[發明專利]薄膜型太陽能電池及其制造方法有效
| 申請號: | 200910147805.8 | 申請日: | 2009-06-12 |
| 公開(公告)號: | CN101604713A | 公開(公告)日: | 2009-12-16 |
| 發明(設計)人: | 金宰湖;黃喆周 | 申請(專利權)人: | 周星工程股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/05 |
| 代理公司: | 北京鴻元知識產權代理有限公司 | 代理人: | 陳英俊 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜 太陽能電池 及其 制造 方法 | ||
1.一種薄膜型太陽能電池的制造方法,包括:
在襯底上順序地沉積前電極層和半導體層;
通過利用激光劃線除去所述前電極層和所述半導體層的預定部分,形成 第一分隔槽;
通過利用激光劃線除去所述半導體層的預定部分,形成接觸部分和第二 分隔槽;
在形成所述第一分隔槽、所述接觸部分和所述第二分隔槽之后,在所述 第一分隔槽中形成第一絕緣層;以及
在形成所述第一絕緣層之后,形成多個后電極,所述多個后電極通過插 置于其間的各個第二分隔槽以固定間隔形成,其中,各個后電極通過所述接 觸部分與所述前電極層電連接,其中所述后電極印刷在所述第一分隔槽和所 述接觸部分上,但不印刷在所述第二分隔槽上,
其中,在形成所述第一分隔槽、所述接觸部分和所述第二分隔槽之后并 且在所述第一分隔槽中形成第一絕緣層之前,只進行一次清潔過程。
2.如權利要求1所述的方法,進一步包括:
形成所述后電極前,在所述第二分隔槽中形成第二絕緣層。
3.如權利要求2所述的方法,其中,所述第一和第二絕緣層同時形成。
4.如權利要求2所述的方法,其中,在所述半導體層的預定部分和所述 第二分隔槽的整個內部形成所述第二絕緣層。
5.如權利要求2所述的方法,其中,所述多個后電極利用印刷法通過插 置于其間的各個第二分隔槽以固定間隔形成。
6.如權利要求1所述的方法,其中,通過利用激光劃片方法,所述第一 分隔槽、所述接觸部分和所述第二分隔槽以固定間隔同時形成。
7.如權利要求1所述的方法,進一步包括:
在所述半導體層和所述后電極之間形成透明導電層,其中,所述透明導 電層在圖案樣式上與所述半導體層相同。
8.一種薄膜型太陽能電池,包括:
多個前電極,通過插置于其間的各個第一分隔槽以固定間隔形成在襯底 上;
半導體層,形成在所述前電極上,并且設有接觸部分和第二分隔槽;
形成在所述第一分隔槽中的第一絕緣層,其中在形成所述第一分隔槽、 所述接觸部分和所述第二分隔槽之后,形成所述第一絕緣層;以及
多個后電極,通過插置于其間的各個第二分隔槽以固定間隔形成,并且 通過所述接觸部分與所述前電極電連接,其中在形成所述第一絕緣層之后, 形成所述后電極,并且
其中所述后電極印刷在所述第一分隔槽和所述接觸部分上,但不印刷在 所述第二分隔槽上。
9.如權利要求8所述的薄膜型太陽能電池,進一步包括形成在所述第二 分隔槽中的第二絕緣層。
10.如權利要求9所述的薄膜型太陽能電池,其中,所述第二絕緣層形 成在所述半導體層的預定部分上和所述第二分隔槽的整個內部。
11.如權利要求10所述的薄膜型太陽能電池,其中,所述后電極通過插 置于其間的各個第二絕緣層以固定間隔形成。
12.如權利要求8所述的薄膜型太陽能電池,其中,所述半導體層包括 設有所述第一絕緣層的所述第一分隔槽。
13.如權利要求8所述的薄膜型太陽能電池,其中,所述第一分隔槽、 所述接觸部分和所述第二分隔槽以固定間隔形成。
14.如權利要求8所述的薄膜型太陽能電池,進一步包括:形成在所述 半導體層和所述后電極之間的透明導電層,其中,所述透明導電層在圖案樣 式上與所述半導體層相同。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于周星工程股份有限公司,未經周星工程股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910147805.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:箍帶夾
- 下一篇:具有自凈化特征的用于燈串插座的機械分流器
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





