[發明專利]半導體裝置的柵極結構及字線結構與存儲器的形成方法

有效

• 申請號: 200910150905.6
• 申請日: 2009-06-25
• 公開（公告）號: CN101752409A
• 公開（公告）日: 2010-06-23
• 發明（設計）人: 賴二琨;呂函庭
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L21/8247;H01L21/768;H01L27/115;H01L23/52
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周國城

1.一種柵極結構，應用于一半導體裝置，其特征在于，該柵極結構 包括：

一導電結構，絕緣地設置于一襯底上，該導電結構包括：

一中央部，具有一第一表面與二個第二表面，其中該第一表面位 于該二個第二表面之間；及

二間隔部，分別連接于該中央部的該二個第二表面，其中各該二 間隔部的寬度是由上至下逐漸增大，各該二間隔部的一內表面接觸于 該中央部，且相對該內表面的各該二間隔部的一外表面為一曲面；以 及

一屏蔽層，設置于該導電結構的該中央部上，且該屏蔽層的兩側分別 被該導電結構的該二間隔部包圍，使得該屏蔽層嵌入該導電結構中。

2.根據權利要求1所述的柵極結構，其特征在于，該半導體裝置包 括一介電層，該介電層設置于該襯底上，該導電結構設置于該介電層上， 且該介電層包括一電荷捕捉層，用以儲存電荷。

3.一種存儲器的形成方法，其特征在于，包括：

a)形成一第一介電層、一導電層以及一第一屏蔽層于一襯底上，其中 該第一屏蔽層具有二個第一開口，該二個第一開口露出一部分的該導電 層；

b)根據該第一屏蔽層的圖案對該導電層進行刻蝕，以此于由該二個第 一開口露出的一部分的該導電層形成二個第一溝道，其中各該二個第一溝 道的底面及側面暴露出該導電層，且各該二個第一溝道的側面的間距大于 各該二個第一開口的寬度；

c)覆蓋一保形層于該第一屏蔽層以及位于該導電層的該二個第一溝 道上，其中填入各該二個第一溝道內的該保形層具有一孔洞；以及

d)對該保形層進行非等向性刻蝕，并沿著該二個第一溝道內的該多個 孔洞對該導電層以及該第一介電層進行刻蝕，直到暴露出該襯底以及該第 一屏蔽層，以此形成一字線結構；

其中，該字線結構包括導電結構及屏蔽層，該導電結構絕緣地設置于 一襯底上，包括中央部與二個間隔部，該中央部具有第一表面及二個第二 表面，第一表面位于二個第二表面之間，二個間隔部分別連接于中央部的 二個第二表面，各該二間隔部的一內表面接觸于該中央部，且相對該內表 面的各該二間隔部的一外表面為一曲面；該屏蔽層位于該導電結構的中央 部上，且該屏蔽層的兩側分別被該導電結構的二間隔部包圍，使得該屏蔽 層嵌入該導電結構中。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，該導電結構由殘留的 該導電層以及殘留的該保形層構成，且殘留的該保形層形成于殘留的該導 電層的兩側，使得該字線結構的寬度是由上至下逐漸增大。

5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，該步驟b)包括：

b1)進行非等向性刻蝕，以此于由該二個第一開口露出的一部分的該 導電層形成二個凹口，其中各該二個凹口的底面及側面暴露出該導電層， 且各該二個凹口的側面的間距等于各該二個第一開口的寬度；以及

b2)進行等向性刻蝕來刻蝕各該二個凹口的側面，以此形成該二個第 一溝道。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，該導電層包括一第一 導電部及一第二導電部，且該步驟a)包括：

a1)形成該第一介電層、該第一導電部以及一第二屏蔽層于該襯底 上，其中該第二屏蔽層具有二個第二開口，該二個第二開口露出一部分的 該第一導電部，且各該二個第二開口的延伸方向垂直于各該二個第一開口 的延伸方向；

a2)進行刻蝕，以此于由該二個第一開口露出的一部分的該第一導電 部形成二個第二溝道，其中各該二個第二溝道的底面暴露出該襯底；

a3)于暴露的該襯底處注入一摻雜物，以此形成一摻雜區；

a4)填充一第二介電層于各該二個第二溝道內；

a5)移除該第二屏蔽層以及部分的該第二介電層，以此暴露出另一部 分的該第一導電部及殘留的該第二介電層，其中殘留的該第二介電層高于 該第一導電部；以及

a6)覆蓋該第二導電部以及該第一屏蔽層；

其中，該步驟b1)是刻蝕該導電層的該第二導電部至殘留的該第二介 電層的高度。