[發明專利]發光裝置和制造這種發光裝置的方法有效
| 申請號: | 200910150562.3 | 申請日: | 2003-03-26 |
| 公開(公告)號: | CN101673756A | 公開(公告)日: | 2010-03-17 |
| 發明(設計)人: | 山崎舜平;村上雅一;瀨尾哲史 | 申請(專利權)人: | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 張亞寧;王小衡 |
| 地址: | 日本神奈*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 裝置 制造 這種 方法 | ||
1.一種發光裝置,包括:
發光元件,該發光元件包括第一電極、第一電極上的包含有機化合 物的層、以及該包含有機化合物的層上的第二電極;
第二電極上的第三電極;
電連接到外部電源的布線,以及
絕緣體,
其中該包含有機化合物的層的末端面與第二電極的末端面齊平,
其中第二電極和所述布線通過第三電極電連接,
其中第一電極的末端和所述布線的末端用所述絕緣體覆蓋,
其中所述絕緣體用所述包括有機化合物的層覆蓋,并且
其中所述絕緣體的上末端包括具有第一曲率半徑的彎曲表面。
2.一種發光裝置,包括:
包含發光元件的像素部分,所述發光元件包括第一電極、第一電極 上的包含有機化合物的層、以及該包含有機化合物的層上的第二電極;
第二電極上的第三電極;
電連接到外部電源的布線,以及
絕緣體,
其中該包含有機化合物的層的末端面與第二電極的末端面齊平;
其中第二電極和所述布線通過第三電極電連接,
其中第一電極的末端和所述布線的末端用所述絕緣體覆蓋,
其中所述絕緣體用所述包含有機化合物的層覆蓋,并且
其中所述絕緣體的上末端包括具有第一曲率半徑的彎曲表面,所述 絕緣體的下末端包括具有第二曲率半徑的彎曲表面。
3.根據權利要求1或2的發光裝置,其中第三電極由金屬制成。
4.根據權利要求1或2的發光裝置,其中第二電極是發光元件的 陰極和陽極中的一個。
5.根據權利要求1或2的發光裝置,其中有機化合物由聚合材料 制成。
6.根據權利要求1或2的發光裝置,其中所述包含有機化合物的 層包括聚合材料制成的層和單體材料制成的層。
7.根據權利要求2的發光裝置,其中第一曲率半徑和第二曲率半 徑的每個為0.2-3μm。
8.根據權利要求1或2的發光裝置,其中第一電極由具有半透明 性的材料制成,并且是發光元件的陰極和陽極中的一個。
9.根據權利要求1或2的發光裝置,還包括濾色器。
10.根據權利要求1或2的發光裝置,還包括顏色轉換層。
11.根據權利要求1或2的發光裝置,還包括色彩層。
12.根據權利要求1或2的發光裝置,其中發光裝置是視頻相機、 數碼相機、護目鏡式顯示器、汽車導航系統、個人電腦和便攜式信息終 端的任何一個。
13.一種制造發光裝置的方法,包括:
在襯底上形成第一電極和布線;
形成絕緣體,其中所述第一電極的末端和所述布線的末端用所述絕 緣體覆蓋,并且其中所述絕緣體的上末端包括具有第一曲率半徑的彎曲 表面,
在第一電極和所述絕緣體上形成包含有機化合物的層;
在該包含有機化合物的層上形成第二電極;
用第二電極作為掩模以自對準方式刻蝕該包含有機化合物的層,
選擇地在第二電極上形成第三電極,以連接第二電極和所述布線, 所述布線電連接到外部電源。
14.一種制造發光裝置的方法,包括:
在襯底上形成具有半透明性的第一電極和布線;
形成絕緣體,其中所述第一電極的末端和所述布線的末端用所述絕 緣體覆蓋,并且其中所述絕緣體的上末端包括具有第一曲率半徑的彎曲 表面,所述絕緣體的下末端包括具有第二曲率半徑的彎曲表面,
通過在第一電極和所述絕緣體上涂敷形成包含有機化合物的層;
在該包含有機化合物的層上形成由金屬制成的第二電極;以及
用第二電極作為掩模以自對準方式刻蝕該包含有機化合物的層;以 及
在第二電極上形成第三電極,以連接第二電極和所述布線,所述布 線電連接到外部電源。
15.根據權利要求13或14的制造發光裝置的方法,其中第三電極 通過使用蒸汽淀積和濺射中的一個形成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





