[發明專利]堆疊器件的方法

無效

• 申請號: 200910150015.5
• 申請日: 2009-06-18
• 公開（公告）號: CN101615585A
• 公開（公告）日: 2009-12-30
• 發明（設計）人: 王宗鼎;李建勛;陳承先;趙智杰;李明機;郭祖寬
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L25/00;H01L23/52;H01L23/28
• 代理公司: 北京市德恒律師事務所
• 代理人: 馬佑平

1、一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

提供第一器件、第二器件和第三器件；

提供在第一器件和第二器件之間的第一涂層材料；

提供在第二器件和第三器件之間的第二涂層材料；以及

此后，同一處理中對第一和第二涂層材料進行固化。

2、根據權利要求1所述的方法，其中，每個所述第一、第二和第三器件包括電路；其中，每個所述第一、第二和第三器件包括穿透硅通孔結構；

所述方法包括，響應于所述固化，利用所述第一和第二器件的TSV結構對第一、第二和第三器件的電路進行電耦合；以及

其中，所述第一和第二涂層材料均包括利于耦合的焊料成分。

3、根據權利要求2所述的方法，包括：

提供第四器件，所述第四器件是管芯和晶片中的一種；

提供在第三器件和第四器件之間的第三涂層材料；以及

其中所述固化包括在與第一和第二涂層材料相同的同一處理中對第三涂層材料進行固化。

4、根據權利要求1所述的方法，包括在固化前對所述第一和第二涂層材料進行預處理。

5、根據權利要求1所述的方法，其中所述提供第一涂層材料的步驟包括在所述第一器件上形成所述第一涂層材料，以及在所述第一涂層材料和第一器件上覆蓋所述第二器件；以及

其中所述提供第二涂層材料的步驟包括在所述第二器件上形成所述第二涂層材料，以及在所述第二涂層材料和第二器件上覆蓋所述第三器件。

6、根據權利要求1所述的方法，其中所述提供第一涂層材料的步驟包括在所述第二器件上形成所述第一涂層材料，以及在所述第一器件上覆蓋具有所述第一涂層材料的所述第二器件；以及

其中所述提供第二涂層材料的步驟包括在所述第三器件上形成所述第二涂層材料，以及在所述第二器件上覆蓋具有所述第二涂層材料的所述第三器件。

7、一種半導體器件，包括：

第一器件；

第二器件，覆蓋在所述第一器件上并且電耦合到所述第一器件；

第三器件，覆蓋在所述第二器件上并且電耦合到所述第二器件；

第一涂層材料，置于所述第一和第二器件之間；以及

第二涂層材料，置于所述第二和第三器件之間；

其中所述第一和第二涂層材料以基本相同的熱處理歷史制成。

8、根據權利要求7所述的半導體器件，其中所述第一和第二涂層材料以基本相同的固化循環制成。

9、根據權利要求7所述的半導體器件，其中每個所述第一、第二和第三器件包括多個穿透硅通孔(TSV)結構。

10、根據權利要求7所述的半導體器件，其中所述第一器件包括用于連接另一半導體器件的多個導電凸點。

11、根據權利要求7所述的半導體器件，進一步包括用于支撐結構的承載襯底上；以及

其中，所述第一器件覆蓋在所述承載襯底上并且固定到所述承載襯底上。

12、一種制造堆疊半導體器件的方法，所述方法包括：

提供具有電路和形成于其上的第一涂層材料的第一器件；

在所述第一涂層材料和所述第一器件上堆疊第二器件，所述第二器件具有電路和形成于其上的第二涂層材料；

在所述第二涂層材料和所述第二器件上堆疊第三器件，所述第三器件具有電路；以及

此后，完成一個熱處理過程以電耦合所述第一、第二和第三器件的電路從而形成堆疊半導體器件的電路，以及用于對所述第一和第二涂層材料進行固化。

13、根據權利要求12所述的方法，包括在所述熱處理之前對所述第一和第二涂層材料進行預處理，其中預處理的溫度從大約80℃至大約150℃。

14、根據權利要求12所述的方法，包括在所述熱處理之后對所述第一和第二涂層材料進行后處理，其中所述后處理的溫度從大約100℃至大約200℃。

15、根據權利要求12所述的方法，其中所述熱處理的溫度從大約200℃至大約300℃。