[發(fā)明專利]半導體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910151664.7
• 申請日: 2009-07-13
• 公開（公告）號: CN101740567A
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發(fā)明（設計）人: 楠茂
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L29/739;H01L29/78;H01L23/58;H01L23/64
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 何欣亭;李家麟

1.一種半導體裝置，其特征在于具備：

功率器件，所述功率器件形成在具有半導體層的半導體襯底上；

多個保護環(huán)，以包圍所述功率器件的方式形成在所述半導體襯底 上，以及

電壓施加部件，對所述多個保護環(huán)中越靠外周側的保護環(huán)施加越 高的電壓。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述功率器件具有：

發(fā)射極，形成在所述半導體襯底表面并接地；

柵電極，形成在所述半導體襯底表面；以及

集電極，形成在所述半導體襯底表面的相反面即背面，

所述電壓施加部件具有在所述半導體層與所述發(fā)射極之間串聯 連接的多個電阻元件，越靠所述外周側的保護環(huán)與所述多個電阻元件 中越靠所述半導體層側的電阻元件連接。

3.如權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于：

所述多個保護環(huán)的各保護環(huán)，分別經由電容器與相應的所述多個 電阻元件的各電阻元件連接。

4.如權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于：

所述多個電阻元件與所述半導體層中比所述多個保護環(huán)更靠外 周的區(qū)域即外周部分連接。

5.如權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于：

所述多個電阻元件是在所述多個保護環(huán)上以旋渦形形成的多晶 硅。

6.如權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于：

所述多個電阻元件是在所述多個保護環(huán)上以直線方式形成的多 晶硅。

7.如權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于：

所述多個電阻元件是在所述多個保護環(huán)上以之字形形成的多晶 硅。

8.如權利要求2或3所述的半導體裝置，其特征在于：

具備二極管，該二極管與所述多個電阻元件串聯，且陰極與所述 半導體層連接、陽極與所述發(fā)射極連接。

9.一種半導體裝置，具有半導體層、在所述半導體層上形成的 柵電極、在所述半導體層上形成的漏電極和在所述半導體層上形成的 源電極，其特征在于具備：

絕緣膜，在所述半導體層上形成在所述柵電極與所述漏電極之 間；

多個絕緣膜內電極，形成在所述絕緣膜內；以及

電壓施加部件，所述電壓施加部件對所述多個絕緣膜內電極中越 靠該漏電極側的絕緣膜內電極施加越高的電壓。

10.如權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于：

所述電壓施加部件具有連接所述漏電極和所述源電極的多個電 阻元件，

所述多個絕緣膜內電極中越靠所述漏電極側的絕緣膜內電極，與 所述多個電阻元件中越靠所述漏電極側的電阻元件連接。

11.如權利要求10所述的半導體裝置，其特征在于：

所述多個絕緣膜內電極的各絕緣膜內電極，分別經由電容器與對 應的所述多個電阻元件的各電阻元件連接。

12.一種半導體裝置，在具有半導體層的功率器件表面上形成 柵電極、漏電極、和源電極，其特征在于具備：

埋入絕緣膜，該埋入絕緣膜形成在所述半導體層中；

多個埋入絕緣膜內電極，形成在所述埋入絕緣膜中且在所述漏電 極與該柵電極之間；以及

電壓施加部件，對所述多個埋入絕緣膜內電極中越靠該漏電極側 的埋入絕緣膜內電極施加越高的電壓。

13.如權利要求12所述的半導體裝置，其特征在于：

所述電壓施加部件具備串聯連接的多個電阻元件，所述多個電阻 元件的一端與所述漏電極直接連接且另一端與所述源電極直接連接，

所述多個埋入絕緣膜內電極中越靠所述漏電極側的埋入絕緣膜 內電極，與越靠所述多個電阻元件的所述漏電極側的電阻元件連接。

14.如權利要求12所述的半導體裝置，其特征在于：

所述電壓施加部件具備串聯連接的多個電阻元件，所述多個電阻 元件的一端與所述漏電極電容耦合且另一端與所述源電極電容耦合，

所述多個埋入絕緣膜內電極中越靠所述漏電極側的埋入絕緣膜 內電極，與越靠所述多個電阻元件的所述漏電極側的電阻元件連接。