[發(fā)明專利]信息存儲(chǔ)裝置以及操作該裝置的方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910150851.3
• 申請(qǐng)日: 2009-06-23
• 公開（公告）號(hào): CN101615423A
• 公開（公告）日: 2009-12-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李成喆;徐順愛;曹永真;皮雄煥;裴智瑩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G11C11/15
• 分類號(hào): G11C11/15
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 韓明星;羅延紅

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種信息存儲(chǔ)裝置，更具體地說，涉及一種使用磁疇壁運(yùn)動(dòng)的信息存儲(chǔ)裝置以及操作該裝置的方法。

背景技術(shù)

即使在電源切斷時(shí)也保留記錄的信息的傳統(tǒng)非易失性信息存儲(chǔ)裝置的示例包括硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)和非易失性隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器((RAM)。

傳統(tǒng)HDD使用旋轉(zhuǎn)部分存儲(chǔ)信息。然而，旋轉(zhuǎn)部分隨著時(shí)間可能磨損，從而增加了操作失敗的可能性，并因此減少了可靠性。

傳統(tǒng)非易失性RAM的示例是閃存。盡管閃存不使用旋轉(zhuǎn)部分，但是與傳統(tǒng)HDD相比，閃存的讀取和寫入速度相對(duì)低，壽命相對(duì)短，并且存儲(chǔ)容量相對(duì)小。閃存還具有相對(duì)高的制造成本。

另一傳統(tǒng)信息存儲(chǔ)裝置使用磁材料的磁疇壁運(yùn)動(dòng)原理。在這些傳統(tǒng)磁信息存儲(chǔ)裝置中，組成鐵磁物質(zhì)的小磁區(qū)被稱為磁疇。具有不同磁化方向的磁疇之間的邊界部分被稱為磁疇壁。可通過將電流施加到磁層來移動(dòng)磁疇和磁疇壁。

然而，使用磁疇壁運(yùn)動(dòng)的信息存儲(chǔ)裝置仍然處于發(fā)展的初始階段，而且在其能夠?qū)嶋H使用之前仍然有一些問題需要解決。具體地，需要改善的信息記錄方法以實(shí)現(xiàn)使用磁疇壁運(yùn)動(dòng)的信息存儲(chǔ)裝置的實(shí)際使用。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供一種便于記錄信息的信息存儲(chǔ)裝置以及操作該裝置的方法。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種信息存儲(chǔ)裝置，所述裝置包括：磁層，具有多個(gè)磁疇區(qū)以及置于磁疇區(qū)之間的磁疇壁；第一單元，布置在第一區(qū)域以將信息記錄在第一區(qū)域，所述第一區(qū)域是多個(gè)磁疇區(qū)中的一個(gè)；第二單元，連接到第一單元以感應(yīng)磁場，從而將信息記錄在第一區(qū)域。

可通過第二單元將電流施加到第一單元，通過電流流過第二單元來產(chǎn)生磁場。

第一單元可通過使用旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)移力矩來記錄信息。

第一單元可包括：第一釘扎層，布置在第一區(qū)域的下表面和上表面中的一個(gè)上；第一離層，置于第一釘扎層和第一區(qū)域之間。

第一單元還可包括：第二釘扎層，具有與第一釘扎層的磁化方向相反的磁化方向，第二釘扎層布置在第一區(qū)域的下表面和上表面中的另一個(gè)上；第二離層，置于第二釘扎層和第一區(qū)域之間。

第一單元還可包括：第一電極層，布置在第一區(qū)域的下表面和上表面中的另一個(gè)上；阻層，其電阻高于磁層的電阻，所述阻層置于電極層和第一區(qū)域之間。

第二單元可包括連接到第一單元的至少一個(gè)導(dǎo)線。

第一單元可包括下部單元和上部單元，分別布置在第一區(qū)域的下表面和上表面，下部單元和上部單元中的任意一個(gè)連接到第一導(dǎo)線，下部單元和上部單元中的另一個(gè)連接到第二導(dǎo)線，第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線中的至少一個(gè)包括在第二單元中。

第一導(dǎo)線可包括從第一單元延伸的第一部分，第一導(dǎo)線的第一部分布置在與磁層平行的第一平面上。

第二導(dǎo)線可包括從第一單元延伸的第一部分，第二導(dǎo)線的第一部分布置在與磁層平行的第二平面上。

第一導(dǎo)線的第一部分和第二導(dǎo)線的第一部分可以以相同方向延伸。

第一導(dǎo)線還可包括從第一部分延伸且在第一平面上圍繞第一單元的至少一部分的第二部分。

第一導(dǎo)線還可包括從第一導(dǎo)線的第一部分延伸且在第一平面上圍繞第一單元的至少一部分的第二部分。

第二導(dǎo)線還可包括從第二導(dǎo)線的第一部分延伸且在第二平面上圍繞第一單元的至少一部分的第二部分。

第一導(dǎo)線的第二部分延伸的方向與第二導(dǎo)線的第二部分延伸的方向可彼此相反。

所述裝置還可包括：第一線，與磁層平行；第二線和第三線，與第一線交叉；切換裝置，布置在第一線和第二線的交叉點(diǎn)；其中，切換裝置和第三線分別連接到第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線。

可包括通過第一單元的第二線，可包括與第二線分開預(yù)定間隔的第三線。

第二線和第三線可與第一單元的一側(cè)分開預(yù)定間隔。

所述裝置還可包括分別連接到磁層的一端和另一端的第四線和第五線。

所述裝置還可包括：另一切換裝置，布置在磁層的一端和第四線之間以及磁層的另一端和第五線之間中的至少一個(gè)。

所述裝置還可包括連接到與第四線和第五線交叉的所述另一切換單元的第六線。

第一線和第六線可以是字線，第二線至第五線可以是位線。

第一單元還可包括信息再現(xiàn)功能。

第一單元可布置在磁層的中心部分。

磁層、第一單元、第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線可包括在一個(gè)單元存儲(chǔ)區(qū)域中，信息存儲(chǔ)裝置包括與所述單元存儲(chǔ)區(qū)域等同的多個(gè)單元存儲(chǔ)區(qū)域。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種操作信息存儲(chǔ)裝置的方法，所述方法包括：通過將寫電流通過第二單元施加到第一單元將信息記錄在第一區(qū)域中。