[發(fā)明專利]光器件晶片的分割方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910148838.4
• 申請(qǐng)日: 2009-06-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101604659A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-12-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 星野仁志;山口崇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社迪思科
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/78
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/78;H01L21/50;H01L21/304;B28D5/00;B23K26/38
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 陳 堅(jiān)

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及將光器件晶片沿著間隔道分割成一個(gè)個(gè)光器件的光器件 晶片的分割方法，該光器件晶片在藍(lán)寶石基板等基板的表面上通過(guò)形成 為格子狀的間隔道劃分有多個(gè)區(qū)域，并且在該劃分出的區(qū)域內(nèi)層疊有氮 化鎵類(lèi)化合物半導(dǎo)體等光器件。

背景技術(shù)

關(guān)于在藍(lán)寶石基板的表面上通過(guò)形成為格子狀的被稱為間隔道的分 割預(yù)定線劃分有多個(gè)區(qū)域、并且在該劃分出的區(qū)域內(nèi)層疊有氮化鎵類(lèi)化 合物半導(dǎo)體等光器件的光器件晶片，沿著間隔道被分割成一個(gè)個(gè)發(fā)光二 極管等光器件，并廣泛利用于電氣設(shè)備。

關(guān)于上述光器件晶片，在沿著間隔道進(jìn)行分割之前利用磨削裝置對(duì) 背面進(jìn)行磨削，從而加工至預(yù)定厚度。近年來(lái)，為了實(shí)現(xiàn)電氣設(shè)備的輕 量化、小型化，要求使光器件的厚度在50μm以下。然而，當(dāng)光器件晶片 的厚度被磨削變薄而達(dá)到50μm以下時(shí)，存在光器件晶片產(chǎn)生破裂的問(wèn) 題。

另一方面，光器件晶片的沿著間隔道的切斷通常是利用使切削刀具 高速旋轉(zhuǎn)來(lái)進(jìn)行切削的切削裝置進(jìn)行的。但是，由于藍(lán)寶石基板是莫氏 硬度高的難切削材料，所以需要降低加工速度，存在生產(chǎn)效率差的問(wèn)題。

近年來(lái)，作為沿著間隔道分割光器件晶片等晶片的方法，提出了如 下方法：通過(guò)沿著間隔道照射相對(duì)于晶片具有吸收性的波長(zhǎng)的脈沖激光 光線來(lái)形成激光加工槽，通過(guò)沿著該激光加工槽施加外力，使晶片沿著 間隔道斷裂。(例如，參照專利文獻(xiàn)1。)

專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)平10-305420號(hào)公報(bào)

此外，作為沿著間隔道分割光器件晶片等晶片的方法，還提出了如 下方法：使用相對(duì)于晶片具有透射性的波長(zhǎng)的脈沖激光光線，以聚光點(diǎn) 對(duì)準(zhǔn)晶片內(nèi)部的方式沿著間隔道照射該脈沖激光光線，由此在晶片內(nèi)部 沿著間隔道連續(xù)地形成變質(zhì)層，沿著因?yàn)樾纬稍撟冑|(zhì)層而強(qiáng)度降低了的 間隔道施加外力，從而使晶片沿著間隔道斷裂。(例如，參照專利文獻(xiàn)2。)

專利文獻(xiàn)2：日本特開(kāi)2008-6492號(hào)公報(bào)

然而，如果沿著光器件晶片的間隔道照射激光光線來(lái)形成激光加工 槽或變質(zhì)層，并沿著形成有激光加工槽或變質(zhì)層的間隔道將光器件晶片 分割成一個(gè)個(gè)光器件的話，則在被分割成一個(gè)一個(gè)的光器件的側(cè)面(斷 裂面)會(huì)殘留因激光加工而生成的變質(zhì)物，存在光器件的光亮度降低且 抗彎強(qiáng)度降低的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是鑒于上述事實(shí)而完成的，其主要的技術(shù)課題在于提供一種 光器件晶片的分割方法，該方法能夠使光器件晶片的厚度形成得很薄， 并且能夠在不降低光器件光亮度的同時(shí)防止抗彎強(qiáng)度的降低。

為了解決上述主要的技術(shù)課題，根據(jù)本發(fā)明，提供一種光器件晶片 的分割方法，其是將光器件晶片沿著多個(gè)間隔道分割成一個(gè)個(gè)光器件的 方法，上述光器件晶片在表面上通過(guò)形成為格子狀的多個(gè)間隔道劃分出 了多個(gè)區(qū)域，在該多個(gè)區(qū)域中形成有光器件，其特征在于，

該光器件晶片的分割方法包括以下工序：

保護(hù)板接合工序，將光器件晶片的表面通過(guò)能夠剝離的接合劑接合 到剛性高的保護(hù)板的表面上；

背面磨削工序，對(duì)粘貼在上述保護(hù)板上的光器件晶片的背面進(jìn)行磨 削，從而使光器件晶片形成為器件的最終厚度；

加強(qiáng)基板接合工序，將剛性高的加強(qiáng)基板的表面通過(guò)能夠剝離的接 合劑接合到實(shí)施了上述背面磨削工序的光器件晶片的背面上；

晶片剝離工序，將接合有上述加強(qiáng)基板的光器件晶片從上述保護(hù)板 上剝離；

切割帶粘貼工序，將接合有上述加強(qiáng)基板的光器件晶片的表面粘貼 到切割帶的表面上；

激光加工工序，實(shí)施如下所述的激光加工：從與粘貼在上述切割帶 上的光器件晶片接合的上述加強(qiáng)基板的背面?zhèn)龋刂纬稍诠馄骷? 上的間隔道照射激光光線，從而在上述加強(qiáng)基板中沿著間隔道形成斷裂 起點(diǎn)；以及

晶片分割工序，沿著實(shí)施了上述激光加工工序的上述加強(qiáng)基板的斷 裂起點(diǎn)施加外力，使上述加強(qiáng)基板沿著斷裂起點(diǎn)斷裂，從而使光器件晶 片沿著間隔道斷裂從而分割成一個(gè)個(gè)光器件。

在上述激光加工工序中，通過(guò)將聚光點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)上述加強(qiáng)基板的內(nèi)部來(lái) 照射相對(duì)于加強(qiáng)基板具有透射性的波長(zhǎng)的激光光線，從而在加強(qiáng)基板的 內(nèi)部沿著間隔道形成作為斷裂起點(diǎn)的變質(zhì)層。