[發(fā)明專利]植入體表面和用于降低磨損的處理

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910149707.8
• 申請日: 2009-04-28
• 公開（公告）號: CN101606868A
• 公開（公告）日: 2009-12-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: S·X·楊;L·小薩爾瓦蒂
• 申請（專利權(quán)）人: 德普伊產(chǎn)品公司
• 主分類號: A61F2/00
• 分類號: A61F2/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 段曉玲;黃可峻

1.處理植入體以減小所述植入體在受試者內(nèi)使用時(shí)的磨損特征的方法，包括：

在所述植入體的表面的至少一部分中形成多個(gè)凹坑；和

在所述帶凹坑的表面上形成高度耐腐蝕的含氧化物層，相對于在所述表面上的自然發(fā)生的氧化物層，所述含氧化物層增加了所述帶凹坑的表面的抗腐蝕性，

所述方法生成了經(jīng)處理的表面，所述經(jīng)處理的表面相對于未經(jīng)處理的表面具有減小的磨損特征。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中形成所述多個(gè)凹坑包括使用基于化學(xué)的蝕刻技術(shù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中所述基于化學(xué)的蝕刻技術(shù)包括基于電化學(xué)的蝕刻技術(shù)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中形成所述多個(gè)凹坑包括從所述植入體的所述表面去除多個(gè)夾雜物。

5.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中形成所述含氧化物層包括：使用具有至少一種氧化成分的等離子體處理所述表面。

6.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，進(jìn)一步包括：在形成所述含氧化物層之后，用酸接觸所述帶凹坑的表面。

7.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中所述帶凹坑的表面包括鈷-鉻合金，所述鈷-鉻合金的鉻鈷之比大于大約2。

8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中形成所述含氧化物層包括形成厚度大于大約的所述含氧化物層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中形成所述含氧化物層包括：選擇性地提高在所述含氧化物層中至少一種組分的相對量。

10.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中形成所述含氧化物層包括：使用酸來處理所述含氧化物層以選擇性地提高所述至少一種組分。

11.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中所述植入體包括鈷-鉻合金，和選擇性地提高至少一種組分的所述相對量包括選擇性地提高所述含氧化物層中鉻相對于鈷的量。

12.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中在所述經(jīng)處理的表面上的鉻鈷之比在大約2到大約20的范圍。

13.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，進(jìn)一步包括：在所述帶凹坑的表面上形成所述含氧化物層之前使所述帶凹坑的表面光滑化。

14.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中使所述帶凹坑的表面光滑化包括拋光所述帶凹坑的表面。

15.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中至少一部分所述帶凹坑的表面的特征在于，R_a值小于大約0.6μm。

16.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述經(jīng)處理的表面包括所述植入體的至少一部分金屬對基底(MOS)表面。