[發明專利]顯示器件及其制造方法有效
| 申請號: | 200910150563.8 | 申請日: | 2003-01-24 |
| 公開(公告)號: | CN101630690A | 公開(公告)日: | 2010-01-20 |
| 發明(設計)人: | 瀨尾哲史;山崎舜平 | 申請(專利權)人: | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/82 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 朱海煜;李家麟 |
| 地址: | 日本神奈*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種具有排列成矩陣形式的多個像素的顯示器件,它包括:
襯底;
在所述襯底上方的第一電極;
環繞所述第一電極并且凸出在所述第一電極的表面上方的至少 第一絕緣堤壩和第二絕緣堤壩;
有機導電膜,包含低分子有機半導體和受主,其中,所述有機導 電膜在第一電極上方且在第一絕緣堤壩和第二絕緣堤壩的至少頂部 表面上形成;
在所述有機導電膜的上方且在第一絕緣堤壩和第二絕緣堤壩之 間形成的包含能夠引起電致發光的有機化合物的有機薄膜;以及
在所述有機薄膜上方形成的第二電極,
其中第一絕緣堤壩和第二絕緣堤壩的頂部表面不被包含能夠引 起電致發光的有機化合物的有機薄膜覆蓋,
其中形成在第一絕緣堤壩的頂邊附近的所述有機導電膜具有第 一厚度,并且在第一絕緣堤壩和第二絕緣堤壩之間的第一電極的中心 附近形成的所述有機導電膜具有第二厚度,并且
其中第二厚度大于第一厚度。
2.具有根據權利要求1的顯示器件的電子器件,其中所述電子 器件選自包含下列各項的組:OLED顯示器件、攝像機、數碼相機、 移動計算機、個人計算機、移動電話以及聲音回放裝置。
3.根據權利要求1的顯示器件,其中所述有機導電膜至少覆蓋 第一絕緣堤壩。
4.根據權利要求1的顯示器件,其中至少第一絕緣堤壩具有向 著所述襯底上方逐漸變小的錐形形狀。
5.根據權利要求4的顯示器件,其中所述顯示器件還包括數據 信號線、掃描信號線以及連接到所述數據信號線、所述掃描信號線和 第一電極的非線性元件。
6.根據權利要求5的顯示器件,其中利用相互連接的薄膜晶體 管和電容器的組合,或利用薄膜晶體管和所述薄膜晶體管的寄生電容 器的組合,來形成所述非線性元件。
7.根據權利要求1的顯示器件,其中所述襯底和第一電極對于 光的可見部分具有透明性。
8.根據權利要求1的顯示器件,其中第二電極對于光的可見部 分具有透明性。
9.根據權利要求1的顯示器件,其中第一絕緣堤壩和第二絕緣 堤壩這兩者中的至少一個覆蓋形成在所述襯底上方的第一電極的表 面的至少一個邊沿。
10.根據權利要求1的顯示器件,其中所述顯示器件是有源矩陣 型顯示器件。
11.根據權利要求1的顯示器件,其中所述顯示器件是無源矩陣 型顯示器件。
12.根據權利要求1的顯示器件,其中所述有機導電膜通過干法 形成。
13.根據權利要求12的顯示器件,其中所述干法是共同淀積方 法。
14.根據權利要求1的顯示器件,其中所述有機導電膜通過濕法 形成。
15.一種具有排列成矩陣形式的多個像素的顯示器件,它包括:
襯底;
在所述襯底上方的第一電極;
環繞所述第一電極并且凸出在所述第一電極的表面上方的至少 第一絕緣堤壩和第二絕緣堤壩;
有機導電膜,包含低分子有機半導體和施主,其中,所述有機導 電膜在第一電極上方且在第一絕緣堤壩和第二絕緣堤壩的至少頂部 表面上形成;
在所述有機導電膜的上方且在第一絕緣堤壩和第二絕緣堤壩之 間形成的包含能夠引起電致發光的有機化合物的有機薄膜;以及
在所述有機薄膜上方形成的第二電極,
其中第一絕緣堤壩和第二絕緣堤壩的頂部表面不被包含能夠引 起電致發光的有機化合物的有機薄膜覆蓋,
其中形成在第一絕緣堤壩的頂邊附近的所述有機導電膜具有第 一厚度,并且在第一絕緣堤壩和第二絕緣堤壩之間的第一電極的中心 附近形成的所述有機導電膜具有第二厚度,并且
其中第二厚度大于第一厚度。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社半導體能源研究所,未經株式會社半導體能源研究所許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910150563.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





