[發明專利]通過CVD方法在半導體晶片上沉積層的方法以及用于實施該方法的室

有效

• 申請號: 200910149295.8
• 申請日: 2009-06-12
• 公開（公告）號: CN101634014A
• 公開（公告）日: 2010-01-27
• 發明（設計）人: G·布倫寧格;A·艾格納
• 申請（專利權）人: 硅電子股份公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;H01L23/00
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 苗 征;于 輝

1.一種用于在室中通過CVD方法在半導體晶片上沉積層的方 法，其包括將沉積氣體從室的進氣口，經過半導體晶片，輸送到室的 出氣口，其中沉積氣體通過在頂部受窗約束且在底部受平面E約束的 通道輸送，其中所述窗能透過熱輻射，要沉積的半導體晶片的表面位 于平面E中，其中輸送沉積氣體經過半導體晶片的速度是變化的，這 是由于在所述窗的中心區域和在所述窗的邊緣區域，所述平面與窗之 間的距離D在外側大于內側，而在中心區域的里面部分保持不變，并 且在中心區域與邊緣區域之間的邊界處，所述距離D的徑向分布的切 線與反映所述徑向分布的D-L曲線的橫坐標L相交并形成不小于15° 且不大于25°的角W，其中橫坐標L表示徑向分布離窗中心的距離，并 且窗的中心區域是覆蓋半導體晶片的窗的內側區域，而窗的邊緣區域 是不覆蓋半導體晶片的窗的外側區域。

2.權利要求1的方法，其中在所述窗的中心區域中，窗離平面的 最大與最小距離之差D_max-D_min不小于0.5mm且不大于2mm。

3.權利要求1或權利要求2的方法，其中在所述窗的邊緣區域中， 窗離平面的最大與最小距離之差D_max-D_min不小于0.5mm且不大于2 mm。

4.一種用于通過CVD方法在半導體晶片上沉積層的室，其包括 引導沉積氣體進入室的進氣口、引導沉積氣體離開室的出氣口、用于 容納要沉積的半導體晶片的感受器、和布置在感受器對面的能透過熱 輻射的窗，其中就要沉積的半導體晶片所在的平面與窗之間的距離D 而言，在所述窗的中心區域和在所述窗的邊緣區域在外側的距離大于 在內側的距離，而在中心區域的里面部分保持不變，并且在中心區域 與邊緣區域之間的邊界處，所述距離D的徑向分布的切線與反映所述 徑向分布的D-L曲線的橫坐標L相交并形成不小于15°且不大于25°的 角W，其中橫坐標L表示徑向分布離窗中心的距離，并且窗的中心區 域是覆蓋半導體晶片的窗的內側區域，而窗的邊緣區域是不覆蓋半導 體晶片的窗的外側區域。

5.權利要求4的室，其中在所述窗的中心區域中，窗離平面的最 大與最小距離之差D_max-D_min不小于0.5mm且不大于2mm。

6.權利要求4或權利要求5的室，其中在所述窗的邊緣區域中， 窗離平面的最大與最小距離之差D_max-D_min不小于0.5mm且不大于2 mm。

7.權利要求4或5的室，其中距離D為25～35mm。

8.權利要求6的室，其中距離D為25～35mm。

9.根據權利要求1的方法制備的包括外延層的半導體晶片，其 中層的厚度是不均勻的，其中根據公式R＝100％*(t_max-t_min)/2*t_m計 算得出的描述層厚度變化的參數R小于0.5％，其中在所述公式中， t_max表示層的最大厚度，t_min表示層的最小厚度，t_m表示層的平均厚度。