[發(fā)明專利]高性能聚電解質(zhì)-納米層狀硅酸鹽復合物滲透汽化膜的制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910153260.1
• 申請日: 2009-10-29
• 公開（公告）號: CN101698139A
• 公開（公告）日: 2010-04-28
• 發(fā)明（設計）人: 安全福;王雪三;朱美華;趙強;錢錦文
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: B01D71/00
• 分類號: B01D71/00;B01D69/12;B01D61/36
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 張法高

1.一種聚電解質(zhì)-納米層狀硅酸鹽復合物分離膜的制備方法，其特征在于包括如下步驟：

1)將0.5～5.0質(zhì)量份的陽離子聚電解質(zhì)在50～80℃下真空干燥6～10h，陽離子聚電解質(zhì)為：殼聚糖、聚烯丙基胺、聚二甲基烯丙基銨、聚乙烯亞胺、聚甲基丙烯酰氧乙基三甲基氯化銨、聚乙烯基吡啶烷基鹵化銨或陽離子纖維素；

2)取0.4～4.5質(zhì)量份上述干燥后的陽離子聚電解質(zhì)溶解于100～2000質(zhì)量份水中，加入0.04～0.5質(zhì)量份鹽酸；

3)將0.4～4.0質(zhì)量份的陰離子聚電解質(zhì)在50～80℃下真空干燥6～10h，陰離子聚電解質(zhì)為：羧甲基纖維素鈉、聚丙烯酸鈉、海藻酸鈉、聚甲基丙烯酸鈉或聚磷酸鈉；

4)取0.2～2.0質(zhì)量份上述干燥后的陰離子聚電解質(zhì)溶于100～2000質(zhì)量份水中，加入0.04～0.5質(zhì)量份鹽酸；

5)將0.02～1.0質(zhì)量份納米層狀硅酸鹽在50～100W超聲下分散于陽離子聚電解質(zhì)溶液中；將包含有納米層狀硅酸鹽的陽離子聚電解質(zhì)溶液滴加入陰離子聚電解質(zhì)溶液中，得到聚電解質(zhì)-納米層狀硅酸鹽復合物；

6)將聚電解質(zhì)-納米層狀硅酸鹽復合物用無水乙醇洗滌后，在60～80℃下干燥6～10h；

7)將0.2～1.0質(zhì)量份聚電解質(zhì)-納米層狀硅酸鹽復合物和0.03～0.2質(zhì)量份的氫氧化鈉加入到10～50質(zhì)量份水中，溶解后得到鑄膜液，將該鑄膜液經(jīng)過濾除雜，靜置脫泡后均勻涂刮于聚丙烯腈微孔底膜上，得到皮層為聚電解質(zhì)-納米層狀硅酸鹽復合物的分離膜。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種聚電解質(zhì)-納米層狀硅酸鹽復合物分離膜的制備方法，其特征在于所述納米層狀硅酸鹽為蒙脫土、坡縷石、高嶺土、滑石、凹凸棒石、海泡石、鐵云母、絹云母、蛭石或鉀長石。

3.根據(jù)權利要求2所述的一種聚電解質(zhì)-納米層狀硅酸鹽復合物分離膜的制備方法，其特征在于所述納米層狀硅酸鹽為蒙脫土，選自鈣基蒙脫土、鈉基蒙脫土、鎂基蒙脫土或鈉-鈣基蒙脫土。

4.根據(jù)權利要求3所述的一種聚電解質(zhì)-納米層狀硅酸鹽復合物分離膜的制備方法，其特征在于所述蒙脫土的離子交換容量為80～120mmol/100g。

5.根據(jù)權利要求1所述的一種聚電解質(zhì)-納米層狀硅酸鹽復合物分離膜的制備方法，其特征在于所述的聚電解質(zhì)-納米層狀硅酸鹽復合物中的陽離子聚電解?質(zhì)的含量為10～30％。

6.根據(jù)權利要求1所述的一種高性能聚電解質(zhì)-納米層狀硅酸鹽復合物復合滲透汽化膜的制備方法，其特征在于所述的聚電解質(zhì)-納米層狀硅酸鹽復合物中的納米層狀硅酸鹽的含量為0.1～15％。

7.根據(jù)權利要求1所述的聚電解質(zhì)-納米層狀硅酸鹽復合物復合分離膜的制備方法，其特征在于所述的聚乙烯基吡啶烷基鹵化銨的烷基為甲基、乙基、丙基或丁基，鹵素為溴或氯。?