[發明專利]半穿反液晶顯示器

有效

• 申請號: 200910158741.1
• 申請日: 2009-07-07
• 公開（公告）號: CN101943831A
• 公開（公告）日: 2011-01-12
• 發明（設計）人: 張弘昌;施博盛;楊瑞賢
• 申請（專利權）人: 瀚宇彩晶股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 鄔少俊;王英

技術領域

本發明涉及一種平面顯示器，且特別涉及一種單一液晶間距(single?cell?gap)的半穿反液晶顯示器。

背景技術

液晶顯示器大致可被分為穿透式、反射式，以及半穿反式三大類。其中，能夠同時運用背光源以及外界光源的半穿反液晶顯示器(transflectiveLCD，TR?LCD)適合應用于手機(mobile?phone)、個人數字助理(personal?digital?assistant，PDA)和電子書(e-Book)…等攜帶型電子產品上，因此逐漸受到各方囑目。

一般而言，半穿反液晶顯示器又可被分為單一液晶間距(single?cell?gap)的半穿反液晶顯示器與雙重液晶間距(dual?cell?gap)的半穿反液晶顯示器兩大類。其中，由于單一液晶間距的半穿反液晶顯示器在制作上較雙重液晶間距的半穿反液晶顯示器簡單，且制作成本也較低。因此，單一液晶間距的半穿反液晶顯示器隨即成為各類攜帶式電子產品的應用首選。

圖1繪示為傳統單一液晶間距的半穿反液晶顯示器100的單一像素101的等效電路圖。圖2繪示為圖1的像素101的穿透區TA中的穿透率與像素電壓的特征曲線(或穿透伽瑪曲線)TC與反射區RA中的穿透率與像素電壓的特征曲線(或反射伽瑪曲線)RC示意圖。請合并參照圖1與圖2，像素101具有穿透區TA與反射區RA。其中，穿透區TA內具有像素晶體管T、第一液晶電容C_LC1與儲存電容C_ST，而反射區RA具有耦合電容C_C與第二液晶電容C_LC2。

像素晶體管T的柵極耦接掃描線103。像素晶體管T的源極耦接數據線105。像素晶體管T的漏極耦接第一液晶電容C_LC1、儲存電容C_ST與耦合電容C_C的第一端。第一液晶電容C_LC1與儲存電容C_ST的第二端耦接共用電極CE以接收共用電壓Vcom。耦合電容C_C的第二端耦接第二液晶電容C_LC2的第一端，而第二液晶電容C_LC2的第二端耦接共用電極CE。

傳統單一液晶間距的半穿反顯示技術通過耦合電容C_C的分壓以提供反射區RA所需的像素電壓。然而，從圖2可清楚看出，由于像素101的穿透區TA的特征曲線TC與反射區RA的特征曲線RC并不匹配，所以會使得單一液晶間距的半穿反液晶顯示器100的穿透顯示效果與反射顯示效果無法同時達到最佳化。

為了要讓單一液晶間距的半穿反液晶顯示器100的穿透顯示效果與反射顯示效果同時達到最佳化。圖3為本發明發明人先前在中國臺灣專利申請案號第98118790號所提出的單一液晶間距的半穿反液晶顯示器300的單一像素301的等效電路圖。圖4繪示為圖3的像素301的穿透區TA的特征曲線TC與反射區RA的特征曲線RC示意圖。請合并參照圖3與圖4，像素301具有穿透區TA與反射區RA。其中，穿透區TA內具有像素晶體管T、第一液晶電容C_LC1與儲存電容C_ST，而反射區RA具有耦合電容C_C、第二液晶電容C_LC2與補償電容C_C2。

像素晶體管T的柵極耦接掃描線303。像素晶體管T的源極耦接數據線305。像素晶體管T的漏極耦接第一液晶電容C_LC1、儲存電容C_ST與耦合電容C_C的第一端。第一液晶電容C_LC1與儲存電容C_ST的第二端耦接共用電極CE以接收共用電壓Vcom1。耦合電容C_C的第二端耦接第二液晶電容C_LC2的第一端，而第二液晶電容C_LC2的第二端耦接共用電極CE。補償電容C_C2的第一端耦合電容C_C的第二端，而補償電容C_C2的第二端耦接參考電壓配線307以接收具有時變周期信號的參考電壓信號Vref。

從圖4可清楚看出，在像素301的反射區RA內多增設一個耦接到參考電壓信號Vref的補償電容C_C2將有助于像素301的穿透區TA的特征曲線TC與反射區RA的特征曲線RC匹配，從而使得單一液晶間距的半穿反液晶顯示器300的穿透顯示效果與反射顯示效果可以同時達到最佳化。