[發明專利]基板接合方法和電子部件有效
| 申請號： | 200910159812.X | 申請日： | 2009-07-10 |
| 公開（公告）號： | CN101628705A | 公開（公告）日： | 2010-01-20 |
| 發明（設計）人： | 塩崎真良;森口誠 | 申請（專利權）人： | 歐姆龍株式會社 |
| 主分類號： | B81C3/00 | 分類號： | B81C3/00;H01L21/50;H01L21/603;B81C5/00;H01L21/78;B81B7/02;H01L25/00 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 | 代理人： | 丁香蘭 |
| 地址： | 日本京都*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 接合 方法 電子 部件 | ||
1.一種基板接合方法，第1基板為晶片基板，第2基板為其上制作 有2個以上元件的晶片基板，該方法具有成膜工序和接合工序，
在所述成膜工序中，通過利用以TEOS為原材料的CVD法使SiO2膜沉積在至少所述第2基板上，形成接合用絕緣膜，
在所述成膜工序中，以設置有元件的區域為單位設置接合用絕緣膜， 以使得接合用絕緣膜將元件包圍起來；
在所述接合工序中，通過所述接合用絕緣膜使所述第1基板和所述 第2基板接合；
所述接合用絕緣膜在500℃以下的溫度形成。
2.如權利要求1所述的基板接合方法，其特征在于，在所述第1基 板的電極和所述第2基板的電極之中的一方電極上設置由能塑性變形的 金屬形成的接合用電極，
當在所述接合工序中將第1基板和第2基板重疊來接合時，使所述 接合用電極與另一方基板的電極抵接后，再使所述接合用絕緣膜抵接， 由此使所述接合用電極與另一方基板的電極壓接。
3.如權利要求1所述的基板接合方法，其特征在于，在所述接合工 序中，利用使接合表面活化的接合方法，通過所述接合用絕緣膜使所述 第1基板和所述第2基板接合。
4.如權利要求1所述的基板接合方法，其特征在于，
將所述第1基板和所述第2基板接合后，以設置有所述元件的區域 為單位切斷接合起來的基板。
5.如權利要求4所述的基板接合方法，其特征在于，在相鄰的接合 用絕緣膜彼此的中間切斷接合起來的基板。
6.如權利要求4所述的基板接合方法，其特征在于，在將接合用絕 緣膜分割開的位置切斷接合起來的基板。
7.如權利要求1所述的基板接合方法，其特征在于，將3片以上的 多片基板接合。
8.一種電子部件，其特征在于，第1基板為晶片基板，第2基板為 其上制作有元件的晶片基板，所述第1基板和所述第2基板通過接合用 絕緣膜接合，從而在兩基板間密封所述元件，
所述接合用絕緣膜是通過利用以TEOS為原材料的CVD法使SiO2膜至少沉積在其上制作有元件的所述第2基板上而形成的，
所述接合用絕緣膜是以設置有元件的區域為單位進行設置的，以使 得所述接合用絕緣膜將元件包圍起來，
所述接合用絕緣膜在500℃以下的溫度形成。
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