[發明專利]多晶硅制造裝置

有效

• 申請號: 200910150342.0
• 申請日: 2009-06-23
• 公開（公告）號: CN101613106A
• 公開（公告）日: 2009-12-30
• 發明（設計）人: 遠藤俊秀;手計昌之;石井敏由記;坂口昌晃
• 申請（專利權）人: 三菱麻鐵里亞爾株式會社
• 主分類號: C01B33/035
• 分類號: C01B33/035
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 溫大鵬

1.一種多晶硅制造裝置，在供給了原料氣體的反應爐內，通過加 熱硅芯棒而使多晶硅析出在硅芯棒的表面，其特征在于，

具有：

電極，沿上下方向延設保持上述硅芯棒；

電極托架，內部形成有使冷卻介質流通的冷卻流路，并插入形成在 上述反應爐的底板部上的通孔內，保持上述電極；

環狀絕緣材料，配置在上述通孔的內周面和上述電極托架的外周面 之間，使上述底板部和上述電極托架之間電氣地絕緣，

在上述電極托架的外周面上設置有擴徑部，該擴徑部與上述環狀絕 緣材料的上端部的上表面的至少一部分接觸，在其內部形成有上述冷卻 流路的一部分，

上述通孔在下部具有直線部，在上部具有向上方逐漸擴徑的錐部，

在上述錐部的上端開口部，設置有比上述錐部的最大內徑還有擴徑 的锪孔部，

上述擴徑部與上述锪孔部的側面不相接，上述擴徑部面向上述锪孔 部內。

2.如權利要求1所述的多晶硅制造裝置，其特征在于，上述擴徑部 覆蓋上述環狀絕緣材料的上述上端部的上述上表面整體。

3.如權利要求1或2所述的多晶硅制造裝置，其特征在于，上述 冷卻介質在冷卻了上述擴徑部之后，冷卻上述電極附近。

4.如權利要求1或2所述的多晶硅制造裝置，其特征在于，上述 冷卻流路具有：外周側流路，使上述冷卻介質在上述電極托架內的外周 部中沿著其長度方向朝向其上端部流通；以及內周側流路，使上述冷卻 介質在上述外周側流路的內側沿著上述長度方向朝向上述電極托架的 下端部流通，上述外周側流路的一部分形成在上述擴徑部內。

5.如權利要求1或2所述的多晶硅制造裝置，其特征在于，上述 環狀絕緣材料由具有彈性的樹脂構成。

6.如權利要求1所述的多晶硅制造裝置，其特征在于，

上述環狀絕緣材料包括插入上述通孔的直線部中的帶凸緣套筒、和 配置在上述通孔的錐部的錐部件，

上述錐部件的上端部比上述通孔的錐部的上端部向上方稍微突出 而與上述锪孔部面對。