[發明專利]液晶顯示器件及其制造方法

有效

• 申請號: 200910159473.5
• 申請日: 2006-06-14
• 公開（公告）號: CN101614921A
• 公開（公告）日: 2009-12-30
• 發明（設計）人: 安智煐;樸容仁
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司
• 代理人: 徐金國

本申請是中國專利申請200610087272.5(申請日：2006年6月14日，發明名稱：液晶顯示器件及其驅動方法)的分案申請。?

本發明要求2005年11月9日在韓國提交的韓國專利申請第10-2005-0106839號的優先權，在此引入其全部內容作為參考。?

技術領域

本發明涉及一種液晶顯示器件，尤其涉及一種液晶顯示器件及其制造方法。?

背景技術

近年來，顯示器件一般使用陰極射線管(CRT)。目前，正在努力研究和發展作為CRT替代品的各種類型的平板顯示器，如液晶顯示(LCD)器件、等離子體顯示面板(PDP)、場發射顯示器(FED)、和電致發光顯示器(ELD)。具體地說，這些類型的平板顯示器件以有源矩陣型顯示驅動，在有源矩陣型顯示中利用其中的多個薄膜晶體管驅動以矩陣形式排列的多個像素。在有源矩陣型平板顯示中，液晶顯示(LCD)器件和電致發光顯示(ELD)器件由于其高分辨率、顯示色彩的能力以及在顯示運動圖像方面的優越性而廣泛用于筆記本計算機和臺式計算機。?

一般地，LCD器件包括彼此間隔并面對的矩陣基板和彩色濾色片基板，在兩個基板之間夾入液晶材料。兩個基板包括彼此面對的電極從而在電極之間施加的電壓產生液晶材料的電場。液晶材料中液晶分子的排列根據產生的電場強度而在產生的電場方向上改變，由此改變LCD器件的光透射率。因而，LCD器件通過改變產生的電場強度顯示圖像。?

近年來，使用有源矩陣型LCD器件，其中薄膜晶體管以矩陣方式設置在陣列基板上。多晶硅或多晶硅用作薄膜晶體管的半導體層。當使用氫化多晶硅(a-Si:H)時，可使用較低的溫度處理，因而可使用較低價格的基板。然而，?因為氫化多晶硅具有較差的電場特性，如0.1到1.0cm²/Vs的遷移率，所以很難使用氫化多晶硅形成直接在陣列基板上的驅動電路。多晶硅具有比氫化多晶硅高的遷移率。因此，當使用多晶硅時，可在陣列基板上很容易地直接形成驅動電路，且液晶顯示面板具有緊湊的尺寸。?

圖1是依照現有技術的LCD器件陣列基板的示意性平面圖。?

如圖1中所示，在基板10中確定了顯示區域D1和非顯示區域D2。在顯示區域D1中，多條柵線12和多條數據線14設置在基板10上并彼此交叉從而確定多個像素區域P。在每個像素區域P中，設置有像素薄膜晶體管T和像素電極17。像素薄膜晶體管T是n-型或p-型。?

在非顯示區域D2中，在基板10上設置有柵驅動電路16和數據驅動電路18。柵驅動電路16設置在基板10的一側并給柵線12供給柵信號，數據驅動電路18設置在基板10的另一側并給數據線14供給數據信號。柵和數據驅動電路16和18包括CMOS(互補金屬氧化物半導體)器件，其具有n-型驅動晶體管和p-型驅動薄膜晶體管。?

圖2是圖1中LCD器件的陣列基板顯示區域的平面圖。?

如圖2中所示，在基板30上，柵線GL沿著第一方向延伸，數據線DL沿著第二方向延伸。柵線GL和數據線DL彼此交叉以確定像素區域P。存儲線SL沿陣第一方向延伸并與柵線GL間隔開。?

像素薄膜晶體管T設置在柵線和數據線GL和DL的交叉部分處。像素薄膜晶體管T包括柵極52、多晶硅半導體圖案38、源極74a和漏極74b。像素電極82設置在像素區域P中并與漏極74b接觸。在像素區域P中設置有包含第一，第二和第三存儲電極40，54和76的存儲電容器Cst。?

圖3A是圖1中LCD器件的一部分驅動電路的截面圖，圖3B是沿圖2的線III-III提取的截面圖。?

如圖3A和3B中所示，非顯示區域D2中的驅動電路(柵或數據驅動電路)DC包括CMOS器件，CMOS器件包括p-型驅動薄膜晶體管T(p)和n-型驅動薄膜晶體管T(n)。?

在顯示區域D1的像素區域P中，設置有與像素薄膜晶體管Ts接觸的像素電極82和像素存儲電容器Cst。像素薄膜晶體管Ts是n-型或p-型薄膜晶體管，n-型薄膜晶體管主要用作像素薄膜晶體管Ts。像素存儲電容器Cst包括第?一，第二和第三存儲電極40，54和76。像素存儲電容器Cst包括第一存儲電容器C1和第二存儲電容器C2。?

圖4A到4I所示為在現有技術陣列基板非顯示區域的制造工序中的截面圖，圖5A到5I所示為在現有技術陣列基板顯示區域的制造工序中的截面圖，圖6A到6I是分別沿圖5A到5I的線III-III提取的截面圖。?