[發明專利]具有再分布線的TSV的背連接

有效

• 申請號: 200910150012.1
• 申請日: 2009-06-18
• 公開（公告）號: CN101719484A
• 公開（公告）日: 2010-06-02
• 發明（設計）人: 許國經;陳承先
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L23/52;H01L21/60
• 代理公司: 北京市德恒律師事務所 11306
• 代理人: 馬佑平;馬鐵良

1.一種集成電路結構，包括：

半導體襯底，其包括一個正面和一個背面；

穿透該半導體襯底的導電通孔，該導電通孔包括延伸到該半導體襯底 背面的后端；

再分布線RDL，其位于該半導體襯底的背面之上，并連接到該導電通 孔的該后端；

鈍化層，在該RDL之上，在該鈍化層中具有開口且該RDL的一部分 通過該開口暴露；以及

鎳層，其位于該開口中并接觸該RDL。

2.根據權利要求1的集成電路結構，其中該RDL包括RDL帶以及 RDL襯墊，該RDL帶包括直接位于該導電通孔之上并與之接觸的部分，該 RDL襯墊具有大于該RDL帶的寬度，該RDL襯墊連接該RDL帶，且其中 該開口僅暴露該RDL襯墊的中部。

3.根據權利要求1的集成電路結構，進一步包括位于該鎳層之上的金 層。

4.根據權利要求3的集成電路結構，進一步包括在該金層和該鎳層之 間并連接該金層和該鎳層的鈀層。

5.根據權利要求1的集成電路結構，其中該鎳層包括一個頂表面，該 頂表面高于該鈍化層的頂表面。

6.根據權利要求1的集成電路結構，其中該集成電路結構沒有位于該 RDL之上并與之接觸的襯墊，該襯墊以選自由銅和共熔焊料構成的組中的 一種材料形成。

7.根據權利要求1的集成電路結構，進一步包括：

多個穿透該半導體襯底的導電通孔；

多個位于該半導體襯底背面的RDL，其中多個該RDL中的每一個連接 到該多個導電通孔中的其中一個的后端；

多個位于該鈍化層中的開口，其中通過該多個開口中的一個暴露該多 個RDL中每一個的一部分，且其中該多個開口具有相同的尺寸；以及

鎳層，形成在該多個開口的每一個中，且接觸該多個RDL中的一個。

8.一種集成電路結構，該結構包括：

半導體襯底，其包括一個正面和一個背面；

穿透該半導體襯底的導電通孔，該導電通孔包括延伸超過該半導體襯 底背面的后端；

再分布線RDL，其位于該半導體襯底的背面之上，并連接到該導電通 孔的該后端；該RDL包括：

接觸該導電通孔的RDL帶；以及

RDL襯墊，該RDL襯墊的寬度大于該RDL帶，其中該RDL襯墊連接 該RDL帶，

鈍化層，其在該RDL之上；

在該鈍化層中形成的開口，其中該RDL襯墊的中部通過該開口暴露， 且其中該鈍化層覆蓋該RDL襯墊的邊緣部分；以及

鎳層，其形成在開口中并接觸該RDL襯墊開口的該中部，其中該鎳層 的厚度大于該鈍化層的厚度。

9.根據權利要求8的集成電路結構，其中該鎳層包括頂表面，該頂表 面高于該鈍化層的頂表面。

10.根據權利要求8的集成電路結構，進一步包括在該鎳層之上的金 層。

11.根據權利要求10的集成電路結構，進一步包括在該金層和該鎳層 之間并連接該金層和該鎳層的鈀層。

12.根據權利要求8的集成電路結構，其中該集成電路結構沒有位于 該RDL之上并與之接觸的襯墊，該襯墊以選自由銅和共熔焊料構成的組中 的一種材料形成。

13.根據權利要求8的集成電路結構，進一步包括：

多個穿透該半導體襯底的導電通孔；

多個位于該半導體襯底背面處的RDL，其中多個該RDL中的每一個連 接到該多個導電通孔中的其中一個的后端；

多個位于該鈍化層中的開口，其中通過該多個開口中的一個暴露該多 個RDL中每一個的一部分，且其中該多個開口具有相同的尺寸；以及

鎳層，形成在該多個開口的每一個中，且接觸該多個RDL中的一個。