[發(fā)明專利]在硅襯底上制備無過渡層的金屬氧化物薄膜的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910149162.0
• 申請日: 2009-06-12
• 公開（公告）號: CN101851741A
• 公開（公告）日: 2010-10-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳嘉達(dá);孫劍;唐文濤;干潔
• 申請（專利權(quán)）人: 復(fù)旦大學(xué)
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/28
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司 31200
• 代理人: 包兆宜

1.一種在硅襯底上制備無過渡層的金屬氧化物薄膜的方法，其特征是在電子回旋共振條件下用脈沖激光燒蝕金屬靶引發(fā)對氧氣的微波放電，形成高活性的氧等離子體，并以此氧等離子體輔助脈沖激光沉積，在硅襯底上制備MO₂薄膜；所述的金屬氧化物薄膜為IVB族金屬氧化物薄膜。

2.按權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于所述的金屬氧化物為MO₂，其中M為鉿(Hf)、鋯(Zr)或鈦(Ti)。

3.按照權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于該方法中采用純度99.99％的高純金屬Hf、Zr或Ti為激光燒蝕的靶，采用純度99.999％的高純氧氣為微波放電的工作氣體，采用單晶Si片為襯底材料。

4.按照權(quán)利要求1的制備方法，其特征在于該方法中，在對氧氣微波放電形成的氧等離子體環(huán)境中用脈沖激光束燒蝕金屬M靶，以氧等離子體輔助脈沖激光沉積方式在Si襯底上沉積MO₂薄膜。

5.按照權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于所述的MO₂薄膜在30-80℃的常溫和1×10^-2-9×10^-2Pa的稀薄含氧氛圍中沉積，由激光對金屬靶的燒蝕引發(fā)微波放電形成氧等離子體，使防止Si襯底表面被氧化，避免在Si襯底和薄膜之間形成SiO_x過渡層。

6.按權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于其中所述的的氧等離子體的形成、金屬靶的燒蝕和MO₂薄膜的常溫沉積同時開始。