[發(fā)明專利]電介質(zhì)陶瓷組合物和電子部件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910159697.6 | 申請日: | 2009-07-31 |
| 公開(公告)號: | CN101638318A | 公開(公告)日: | 2010-02-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 柴崎智也;小島隆 | 申請(專利權(quán))人: | TDK株式會社 |
| 主分類號: | C04B35/49 | 分類號: | C04B35/49;C04B35/462;H01G4/12 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 龐立志;孫秀武 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電介質(zhì) 陶瓷 組合 電子 部件 | ||
1.電介質(zhì)陶瓷組合物,其具有:
用通式(Ba1-x-ySrxCay)m(Ti1-zZrz)O3表示的主成分、
包含Mg的氧化物的第1副成分、
包含選自Mn或者Cr的至少1種的氧化物的第2副成分、
包含R的氧化物的第3副成分,其中,R選自Y、La、Ce、Pr、Nd、 Sm、Gd、Tb、Dy、Ho和Yb的至少1種、和
包含含有Si的氧化物的第4副成分,其特征在于,
上述通式中,
0.20≤x≤0.40、
0≤y≤0.20、
0≤z≤0.30、且
0.950≤m≤1.050,
相對于上述主成分100摩爾,各副成分的比率為:
第1副成分:0.5~5摩爾,以元素?fù)Q算、
第2副成分:0.05~2摩爾,以元素?fù)Q算、
第3副成分:2~7摩爾,以元素?fù)Q算、
第4副成分:0.5~5摩爾,以氧化物、或者復(fù)合氧化物換算,
在-25~105℃的溫度范圍,相對于具有顯示以25℃的靜電容量為 基準(zhǔn)的容量溫度特性的斜率a的直線,以25℃的靜電容量為基準(zhǔn)的靜電 容量變化率在-15~+5%的范圍內(nèi),
上述斜率a為-7000~-3000ppm/℃。
2.權(quán)利要求1所述的電介質(zhì)陶瓷組合物,其特征在于,
上述電介質(zhì)陶瓷組合物具有上述通式的y和z為0的主成分。
3.權(quán)利要求1所述的電介質(zhì)陶瓷組合物,其特征在于,
相對于上述主成分100摩爾,以各元素?fù)Q算,含有0~0.2摩爾第5 副成分,所述第5副成分含有選自V、Mo、W、Ta和Nb的至少1種的 氧化物。
4.權(quán)利要求2所述的電介質(zhì)陶瓷組合物,其特征在于,
相對于上述主成分100摩爾,以各元素?fù)Q算,含有0~0.2摩爾第5 副成分,所述第5副成分含有選自V、Mo、W、Ta和Nb的至少1種的 氧化物。
5.電子部件,其具有電介質(zhì)層,所述電介質(zhì)層含有權(quán)利要求1所述 的電介質(zhì)陶瓷組合物。
6.電子部件,其具有電介質(zhì)層,所述電介質(zhì)層含有權(quán)利要求2所述 的電介質(zhì)陶瓷組合物。
7.電子部件,其具有電介質(zhì)層,所述電介質(zhì)層含有權(quán)利要求3所述 的電介質(zhì)陶瓷組合物。
8.電子部件,其具有電介質(zhì)層,所述電介質(zhì)層含有權(quán)利要求4所述 的電介質(zhì)陶瓷組合物。
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