[發明專利]電容性電源系統

有效

• 申請號: 200910159592.0
• 申請日: 2009-05-20
• 公開（公告）號: CN101604921A
• 公開（公告）日: 2009-12-16
• 發明（設計）人: 塞巴斯蒂恩·卡庫特;迪迪爾·倫納德
• 申請（專利權）人: 施耐德電器工業公司
• 主分類號: H02M7/217
• 分類號: H02M7/217
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 錢大勇

1.一種用于向電負載(C)提供電力的電源系統(3)，所述系統包括：

兩個輸入端，即正極端和負極端，連接到傳遞AC電壓的供電干線(A) 上；

輸入電容器(C1)，連接到系統的一個端子；

整流器模塊(33)，用于從AC電壓產生DC總線上的DC電壓；和

總線電容器(Cb)，連接在DC總線的正極線(31)和負極線(32)之間， 其特征在于：

該系統包括與輸入電容器(C1)串聯連接且在其上游的串聯連接的兩個 常開雙向半導體晶體管(T1、T2)，所述常開雙向半導體晶體管以寬帶隙材 料制成并能夠以限流模式工作，

所述半導體晶體管(T1、T2)以這樣的方式背對背連接：第一半導體晶 體管(T1)的漏極(D)連接到供電干線(A)，第二半導體晶體管(T2)的 漏極(D)連接到在下游連接的輸入電容器(C1)，半導體晶體管(T1、T2) 的源極(S)連接在一起，并且兩個半導體晶體管(T1、T2)的柵極(G)也 連接在一起且每個柵極(G)被回送到源極(S)的公共電勢。

2.根據權利要求1所述的系統，其特征在于，所述兩個半導體晶體管為 JFET型。

3.根據權利要求2所述的系統，其特征在于，以碳化硅或氮化鎵制成所 述兩個半導體晶體管(T1，T2)。

4.根據權利要求1所述的系統，其特征在于，其包括雙向瞬變二極管(D1) 或變阻器，連接到所述兩個半導體晶體管(T1、T2)的下游和輸入電容器(C1) 的上游，并連接在與正極端相連的電流線和與負極端相連的電流線之間。

5.根據權利要求1所述的系統，其特征在于，所述系統包括與所述兩個 半導體晶體管(T1、T2)并連連接的電阻器(R1)。