[發明專利]在半導體上進行光引發的鍍覆的方法

有效

• 申請號: 200910159463.1
• 申請日: 2009-07-02
• 公開（公告）號: CN101630703A
• 公開（公告）日: 2010-01-20
• 發明（設計）人: G·哈姆;D·L·雅克斯
• 申請（專利權）人: 羅門哈斯電子材料有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 朱黎明;周承澤

1.一種在半導體上進行光引發的鍍覆方法，其包括：

a)提供摻雜的半導體，該半導體包括正面和背面，所述正面是n摻雜的，包括 減反射層，所述減反射層具有圖案化的開口，使得減反射層下方的半導體的n摻 雜的正面的一部分裸露出來，背面包括金屬涂層；

b)使得所述摻雜的半導體與鍍鎳組合物接觸；以及

c)以初始光強度對摻雜的半導體施加光照預定的時間量，然后在鍍覆周期的剩 余時間將初始光強度減小到預定的量，從而在摻雜的半導體的n摻雜的正面的裸 露部分上沉積鎳層。

2.如權利要求1所述的在半導體上進行光引發的鍍覆方法，其特征在于，所述 摻雜的半導體是摻雜的硅半導體，該方法還包括以下步驟：進行燒結，在燒結過 程中使得一部分鎳層與所述摻雜的硅半導體反應，形成位于所述半導體上的硅化 鎳和位于硅化鎳上的鎳。

3.如權利要求2所述的在半導體上進行光引發的鍍覆方法，該方法還包括以下 步驟：在位于硅化鎳上的鎳上沉積一個或多個金屬層。

4.如權利要求2所述的在半導體上進行光引發的鍍覆方法，該方法還包括以下 步驟：將鎳從硅化鎳上剝離。

5.如權利要求4所述的在半導體上進行光引發的鍍覆方法，該方法還包括以下 步驟：在硅化鎳上沉積一個或多個金屬層。

6.如權利要求1所述的在半導體上進行光引發的鍍覆方法，其特征在于，在鍍 覆周期的剩余時間內，將初始光強度減小為初始光強度的5-50％。

7.如權利要求1所述的在半導體上進行光引發的鍍覆方法，其特征在于，所述 以初始光強度施加光照的預定時間量是大于0秒至15秒。

8.如權利要求1所述的在半導體上進行光引發的鍍覆方法，其特征在于，所述 鎳層的厚度為20-300納米。

9.如權利要求1所述的在半導體上進行光引發的鍍覆方法，其特征在于，所述 摻雜的半導體是用于太陽能電池或光生伏打器件。