[發明專利]橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管及其制造方法

有效

• 申請號: 200910159413.3
• 申請日: 2009-07-02
• 公開（公告）號: CN101656215A
• 公開（公告）日: 2010-02-24
• 發明（設計）人: 游步東
• 申請（專利權）人: 杭州矽力杰半導體技術有限公司;矽力杰公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 上海漢聲知識產權代理有限公司
• 代理人: 胡 晶

1.一種橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管的制造方法，所述橫向雙擴散 金屬氧化物半導體晶體管包括襯底上的源極區域，漏極區域和柵極區域，其 特征在于，包括以下步驟：

在該襯底表面注入n型摻雜劑以形成n型摻雜深n-阱區域；

利用第一類型區域硅氧化工藝形成場氧化層；

在所述晶體管的源極區域和漏極區域之間形成柵氧化層和漏氧化層，所 述柵氧化層與源極區域相鄰，所述漏氧化層與漏極區域相鄰；

所述漏氧化層采用第二類型區域硅氧化工藝形成；

使用導電材料涂覆所述柵氧化層和部分所述漏氧化層形成柵極；

在所述源極區域注入p型摻雜劑以形成p型摻雜p體區域；

在所述漏極區域注入n型摻雜劑以形成n型摻雜漏極區域；

在所述源極區域注入n型摻雜劑以形成第一n型摻雜n+區域；

在所述漏極區域注入n型摻雜劑以形成第二n型摻雜n+區域；

在所述源極區域注入p型摻雜劑以形成p型摻雜p+區域。

2.如權利要求1所述的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管的制造方法， 其特征在于，進一步包括：

在p型摻雜p體區域內形成n型摻雜源極連接區域NSL；

所述n型摻雜源極連接區域至少與源極區域的部分第一n型摻雜n+區域 和p型摻雜p+區域重疊。

3.如權利要求2所述的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管的制造方 法，其特征在于，使用相同的掩模版注入形成所述p型摻雜p體區域和所述n 型摻雜源極連接區域。

4.如權利要求1所述的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管的制造方法， 其特征在于，所述漏氧化層為氮化物或高-K介質材料。

5.如權利要求1所述的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管的制造方 法，其特征在于，注入n型雜質形成n型摻雜深n-阱區域的步驟進一步包括：

在襯底上制造生長n型摻雜外延層，所述襯底為p型襯底。

6.如權利要求1所述的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管的制造方 法，其特征在于，其中該襯底包括一生長的p型摻雜外延層。

7.一種橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于，包括：

襯底上的n型摻雜深n-阱區域；

由第一類型區域硅氧化工藝形成的場氧化層；

在橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管的源極區域和漏極區域間的柵氧 化層和漏氧化層，所述柵氧化層與源極區域相鄰，所述漏氧化層與漏極區域 相鄰；所述漏氧化層采用第二類型區域硅氧化工藝形成；

位于柵氧化層和部分漏氧化層之上的導電柵極；

源極區域中的p型摻雜的p體區域；

漏極區域中的n型摻雜區域；

在源極區域的p型摻雜的p體區域中的第一n型摻雜的n+區域和p型摻 雜的p+區域，并且所述第一n型摻雜的n+區域和p型摻雜的p+區域相鄰；

漏極區域中的第二n型摻雜的n+區域。

8.如權利要求7所述的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征在 于，所述場氧化層FOX與漏極區域相鄰。

9.如權利要求7所述的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征在 于，所述漏氧化層為氮化物或高-K介質材料。

10.如權利要求7所述的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征在 于，進一步包括p型摻雜的p體區域內的n型摻雜源極連接區域NSL。

11.如權利要求10所述的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征 在于，其中所述n型摻雜源極連接區域至少與源極區域內的部分第一n型摻 雜的n+區域和該p型摻雜的p+區域重疊。

12.如權利要求7所述的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征在 于，所述漏氧化層超出導電柵極靠近漏極的一側邊緣一預設距離值。