[發明專利]光電轉換器件的制造方法

有效

• 申請號: 200910151873.1
• 申請日: 2007-08-02
• 公開（公告）號: CN101609813A
• 公開（公告）日: 2009-12-23
• 發明（設計）人: 渡邊高典;板野哲也;高橋秀和;滝本俊介;虻川浩太郎;成瀨裕章;西村茂;板橋政次
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01L21/822
• 分類號: H01L21/822;H01L27/146
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 付建軍

1.一種光電轉換器件的制造方法，所述光電轉換器件包括：

像素區域，其具有多個像素，每個像素包括光電轉換元件、放大晶 體管和復位晶體管；以及

外圍電路區域，其具有配置為驅動所述像素和/或放大從所述像素區 域讀取的信號的外圍MOS晶體管，所述像素區域和所述外圍電路區域 位于同一半導體襯底上，

所述方法包括如下步驟：

形成所述放大晶體管、復位晶體管和外圍MOS晶體管的柵電極；

通過使用所述柵電極作為掩模，注入第一導電類型的雜質離子；

形成絕緣膜，以便覆蓋所述像素區域和所述外圍電路區域；

在通過掩模來保護形成在所述像素區域的放大晶體管和復位晶體管 上的所述絕緣膜的情況下，通過回蝕刻來去除形成在所述外圍電路區域 上的所述絕緣膜，用于形成所述外圍MOS晶體管的側面間隔件；以及

通過使用在所述像素區域上的所述絕緣膜和所述側面間隔件作為掩 模，注入所述第一導電類型的雜質離子，以使得所述外圍MOS晶體管 具有輕摻雜漏極LDD結構。

2.如權利要求1所述的光電轉換器件的制造方法，還包括如下步驟：

形成第二絕緣膜，以便覆蓋所述像素區域和所述外圍電路區域的整 體；

在所述第二絕緣膜的相應于外圍MOS晶體管的漏極區域的區域中 形成接觸孔；以及

以自對準的方式將所述第一導電類型的雜質離子注入到所述接觸孔 中。