[發明專利]半導體封裝構造及其封裝方法

有效

• 申請號: 200910150657.5
• 申請日: 2009-06-25
• 公開（公告）號: CN101800205A
• 公開（公告）日: 2010-08-11
• 發明（設計）人: 黃文彬;徐正宗;曾正男;洪志成
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/482
• 分類號: H01L23/482;H01L23/49;H01L21/60
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 陳小蓮;王鳳桐

1.一種半導體封裝構造，該半導體封裝構造包括：

承載件；

晶片，該晶片具有第一表面和與該第一表面相對的第二表面，所述晶片設置在所述承載件上；

接墊，該接墊設置在所述晶片的第一表面上；

銅焊線，該銅焊線電性連接于所述晶片和所述承載件，所述銅焊線包括線狀部和弧狀接合部，所述弧狀接合部接合于所述接墊，其中所述線狀部具有截面直徑D1’，所述弧狀接合部具有截面直徑D2’，1.8×D1’≤D2’≤3×D1’，所述弧狀接合部的每一邊緣到所述銅焊線中心線的距離相等，且所述弧狀接合部的邊緣與所述接墊的裸露區域的邊緣的間距≥4μm；以及

封膠，該封膠包覆所述晶片、所述銅焊線和覆蓋所述承載件。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝構造，其中所述接墊具有焊線接觸區和非焊線接觸區，其中所述非焊線接觸區包括銅焊線和接墊接合后的金屬擠出殘留物。

3.根據權利要求2所述的半導體封裝構造，其中所述金屬擠出殘留物為鋁或銅。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝構造，所述半導體封裝構造還包括：

保護層，該保護層形成在所述晶片的第一表面上，并暴露出所述接墊的裸露區域。

5.根據權利要求1所述的半導體封裝構造，其中所述銅焊線線狀部外?圍包覆抗氧化金屬層。

6.根據權利要求1所述的半導體封裝構造，其中所述接墊的厚度介于0.8μm與2.5μm之間。

7.根據權利要求1所述的半導體封裝構造，其中所述接墊的下方具有至少一個銅層和至少一個介電材料層，其中所述接墊、銅層和所述介電材料層的總厚度介于1.2μm與1.5μm之間。

8.根據權利要求1所述的半導體封裝構造，其中所述接墊的下方具有至少一個鋁層及至少一個介電材料層，其中所述接墊、鋁層和所述介電材料層的總厚度介于1.2μm與1.5μm之間。

9.根據權利要求1所述的半導體封裝構造，其中所述封膠的組成成分包括氯離子、溴離子和鈉離子。

10.根據權利要求1所述的半導體封裝構造，其中所述封膠的pH值介于4～7之間。

11.根據權利要求1所述的半導體封裝構造，其中所述承載件為基板。

12.根據權利要求1所述的半導體封裝構造，其中所述承載件為釘架。

13.根據權利要求12所述的半導體封裝構造，所述半導體封裝構造還包括：

引腳接墊，該引腳接墊設置在所述釘架上；以及?

金屬層，該金屬層覆蓋在所述引腳接墊上，其中所述引腳接墊與所述銅焊線電性連接。

14.一種半導體封裝構造，該半導體封裝構造包括：

晶片，該晶片具有主動表面、與該主動表面相對的背面，以及多個第一接墊；

承載件，該承載件具有承載表面以及多個第二接墊，其中所述晶片的背面設置于所述承載件的承載表面；

多個銅焊線，該多個銅焊線電性連接相對應的所述多個第一接墊和第二接墊，所述多個銅焊線的每一個包括線狀部和弧狀接合部，其中所述弧狀接合部的每一邊緣到所述銅焊線中心線的距離相等，所述弧狀接合部的邊緣與相對應的第一接墊的裸露區域的邊緣的間距≥4μm，所述多個第一接墊的每一個具有焊線接觸區和非焊線接觸區，且所述非焊線接觸區包括銅焊線和接墊接合后的金屬擠出殘留物；以及

封膠，該封膠包覆所述晶片、所述多個銅焊線和覆蓋所述承載件，

所述線狀部具有截面直徑D1’，所述弧狀接合部具有截面直徑D2’，且1.8×D1’≤D2’≤3×D1’。

15.根據權利要求14所述的半導體封裝構造，其中所述金屬擠出殘留物為鋁或銅。

16.根據權利要求14所述的半導體封裝構造，所述半導體封裝構造還包括：

保護層，該保護層形成在所述晶片的主動表面上，并暴露出所述接墊的裸露區域。?

17.根據權利要求14所述的半導體封裝構造，其中所述銅焊線線狀部外圍包覆抗氧化金屬層。