[發明專利]發聲裝置及發聲元件

有效

• 申請號: 200910149175.8
• 申請日: 2009-06-09
• 公開（公告）號: CN101605292A
• 公開（公告）日: 2009-12-16
• 發明（設計）人: 姜開利;肖林;陳卓;范守善
• 申請（專利權）人: 清華大學;鴻富錦精密工業(深圳)有限公司
• 主分類號: H04R23/00
• 分類號: H04R23/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發聲裝置，其包括：

一電磁波信號輸入裝置；以及

一發聲元件；

其特征在于，該發聲元件包括至少一碳納米管膜，該碳納米管膜包括多個擇 優取向排列的碳納米管，該碳納米管膜與周圍介質接觸，該電磁波信號輸入 裝置傳遞電磁波信號至該碳納米管膜，使該碳納米管膜通過吸收該電磁波信 號發熱，從而加熱該周圍介質發出聲波。

2.如權利要求1所述的發聲裝置，其特征在于，所述碳納米管膜將電磁波信號 轉變為熱，通過加熱改變碳納米管膜周圍介質密度發出聲波。

3.如權利要求1所述的發聲裝置，其特征在于，所述碳納米管膜的厚度為0.5 納米～100微米，所述發聲元件的厚度為0.5納米～1毫米。

4.如權利要求1所述的發聲裝置，其特征在于，所述碳納米管膜為自支撐結構。

5.如權利要求1所述的發聲裝置，其特征在于，所述碳納米管膜包括多個通過 范德華力首尾相連的碳納米管。

6.如權利要求1所述的發聲裝置，其特征在于，所述碳納米管膜中碳納米管基 本相互平行且平行于碳納米管膜表面。

7.如權利要求1所述的發聲裝置，其特征在于，所述發聲元件包括至少兩層層 疊設置的碳納米管膜，且相鄰兩層碳納米管膜之間通過范德華力緊密結合。

8.如權利要求1所述的發聲裝置，其特征在于，該發聲裝置進一步包括一支撐 結構，所述發聲元件通過該支撐結構固定設置。

9.如權利要求8所述的發聲裝置，其特征在于，所述支撐結構為一平面或曲面 結構，并具有一表面，所述發聲元件直接設置并貼合于該支撐結構的表面。

10.如權利要求8所述的發聲裝置，其特征在于，所述支撐結構為一框架結構、 桿狀結構或不規則形狀結構，所述發聲元件通過該支撐結構部分懸空設置。

11.如權利要求10所述的發聲裝置，其特征在于，所述發聲裝置進一步包括一攏 音結構，所述攏音結構設置于發聲元件遠離電磁波信號輸入裝置的一側，與 所述發聲元件相對并間隔設置。

12.如權利要求8所述的發聲裝置，其特征在于，所述支撐結構的材料為金剛石、 玻璃、石英、塑料、樹脂、木質材料或紙質材料。

13.如權利要求1所述的發聲裝置，其特征在于，該發聲裝置進一步包括一攏音 結構，所述攏音結構包括一亥姆霍茲共振腔，所述發聲元件通過該攏音結構 固定并部分懸空設置。

14.如權利要求1所述的發聲裝置，其特征在于，所述電磁波信號為無線電波、 紅外線、可見光、紫外線、微波、X射線及γ射線中的一種或多種。

15.如權利要求1所述的發聲裝置，其特征在于，所述電磁波信號輸入裝置包括 一光信號源，所述電磁波信號輸入裝置通過該光信號源發出光信號，該光信 號的波長范圍為從紫外區至遠紅外區之間。

16.如權利要求15所述的發聲裝置，其特征在于，所述光信號源為一脈沖激光發 生器。

17.如權利要求15所述的發聲裝置，其特征在于，所述電磁波信號輸入裝置包括 一光纖，該光纖一端與所述光信號源連接，另一端延伸至所述碳納米管膜附 近，所述光信號通過光纖傳遞至所述碳納米管膜。

18.如權利要求1所述的發聲裝置，其特征在于，該發聲裝置進一步包括一調制 裝置，該調制裝置設置于所述電磁波信號輸入裝置與發聲元件之間，且位于 所述電磁波信號的傳輸路徑上，該調制裝置包括強度調制裝置、頻率調制裝 置或兩者的結合。

19.如權利要求1所述的發聲裝置，其特征在于，該電磁波信號輸入裝置包括一 調制電路，該調制電路通過輸入的音頻電信號控制該電磁波信號輸入裝置發 出的電磁波信號的強度和/或頻率的變化。