[發明專利]硅粉在單晶爐或多晶爐中的應用方法

有效

• 申請號: 200910151828.6
• 申請日: 2009-06-23
• 公開（公告）號: CN101613878A
• 公開（公告）日: 2009-12-30
• 發明（設計）人: 張濤;萬躍鵬;鐘德京
• 申請（專利權）人: 江西賽維LDK太陽能高科技有限公司
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C30B11/00;C30B15/00
• 代理公司: 江西省專利事務所
• 代理人: 楊志宇

1.硅粉在單晶爐或多晶爐中的應用方法，其特征在于：將顆粒直徑在0.1微 米-100微米的硅粉冷等靜壓或熱等靜壓成0.2克-2000000克的硅塊后，放入 硅晶體生長的爐中，用于硅晶體生長的初始原料中的應用；其中的硅粉的純度 在99.9％-99.9999999999％；冷等靜壓的靜壓技術參數范圍為：10-800Mpa；熱 等靜壓的靜壓技術參數范圍為：10-800MPa；溫度技術參數范圍為：30-1400℃。

2.根據權利要求1所述的硅粉在單晶爐或多晶爐中的應用方法；其特征在于： 硅晶體生長是作為太陽能領域或半導體領域的硅晶體生長。

3.根據權利要求1所述的硅粉在單晶爐或多晶爐中的應用方法，其特征在于： 硅晶體生長的爐是用于生長單晶硅的單晶爐或用于生長多晶硅的多晶爐。

4.根據權利要求1所述的硅粉在單晶爐或多晶爐中的應用方法，其特征在于： 將顆粒直徑在0.1微米-1000微米的硅粉冷等靜壓或熱等靜壓成硅塊后，放入 單晶爐或多晶爐中，用于太陽能領域或半導體領域的硅晶體生長的初始原料。

5.根據權利要求1所述的硅粉在單晶爐或多晶爐中的應用方法，其特征在于： 硅粉的純度在99.99％-99.9999999％。

6.根據權利要求5所述的硅粉在單晶爐或多晶爐中的應用方法，其特征在于： 硅粉的純度在99.999％-99.999999％。

7.根據權利要求1所述的硅粉在單晶爐或多晶爐中的應用方法，其特征在于： 按硅粉重量百分比0-10.000％比例添加粘合劑后再進行冷等靜壓或熱等靜壓成 硅塊。

8.根據權利要求1所述的硅粉在單晶爐或多晶爐中的應用方法，其特征在于： 熱等靜壓的靜壓技術參數范圍為：10-800MPa；溫度技術參數范圍為：50-500 ℃。

9.根據權利要求1所述的硅粉在單晶爐或多晶爐中的應用方法，其特征在于： 熱等靜壓的靜壓技術參數范圍為：10-800MPa；溫度技術參數范圍為：50-300 ℃。

10.根據權利要求1所述的硅粉在單晶爐或多晶爐中的應用方法，其特征在于： 顆粒直徑在0.1微米-1000微米的硅粉來源于西門子法、硅烷熱分解法、四氯 化硅氫還原法中的任意一種。