[發明專利]用于染料敏化太陽能電池的TiO2納米棒陣列的制法無效
| 申請號： | 200910157875.1 | 申請日： | 2009-07-09 |
| 公開（公告）號： | CN101944439A | 公開（公告）日： | 2011-01-12 |
| 發明（設計）人： | 李燦;孟立建 | 申請（專利權）人： | 中國科學院大連化學物理研究所 |
| 主分類號： | H01G9/042 | 分類號： | H01G9/042;H01G9/20;H01M14/00;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48;C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 周長興 |
| 地址： | 116023 *** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 染料 太陽能電池 tio sub 納米 陣列 制法 | ||
【權利要求書】：
1.一種制備用于染料敏化太陽能電池的TiO2納米棒陣列的方法，利用直流反應磁控濺射方法進行制備，主要步驟如下：
將襯底表面放入直流反應磁控濺射裝置內，抽真空至小于1×10-3Pa，濺射氣體和反應氣體的壓力分別進行控制；反應氣體的壓強為0.09-1P，濺射氣體的壓強為1-5Pa，濺射功率為200-250W，靶到襯底的距離為40-80mm。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其中，襯底為ITO導電玻璃、FTO導電玻璃或玻璃。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其中，濺射氣體為Ar，反應氣體為O2。
4.根據權利要求1所述的制備方法，其中，靶的材料為純度大于99.9％的Ti金屬。
5.根據權利要求1所述的制備方法，其中，反應氣體和濺射氣體分別由質量流量計進行控制。
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