[發明專利]以軌跡模型實現晶片允收測試先進工藝控制的系統與方法

有效

• 申請號: 200910151805.5
• 申請日: 2009-06-29
• 公開（公告）號: CN101847569A
• 公開（公告）日: 2010-09-29
• 發明（設計）人: 曾衍迪;巫尚霖;王若飛;牟忠一
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/66;G05B19/418
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 姜燕;陳晨

1.一種實行晶片允收測試先進工藝控制的方法，包括：

在處理中的多個晶片批次上實行一金屬層間晶片允收測試；

使用一批次取樣程序自所述多個晶片批次中選取一晶片批次子集合；

通過該晶片批次子集合選取一組取樣晶片，該組取樣晶片在實行所述金屬層間晶片允收測試后提供金屬層間晶片允收測試數據；

根據該組取樣晶片提供的所述金屬層間晶片允收測試數據，估算處理中的所述多個晶片批次的所有晶片的末端晶片允收測試數據；以及

提供所述估算得到的所述末端晶片允收測試數據供一晶片允收測試先進工藝控制程序控制一微調程序或一先進工藝控制程序。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述晶片批次子集合的選取步驟包括：選取所述晶片批次以提供最高工具覆蓋率。

3.如權利要求1所述的方法，其中所述晶片批次子集合的選取步驟包括：根據多個關鍵工藝的反應室計數的總合排序所述多個晶片批次。

4.如權利要求1所述的方法，其中所述晶片批次子集合的選取步驟包括：排序所述多個晶片批次以平衡反應室取樣率。

5.如權利要求1所述的方法，其中該組取樣晶片的選取步驟包括：選取所屬晶片批次中最具代表性的三片晶片。

6.如權利要求1所述的方法，其中所述末端晶片允收測試數據的估算步驟包括：根據多個工藝階段下該組取樣晶片中各晶片的軌跡的共性點，估算一未知晶片于所述多個工藝階段的軌跡。

7.如權利要求6所述的方法，其中所述末端晶片允收測試數據的估算步驟包括：疊加一偏移量至該未知晶片被估算出的金屬層間晶片允收測試數據，以求得所述末端晶片允收測試數據。

8.一種系統，用以實行晶片允收測試先進工藝控制，該系統包括：

在處理中的多個晶片批次上實行一金屬層間晶片允收測試的裝置；

實行一批次取樣程序的裝置，用以自所述多個晶片批次中選取出一晶片批次子集合；

通過該晶片批次子集合選取出一組取樣晶片的裝置，該組取樣晶片在實行所述金屬層間晶片允收測試后提供金屬層間晶片允收測試數據；

根據該組取樣晶片的所述金屬層間允收測試數據估算處理中的所述多個晶片批次內所有晶片的末端晶片允收測試數據的裝置；以及

將所述末端晶片允收測試數據提供給一晶片允收測試先進工藝控制程序的裝置，用以控制一微調程序。

9.如權利要求8所述的系統，其中選取所述晶片批次子集合的所述裝置包括：選取所述晶片批次以提供最高工具覆蓋率的裝置。

10.如權利要求8所述的系統，其中選取所述晶片批次子集合的所述裝置包括：根據多個關鍵工藝的反應室計數的總合排序所述多個晶片批次的裝置。

11.如權利要求8所述的系統，其中選取所述晶片批次子集合的所述裝置包括：排序所述多個晶片批次以平衡反應室取樣率的裝置。

12.如權利要求8所述的系統，其中選取該組取樣晶片的所述裝置包括：選取所屬晶片批次中最具代表性的三片晶片的裝置。

13.如權利要求8所述的系統，其中估算所述末端晶片允收測試數據的所述裝置所執行的程序包括：根據多個工藝階段下該組取樣晶片中各晶片的軌跡的共性點，估算一未知晶片于所述多個工藝階段的軌跡。

14.如權利要求13所述的系統，其中估算所述末端晶片允收測試數據的所述裝置所執行的程序還包括：疊加一偏移量至該未知晶片被估算出的金屬層間晶片允收測試數據，以求得所述末端晶片允收測試數據。