[發明專利]多調光掩模及其修正方法

無效

• 申請號: 200910149587.1
• 申請日: 2009-07-06
• 公開（公告）號: CN101655661A
• 公開（公告）日: 2010-02-24
• 發明（設計）人: 加藤和男;三宅充纮;美作昌宏
• 申請（專利權）人: 株式會社SK電子
• 主分類號: G03F1/00
• 分類號: G03F1/00;G03F1/14
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 李貴亮

1、一種缺陷已修正的多調光掩模，其特征在于，

在透明基板上設置透光部、遮光部和半透光部，所述半透光部由半透膜圖形形成，所述半透膜包含利用激光熔斷形成的厚膜部，并且在所述厚膜部設有透過率調節區域。

2、一種多調光掩模，其中，

在透明基板上設置透光部、遮光部和半透光部，所述半透光部由半透膜圖形形成，所述半透膜具有低能量照射部，以能量密度相對不同的至少兩個以上的條件進行激光熔斷。

3、如權利要求2所述的多調光掩模，其特征在于，

所述低能量照射部是在所述透光部上孤立的修正半透膜圖形的邊緣部。

4、如權利要求2或3所述的多調光掩模，其特征在于，

所述半透膜是利用氣相生長法形成的膜。

5、一種多調光掩模的修正方法，所述多調光掩模在透明基板上設有透光部、遮光部和半透光部，所述多調光掩模的修正方法包括：

通過除去所述半透光部中包含缺陷的區域而使透明基板的一部分區域露出的工序；在所述露出的一部分區域形成修正用的半透膜、進而為除去不需要的修正半透膜而對第一區域以能量密度相對高的第一條件進行激光熔斷的工序；以及對第二區域以能量密度相對低的第二條件進行激光熔斷的工序。

6、如權利要求5所述的多調光掩模的修正方法，其特征在于，

所述第二區域是具有源極及漏極的薄膜晶體管的源電極及漏電極形成區域及其它在透光部上孤立的修正半透膜圖形的邊緣部。

7、一種多調光掩模，其中，

在透明基板上設置透光部、遮光部和半透光部，所述半透光部由半透膜圖形形成，所述半透膜在與所述透光部的邊界區域的至少一部分具有縫隙部。

8、如權利要求7所述的多調光掩模，其特征在于，

所述半透光部包括利用第一成膜方法形成的第一半透膜、和利用第二成膜方法形成的第二半透膜，所述縫隙部形成于所述第二半透膜的端部。

9、如權利要求7所述的多調光掩模，其特征在于，

所述第二半透膜在除了所述縫隙部之外的區域被調節成與所述第一半透膜的透過率實質上相等。

10、如權利要求7所述的多調光掩模，其特征在于，

所述縫隙部具有在將所述多調光掩模曝光時的曝光光的波長的析像度極限以下的間隔。

11、如權利要求8～10中任一項所述的多調光掩模，其特征在于，

所述第二半透膜是在除去所述第一半透膜的一部分之后按照包含被除去的區域的方式而局部形成的膜。

12、如權利要求8～10中任一項所述的多調光掩模，其特征在于，

所述第二半透膜是利用氣相生長法形成的膜。

13、一種多調光掩模的修正方法，所述多調光掩模在透明基板上設有透光部、遮光部和半透光部，所述多調光掩模的修正方法包括：

通過除去所述半透光部中包含缺陷的區域而使透明基板的一部分區域露出的工序；以及按照包含所述露出的一部分區域的方式形成修正半透膜、之后在所述修正半透膜的端部形成一個或多個縫隙的工序。

14、如權利要求13所述的多調光掩模的修正方法，其特征在于，

形成有所述縫隙的修正半透膜的端部是具有源極及漏極的薄膜晶體管的源電極及漏電極形成區域及其它在透光部上孤立的修正半透膜圖形的邊緣部。

15、一種多調光掩模，其中，

在透明基板上設置透光部、遮光部和半透光部，所述半透光部由半透膜圖形形成，所述半透膜在與所述透光部的邊界區域的至少一部分具有構成為越接近與所述透光部的邊界透過率越高的臺階部。

16、如權利要求15所述的多調光掩模，其特征在于，

所述半透光部的半透膜包含第一半透膜、和利用與所述第一半透膜不同的成膜方法形成的第二半透膜，所述第二半透膜在除了所述臺階部之外的區域被調節成實質上與所述第一半透膜的透過率相等。

17、如權利要求15或16所述的多調光掩模，其特征在于，

所述臺階部的所述半透膜的膜厚越朝向端部越薄。