[發(fā)明專利]偵測盤片上缺陷信號的方法及裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910159048.6
• 申請日: 2009-08-04
• 公開（公告）號: CN101989445A
• 公開（公告）日: 2011-03-23
• 發(fā)明（設計）人: 史蒂芬·費司
• 申請（專利權(quán)）人: 宏陽科技股份有限公司
• 主分類號: G11B20/18
• 分類號: G11B20/18;G11B19/20
• 代理公司: 北京戈程知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及信號偵測的技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種偵測盤片上缺陷信號的方法及裝置。

背景技術(shù)

現(xiàn)今，隨著信息產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展和個人電腦的普及，人們對于儲存數(shù)據(jù)能力的要求也相對地提高。光盤片由于具備強大的儲存能力而被廣泛用來保存數(shù)據(jù)。光盤片有CDROM/R/RW盤片、DVDROM?SL/DL盤片、DVD-R/-R9/-RW/-RAM/Download盤片、DVD+R/+R9/+RW盤片、BDROM?SL/DL盤片、BD-R?SL/DL盤片、BD-RE?SL/DL盤片或BD?LTH盤片等各種形式。光盤片對儲存于其中的數(shù)據(jù)提供較佳的保護以免于損傷。

然而對于數(shù)據(jù)儲存而言，上面所描述的特色并不意味著光盤片為完美的儲存介質(zhì)。某些缺陷在盤片上產(chǎn)生，例如深的刮痕(deep?scratch)、淺的刮痕(shallow?scratch)，甚至于指紋(fingerprint)等等，這些缺陷(defect)不僅導致系統(tǒng)讀寫時發(fā)生錯誤，也會在讀寫數(shù)據(jù)時對系統(tǒng)產(chǎn)生干擾。因此偵測光盤片上的缺陷用以保護系統(tǒng)避免出現(xiàn)被干擾或不穩(wěn)定的情況是很重要的事。

現(xiàn)有技術(shù)利用主光束(main?beam)信號、副光束(side?beam)信號、或結(jié)合主光束信號及副光束信號以偵測光盤片上的缺陷。

另有現(xiàn)有技術(shù)利用信號振幅(amplitude)的差異，例如射頻電平(RFlevel，RFLVL)，來偵測盤片上的缺陷。如圖1A所示，其為通過現(xiàn)有射頻電平偵測方法來偵測深缺陷所得的信號示意圖。在圖1A中，射頻信號110在時段120有一個凹陷區(qū)域112。這表示凹陷區(qū)域112相對應的數(shù)據(jù)因缺陷而受損，以至于無法讀出時段120中的射頻信號110。凹陷區(qū)域112代表一低反射率的缺陷區(qū)域，一般稱為黑點缺陷(black-dotdefect)。在凹陷區(qū)域112處，射頻信號110幾乎不存在。

更進一步而言，凹陷區(qū)域112的深度顯示缺陷的深度。由射頻信號110經(jīng)過低通濾波器所形成的射頻電平(RFLVL)信號114，該射頻電平(RFLVL)信號114為該射頻信號110的封包(envelope)。偵測臨界值130為可編程的固定的直流參考電位。當射頻電平(RFLVL)信號114在時段120中低于偵測臨界值130時，缺陷旗標信號140從低電平(邏輯狀態(tài)0)提升至高電平(邏輯狀態(tài)1)，代表偵測到一缺陷。此外，F(xiàn)E/TE(focusing?error/tracking?error)信號150分別在時段120的起點和終點產(chǎn)生正凸波(surge)152及負凸波154來顯示聚焦(focusing)及循軌(tracking)的錯誤信號。然而，當缺陷旗標信號140由低電平提升至高電平時，伺服機系統(tǒng)，例如聚焦與循軌伺服機，及數(shù)據(jù)路徑控制系統(tǒng)，例如前置放大器、數(shù)據(jù)分割器(slicer)或鎖相回路，就能得知系統(tǒng)偵測到缺陷信號，因而可以利用一些適當?shù)谋Ｗo方法及裝置來降低潛在的干擾與不穩(wěn)定性。參考圖1B，其為通過現(xiàn)有射頻電平偵測方法來偵測淺缺陷所得的信號示意圖。在圖1B中，射頻信號101-1在時段120-1中有一凹陷區(qū)域112-1。這也表示凹陷區(qū)域112-1相對應的數(shù)據(jù)因缺陷而受損，以至于時段120-1中的射頻信號110-1無法被完全讀出。但是凹陷區(qū)域12-1的深度可能只是受到一淺缺陷的影響，例如一個淺刮痕，不像圖1A所示的凹陷區(qū)域112那么深。該射頻電平(RFLVL)信號114-1顯現(xiàn)出射頻信號110-1的封包。偵測臨界值130-1如同圖1A所示的偵測臨界值130為可編程的固定的直流參考電位。很明顯的，該射頻電平(RFLVL)信號114-1總是高于偵測臨界值130-1，因為淺缺陷并未造成足夠深的凹陷區(qū)域112-1。因此，缺陷旗標信號140-1對淺缺陷無反應，若是想要偵測淺凹形缺陷而提高偵測臨界值的直流參考電位，則容易引入噪聲并造成缺陷而產(chǎn)生誤判的現(xiàn)象，在120-1的區(qū)域FE/TE信號150-1會有機會因為盤片缺陷的干擾產(chǎn)生假信號的改變。更進一步而言，由于并未偵測到淺缺陷，一些保護的方法及裝置并未被觸發(fā)來保護系統(tǒng)免于潛在的干擾即不穩(wěn)定性。換句話說，伺服機系統(tǒng)及數(shù)據(jù)路徑控制系統(tǒng)很容易在此種缺陷情況下被影響。

美國專利第7,301,871號公開提供一種偵測盤片缺陷信號的裝置及方法，其利用一個缺陷偵測裝置以接收多個缺陷信號，并設置多個缺陷旗標信號，并用一組合邏輯單元對多個缺陷旗標信號執(zhí)行邏輯運算以偵測特定缺點。然而此種方法只是對既有的缺陷信號利用該組合邏輯單元執(zhí)行判斷，而無法提供更多關(guān)于缺陷的信息。