[發明專利]一種使用SDRAM實現時域卷積交織和解交織的方法

無效

• 申請號: 200910153334.1
• 申請日: 2009-10-15
• 公開（公告）號: CN101697491A
• 公開（公告）日: 2010-04-21
• 發明（設計）人: 謝磊;陳惠芳;李珊;王匡
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: H03M13/23
• 分類號: H03M13/23
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 杜軍

1.一種使用SDRAM實現時域卷積交織和解交織的方法，包括實現時域卷 積交織方法和實現時域卷積解交織方法，其特征在于：

實現時域卷積交織方法的具體步驟是：

步驟I.計算一幀數據交織時在每條交織支路中所需要交織的符號數 T(i)：

其中L為交織數據幀的長度，B為交織支路數，i為交織當前支路號， i＝0，1，2，...，B-1，mod為取余運算；

步驟II.計算一幀數據交織時在每條交織支路的起始地址in_addr(i)：

in_addr(i)＝in_bs(i)+in_bn(i)，i＝1，2，...，B-1；

其中in_bs(i)為第i支路在SDRAM中的首地址，in_bn(i)為第i支路內的相對地 址；

交織的第0支路為直通支路，不經過SDRAM，第1支路在SDRAM中的首地址 in_bs(1)為0單元，則：

in_bs(i)＝in_bs(i-1)+temp1(i)-M，i＝2，3，...，B-1；

其中temp1(i)＝temp1(i-1)+M，temp1(1)＝M，M為交織延遲周期；

當交織數據為第一幀數據時，每個支路的in_bn(i)均為0；當交織數據不是 第一幀數據時，則

in_bn(i)＝(in_bn^p(i)+T(i))mod(iM)，i＝1，2，...，B-1；

其中in_bn^p(i)表示前一幀交織數據訪問第i條支路內的相對地址；

步驟III.計算存放交織前后數據幀的SRAM的地址；

交織時，第i支路需交織的T(i)個數據將從存放未交織數據幀的SRAM1中的 T(i)個單元得到；此支路交織后的T(i)個數據要存入寄存交織后數據幀的SRAM2 的T(i)個單元中；此時SRAM1和SRAM2的T(i)個讀寫地址相同，對應第i交織支路 為：i，B+i，2B+i，...，(T(i)-1)B+i，i＝1，2，...，B-1；

步驟IV.交織第0支路，當前支路號i＝0，即直通支路，直接將交織數據 從SRAM1傳到SRAM2中相同的地址單元，T(0)個數據在兩個SRAM中的地址均 為0，B，2B，...，(T(0)-1)B；

步驟V.進入下一條交織支路，i＝i+1；獲得所在支路在SDRAM中交織的起 始地址in_addr(i)；判斷所在支路內的相對地址in_bn(f)距支路最大存儲容量地址 in_bm(i)的剩余單元是否足夠有T(i)個，其中in_bm(i)＝iM，如果足夠，則執行 步驟VI，如果不夠，對此支路的交織需要分成兩次交織讀寫階段，指定初始化 為0的標志信號in_step等于1，執行步驟VII；

步驟VI.指定在SDRAM中連續讀寫數據量Tin＝T(i)，SDRAM的交織首地址 in_sa為in_addr(i)，進行步驟VIII；

步驟VII.第一階段讀寫的數據量為T1(i)，為當前交織支路內的相對地址到 支路最大存儲容量地址的剩余單元數，即：

T1(i)＝in_bm(i)-in_bn(i)；

指定在SDRAM中連續讀寫數據量Tin＝T1(i)，SDRAM的交織首地址in_sa為 in_addr(i)，進行步驟VIII；

步驟VIII.在SDRAM中，對于每個交織支路按“先讀后寫”進行操作；首先讀 出SDRAM中首地址為in_sa開始的連續Tin個單元內容，存入SRAM2的Tin個單元 中，將需交織的Tin個符號內容從SRAM1中的Tin個單元得到，最后將這些需交 織的數據連續寫入SDRAM中首地址為in_sa開始的連續Tin個單元中；

步驟IX.判斷SDRAM的讀寫數據量Tin是否等于此支路應交織的數據量 T(i)，如果相同，則進行步驟XI；如果不相同，繼續判斷標志信號in_step的 值，如果等于1就執行步驟X，如果不等于1，執行步驟XI；

步驟X.第二階段讀寫的數據量為T2(i)，為第一階段讀寫完畢后剩余需要 交織的數據量，即：

T2(i)＝T(i)-T1(i)；

此時SDRAM的交織首地址變為此支路首地址in_bs(i)；指定在SDRAM中連續 讀寫數據量Tin＝T2(i)，SDRAM的交織首地址in_sa為切in_bs(i)，標志信號 in_step＝0，進行步驟VIII；

步驟XI.在針對當前交織支路的交織全部讀寫完畢后，判斷當前支路是否 為最后一條交織支路，如果是則轉到步驟XII，如果不是，轉到步驟V；

步驟XII.對所有交織支路操作完畢后，在交織一幀數據后集中的刷新，集 中刷新行數為交織所使用的SDRAM存儲單元的行數；集中刷新結束后，系統等 待下一幀數據的交織命令；

