[發明專利]背側相柵掩模及其制造方法

有效

• 申請號: 200910160237.5
• 申請日: 2009-07-30
• 公開（公告）號: CN101770162A
• 公開（公告）日: 2010-07-07
• 發明（設計）人: 吳宬賢;南炳虎
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: G03F1/14
• 分類號: G03F1/14
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 彭久云

1.一種掩模，包括：

襯底；

掩模圖案，形成在所述襯底的前側上方，所述掩模圖案與斜圖案的布局 相對應，所述斜圖案沿從直角坐標系的軸朝向預定方向旋轉的方向延伸，所 述直角坐標系對應于彼此垂直的字線和位線；以及

相柵，具有線性形狀且形成在所述襯底的背側上方，所述相柵的延伸方 向平行于所述掩模圖案的延伸方向；

其中所述相柵包括交替設置在所述襯底的背側上方的第一相區和第二 相區，所述第一相區與所述第二相區之間具有180°的相差，其中所述第一相 區和所述第二相區導致相干涉，所述相干涉阻擋入射到所述襯底的曝光光的 零級光且允許初級光入射到所述掩模圖案。

2.如權利要求1所述的掩模，其中所述斜圖案對應于6F2單元布置中的 有源區的布局。

3.如權利要求1所述的掩模，其中所述第一相區包括溝槽，所述溝槽 到所述襯底的背側表面的深度提供所述180°的相差，并且所述第二相區是所 述襯底的背側的由所述溝槽劃界的表面區域。

4.如權利要求1所述的掩模，其中包括所述第一相區的寬度和所述第 二相區的寬度的柵節距大致是圖案節距的兩倍，所述圖案節距包括每個掩模 圖案的寬度和相鄰掩模圖案的間隔的寬度。

5.如權利要求1所述的掩模，其中所述相柵設置在相對于設置所述掩 模圖案的區域的外側加寬800到1000μm的區域中。

6.一種掩模，包括：

襯底；

第一區域，具有形成在所述襯底的前側上方的第一掩模圖案，所述第一 掩模圖案與斜圖案的布局相對應，所述斜圖案沿從直角坐標系的軸朝向預定 方向旋轉的方向延伸，所述直角坐標系對應于彼此垂直的字線和位線；

第二區域，具有沿所述直角坐標系的軸向延伸的第二掩模圖案；以及

相柵，具有線性形狀且選擇性地形成在所述襯底的背側區域上方，其中 所述相柵與所述第一區域相對應且所述相柵的延伸方向平行于所述第一掩 模圖案的延伸方向；

其中所述相柵包括交替設置在所述襯底的背側上方的第一相區和第二 相區，所述第一相區和所述第二相區之間具有180°的相差，其中所述第一相 區和所述第二相區導致相干涉，所述相干涉阻擋入射到所述襯底的曝光光的 零級光且允許初級光入射到所述第一掩模圖案。

7.如權利要求6所述的掩模，其中所述斜圖案對應于6F2單元布置中的 有源區的布局。

8.如權利要求6所述的掩模，其中所述第一相區包括溝槽，所述溝槽 到所述襯底的背側表面的深度提供所述180°的相差，并且所述第二相區是所 述襯底的背側的由所述溝槽劃界的表面區域。

9.如權利要求6所述的掩模，其中包括所述第一相區的寬度和所述第二 相區的寬度的柵節距大致是圖案節距的兩倍，所述圖案節距包括每個第一掩 模圖案的寬度和相鄰第一掩模圖案的間隔的寬度。

10.如權利要求6所述的掩模，其中所述相柵設置在相對于設置所述第 一掩模圖案的區域的外側加寬800到1000μm的區域中。

11.一種制造掩模的方法，包括：

在襯底的前側上方形成掩模圖案，所述掩模圖案與斜圖案的布局相對 應，所述斜圖案沿從直角坐標系的軸朝向預定方向旋轉的方向延伸，所述直 角坐標系對應于彼此垂直的字線和位線；以及

在所述襯底的背側上方形成具有線性形狀的相柵，所述相柵的延伸方向 與所述掩模圖案的延伸方向平行；

其中所述相柵包括交替設置在所述襯底的背側上方的第一相區和第二 相區，所述第一相區和所述第二相區之間具有180°的相差，其中所述第一相 區和所述第二相區導致相干涉，所述相干涉阻擋入射到所述襯底的曝光光的 零級光且允許初級光入射到所述掩模圖案。