[發明專利]漿料、電極、等離子體顯示面板和制造電極的方法

無效

• 申請號: 200910149863.4
• 申請日: 2009-07-02
• 公開（公告）號: CN101625949A
• 公開（公告）日: 2010-01-13
• 發明（設計）人: 金哲弘;金旼載;蔡韶羅;許銀起
• 申請（專利權）人: 三星SDI株式會社
• 主分類號: H01J17/04
• 分類號: H01J17/04;H01J9/02;H01J17/49
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司
• 代理人: 韓明星;李娜娜

本申請要求于2008年7月7日提交的名稱為“PASTE?FOR?PREPARINGPDP?ELECTRODE?CONTAINING?ALUMINUM，METHOD?FOR?PREPARINGTHE?PDP?ELECTRODE?USING?THE?PASTE?AND?PDP?ELECTRODEPREPARED?USING?THE?METHOD”(用于制備含鋁的PDP電極的漿料、利用該漿料制備PDP電極的方法和利用該方法制備的PDP電極)的第61/078,722號美國臨時申請和于2009年5月12日提交的第12/464,804號美國專利申請的優先權和權益，上述申請的全部內容通過引用被包含于此。

技術領域

本發明涉及用于形成等離子體顯示面板(PDP)的電極的漿料、利用該漿料制造電極的方法以及包括該電極的PDP。更具體地講，本發明涉及一種用于形成PDP電極的包含鋁溶液的漿料，其中，該鋁溶液包含鋁顆粒和表面處理劑。

背景技術

由于光刻的工藝要求簡單，所以光刻已經成為制造等離子體顯示面板的電極的主要方法。通過以下方法來執行光刻，即，印刷并干燥漿料組合物來形成具有期望厚度的膜；利用裝配有光掩膜的紫外曝光裝置向所述膜上照射光；在顯影工藝中選擇性地去除未曝光的區域；然后燒結所得到的膜。

用于形成PDP電極的傳統漿料組合物包括無機粉末和感光有機組分。無機粉末包括高導電金屬，例如，金、銀、鎳、銅、鋁等。與銀(Ag)相比，鋁具有良好的抗遷移特性(anti-migration)，并且鋁原材料的價格相對低，使得鋁成為良好的電極材料。然而，在燒結過程中，鋁快速氧化產生氫氣，并且氫氣的積累可能引起爆炸。因此，鋁通常僅被用在薄膜工藝(例如，濺射方法)中，而不適于制造漿料并且必須燒結的光刻工藝。

發明內容

在本發明的一個實施例中，一種用于形成等離子體顯示面板(PDP)的電極的漿料包括鋁溶液和玻璃料。鋁溶液包含鋁顆粒和表面處理劑。鋁顆粒具有大約5μm或更小的平均粒徑。表面處理劑被構造為能經受大約550℃或更高的燒結溫度，從而在燒結時不發生燃燒。相反，表面處理劑在燒結后保留在鋁顆粒的表面上。可選地，表面處理劑在燒結時可以發生熱解，表面處理劑的熱解殘留物留在鋁顆粒的表面上。

根據本發明的另一實施例，利用所述漿料制造PDP電極。所述電極包括鋁顆粒、表面處理劑和玻璃料的燒結后的產物，并且所述電極的比電阻為大約20μΩ·cm或更小。

在本發明的又一實施例中，一種制造PDP電極的方法包括以下步驟：將所述漿料涂覆在基底上；干燥漿料，形成導電層；將導電層圖案化；燒結圖案化的導電層，從而形成電極。圖案化的步驟可包括將導電層曝光和顯影，并且可以在還原或氧化氣氛下執行燒結。

根據本發明實施例的包括鋁顆粒的漿料能夠形成比電阻為大約20μΩ·cm或更小的電極。以前的鋁基電極不能實現這種低比電阻，妨礙了它們用作PDP電極。憑借低的比電阻，根據本發明實施例的鋁基電極適于用作PDP的電極。

附圖說明

通過參照結合附圖進行的下面的詳細描述，本發明的以上和其它特征及優點將更好理解，在附圖中：

圖1至圖3是PDP電極的剖視圖，示出了根據本發明實施例的形成PDP電極的方法中的各個步驟；

圖4和圖5是包含平均粒徑為7μm的鋁顆粒的PDP電極的表面的照片；

圖6和圖7是包含平均粒徑為5μm的鋁顆粒的PDP電極的表面的照片；

圖8和圖9是包含平均粒徑為3μm的鋁顆粒的PDP電極的表面的照片；

圖10和圖11是包含銀的PDP電極的表面的照片；

圖12是根據本發明實施例的PDP的分解透視圖；

圖13是圖12中的PDP的沿著線I-I′截取的剖視圖。

具體實施方式

因為與銀(Ag)相比鋁(Al)具有優良的抗遷移特性，并且鋁原材料的價格相對低，所以鋁是優良的電極材料。然而，在燒結過程中，鋁快速氧化產生氫氣，并且氫氣的積累可能引起爆炸。為了解決這個問題，已經增加了鋁的比電阻。結果，鋁通常僅被用在薄膜工藝(例如，濺射方法)中，而不適于制造漿料并且必須燒結的光刻工藝。

然而，本發明的實施例提供了一種由具有合適的比電阻的鋁形成的等離子體顯示面板(PDP)電極。通過利用在形成PDP電極的過程中不發生燃燒并且被保留下來的表面處理劑來防止鋁的氧化。