)施的位線，一邊多次執(zhí)行一次向2條以上的位線的電壓施加；

在所述多次的電壓施加中向所述第1使用區(qū)域位線施加電壓時(shí)，向所述第1分離區(qū)域的位線施加電壓。

7、如權(quán)利要求5所述的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：與連接在所述第1分離區(qū)域位線上的存儲(chǔ)器單元連接的第2及第3分離區(qū)域位線，通過選擇晶體管，與第2主位線連接。

8、如權(quán)利要求7所述的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：所述使用區(qū)域的擦除動(dòng)作，包含：

向該使用區(qū)域涉及的位線施加電壓的擦除電壓施加步驟，和

在所述擦除電壓施加步驟之后確認(rèn)是否成為所需的擦除狀態(tài)的擦除檢驗(yàn)步驟；而且

在執(zhí)行所述擦除電壓施加步驟前，對(duì)擦除狀態(tài)的存儲(chǔ)器單元進(jìn)行擦除前寫入動(dòng)作；

所述擦除前寫入動(dòng)作，針對(duì)所述使用區(qū)域的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行，還針對(duì)所述分離區(qū)域中的與所述第1分離區(qū)域位線連接的多個(gè)存儲(chǔ)器單元執(zhí)行。