實現時域卷積解交織方法的具體步驟是：

步驟1.計算一幀數據解交織時在每條解交織支路中所需要解交織的符號 數T(j)′：

其中L′為解交織數據幀的長度，B′為解交織支路數，j為解交織當前支路 號，j＝0，1，2，...，B′-1，mod為取余運算；

步驟2.計算一幀數據解交織時在每條解交織支路的起始地址 dein_addr(j)：

dein_addr(j)＝dein_bs(j)+dein_bn(j)；

其中dein_bs(j)為第j支路在SDRAM中的首地址，dein_bn(j)為第j支路內的相對 地址；

指定第0支路在SDRAM中的首地址dein_bs(0)為0單元，除第B′-1條支路為直 通支路，不經過SDRAM之外，其他支路為

dein_bs(j)＝dein_bs(j-1)+temp2(j)+(B′+1)M′；其中：temp2(j)＝temp2(j-1)-M′， temp2(0)＝-M′，M′為解交織延遲周期；

當解交織數據為第一幀數據時，每個支路的dein_bn(j)均為0；當解交織數 據不是第一幀數據時，則：

dein_bn(j)＝(dein_bn^p(j)+T(j)′)mod((B′-1-j)M′)；

其中dein_bn^p(j)表示前一幀解交織數據訪問第j條支路時的相對地址；

步驟3.計算存放解交織前后數據幀的SRAM的地址；

解交織時，第j支路需解交織的T(j)′個數據將從存放解交織數據幀的 SRAM1′中的T(j)′個單元得到；此支路解交織后的T(j)′個數據要存入寄存 解交織后數據幀的SRAM2′的T(j)′個單元中；此時SRAM1′和SRAM2′的 T(j)′個讀寫地址是一樣的，對應第j解交織支路為：

j，B′+j，2B′+j，...，(T(j)′-1)B′+j，i＝1，2，...，B′-1；

步驟4.卷積解交織開始，標記支路號j＝0；

步驟5.獲得所在支路解交織的起始地址dein_addr(j)；判斷所在支路內的相 對地址dein_bn(j)距支路最大存儲容量地址dein_bm(j)的剩余單元是否足夠有 T(j)′個，其中dein_bm(j)＝(B′-j-1)M′，如果足夠，則執行步驟6，如果不 夠，對此支路的解交織需要分成兩次解交織讀寫階段，指定初始化為0的標志 信號dein_step等于1，執行步驟7；

步驟6.指定在SDRAM中連續讀寫數據量Tdein＝T(j)′，SDRAM的解交織首地 址dein_sa為dein_addr(j)，進行步驟8；

步驟7.第一階段讀寫的數據量為T1(j)′，為當前解交織支路內的相對地 址到支路最大存儲容量地址的剩余單元數，即：

T1(j)′＝dein_bm(j)-dein_bn(j)；

指定在SDRAM中連續讀寫數據量Tdein＝T1(j)′，SDRAM的解交織首地址dein_sa 為dein_addr(j)，進行步驟8；

步驟8.在SDRAM中，對于每個解交織支路按“先讀后寫”進行操作；首先 讀出SDRAM中首地址為dein_sa開始的連續Tdein個單元內容，存入SRAM2′的 Tdein個單元中，將需解交織的Tdein個符號內容從SRAM1′中的Tdein個單元得 到，最后將這些需解交織的數據連續寫入SDRAM中首地址為dein_sa開始的連續 Tdein個單元中；

步驟9.判斷SDRAM的讀寫數據量Tdein是否等于此支路應解交織的數據量 T(j)′，如果相同，則進行步驟11，如果不相同，繼續判斷標志信號dein_step 的值，如果等于1就執行步驟10，如果不等于1執行步驟11；

步驟10.第二階段讀寫的數據量為T2(j)′，為第一階段讀寫完畢后剩余需 要解交織的數據量，即：

T2(j)′＝T(j)′-T1(j)′；

此時SDRAM的解交織首地址變為此支路首地址dein_bs(j)；指定在SDRAM中 連續讀寫數據量Tdein＝T2(j)′，SDRAM的交織首地址dein_sa為dein_bs(j)，標志 信號dein_step＝0，進行步驟8；

步驟11.在針對當前解交織支路的解交織讀寫完畢后，j＝j+1，判斷更新 后的支路是否為最后一條解交織支路，如果是則轉到步驟12，如果不是轉到步 驟5；

步驟12.對最后一條解交織支路，即直通支路，直接將數據從SRAM1′傳 到SRAM2′中相同的地址單元，T(B′-1)′個數據在兩個SRAM中的地址均為 B′-1，2B′-1，3B′-1，...，(T(B′-1)′)B′-1；

步驟13.所有解交織支路操作完畢后，對SDRAM進行集中刷新，集中刷新行 數為解交織所使用的SDRAM存儲單元的行數；集中刷新結束后，系統等待下一 幀數據的解交織命令。